一种扇出型晶圆级封装结构的制作方法

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种扇出型晶圆级封装结构。

背景技术：

扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式封装，也是i/o数较多、集成灵活性好的主要先进封装之一。扇出晶圆级封装技术一般采用从晶圆切下单个微芯片，然后嵌到一个新的“人造”晶圆上。嵌入时，必须在微芯片之间为扇出再布线留出足够大的间距。

但是现有的芯片扇出型晶圆级封装结构较为简单，封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱，从而影响芯片的封装效果。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中芯片扇出型晶圆级封装结构较为简单，封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱的问题，而提出的一种扇出型晶圆级封装结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种扇出型晶圆级封装结构，包括芯片、保护层金属片、焊球和塑封层，所述保护层涂覆于芯片的顶部，所述金属片与芯片的顶部固定连接，所述保护层上设有与金属片对应的开口，所述焊球与芯片的底部固定连接，所述保护层的顶部设有塑封层，所述保护层包括对称设置的第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层和第二粘接层之间设有对称设置的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层与第一粘接层和第二粘接层之间均通过耐磨层粘接，所述第一绝缘层远离第一粘接层的一侧设有第一防腐蚀层，所述第二绝缘层远离第二粘接层的一侧设有第二防腐蚀层，所述第一防腐蚀层和第二防腐蚀层之间设有抗折层。

优选地，所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氮化硅层。

优选地，所述耐磨层为cr层和cro层交替构成的cr/cro多层涂层。

优选地，所述第一防腐蚀层和第二防腐蚀层均为ato层。

优选地，所述抗折层为金属网层。

优选地，所述第一粘接层和第二粘接层均为硅胶层。

本实用新型中，耐磨层的设置，增强了封装结构的耐磨性能，cr层和cro层交替构成的cr/cro多层涂层的设置，增强了耐磨层的耐磨效果，第一防腐蚀层和第二防腐蚀层的设置，增强了封装结构的防腐蚀性能，同时ato层的设置，增强了防腐蚀层的防腐蚀能力，同时抗折层的设置，增强了封装结构的韧性。本实用新型通过多层结构的设置，增强了封装结构的耐磨和防腐蚀能力，从而提升了芯片的封装效果。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种扇出型晶圆级封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种扇出型晶圆级封装结构的侧视结构示意图。

图中：1芯片、2保护层、201第一粘接层、202第二粘接层、203第一绝缘层、204第二绝缘层、205耐磨层、206第一防腐蚀层、207第二防腐蚀层、208抗折层、3金属片、4焊球、5塑封层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照图1-2，一种扇出型晶圆级封装结构，包括芯片1、保护层2金属片3、焊球4和塑封层5，保护层2涂覆于芯片1的顶部，金属片3与芯片1的顶部固定连接，保护层2上设有与金属片3对应的开口，焊球4与芯片1的底部固定连接，保护层2的顶部设有塑封层5，保护层2包括对称设置的第一粘接层201和第二粘接层202，第一粘接层201和第二粘接层202之间设有对称设置的第一绝缘层203和第二绝缘层204，用于增强封装结构的绝缘性能，第一绝缘层203和第二绝缘层204与第一粘接层201和第二粘接层202之间均通过耐磨层205粘接，用于封装结构的耐磨能力，第一绝缘层203远离第一粘接层201的一侧设有第一防腐蚀层206，用于增强封装结构的防腐蚀性能，第二绝缘层204远离第二粘接层202的一侧设有第二防腐蚀层207，用于增强封装结构的防腐蚀性能，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207之间设有抗折层208，用于增强封装结构的韧性。

本实用新型中，第一绝缘层203和第二绝缘层204均为氮化硅层，用于增强绝缘层的绝缘能力，耐磨层205为cr层和cro层交替构成的cr/cro多层涂层，增强耐磨层205的耐磨能力，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207均为ato层，用于增强防腐蚀层的防腐蚀能力，抗折层208为金属网层，增强抗折层208的强度，第一粘接层201和第二粘接层202均为硅胶层，增强粘接层的粘接能力。

本实用新型中，耐磨层205的设置，增强了封装结构的耐磨性能，cr层和cro层交替构成的cr/cro多层涂层的设置，增强了耐磨层205的耐磨效果，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207的设置，增强了封装结构的防腐蚀性能，同时ato层的设置，增强了防腐蚀层的防腐蚀能力，同时抗折层208的设置，增强了封装结构的韧性。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种扇出型晶圆级封装结构，包括芯片(1)、保护层(2)金属片(3)、焊球(4)和塑封层(5)，其特征在于，所述保护层(2)涂覆于芯片(1)的顶部，所述金属片(3)与芯片(1)的顶部固定连接，所述保护层(2)上设有与金属片(3)对应的开口，所述焊球(4)与芯片(1)的底部固定连接，所述保护层(2)的顶部设有塑封层(5)，所述保护层(2)包括对称设置的第一粘接层(201)和第二粘接层(202)，所述第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间设有对称设置的第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)，所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)与第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间均通过耐磨层(205)粘接，所述第一绝缘层(203)远离第一粘接层(201)的一侧设有第一防腐蚀层(206)，所述第二绝缘层(204)远离第二粘接层(202)的一侧设有第二防腐蚀层(207)，所述第一防腐蚀层(206)和第二防腐蚀层(207)之间设有抗折层(208)。

2.根据权利要求1所述的一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)均为氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述耐磨层(205)为cr层和cro层交替构成的cr/cro多层涂层。

4.根据权利要求1所述的一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一防腐蚀层(206)和第二防腐蚀层(207)均为ato层。

5.根据权利要求1所述的一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述抗折层(208)为金属网层。

6.根据权利要求1所述的一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一粘接层(201)和第二粘接层(202)均为硅胶层。

技术总结
本实用新型公开了一种扇出型晶圆级封装结构，包括芯片、保护层金属片、焊球和塑封层，所述保护层涂覆于芯片的顶部，所述金属片与芯片的顶部固定连接，所述保护层上设有与金属片对应的开口，所述焊球与芯片的底部固定连接，所述保护层的顶部设有塑封层，所述保护层包括对称设置的第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层和第二粘接层之间设有对称设置的第一绝缘层和第二绝缘层。本实用新型通过多层结构的设置，增强了封装结构的耐磨和防腐蚀能力，从而提升了芯片的封装效果。

技术研发人员：杨宝亮
受保护的技术使用者：深圳市兰科半导体科技有限公司
技术研发日：2019.11.14
技术公布日：2020.05.26