1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；
在所述栅金属层上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在所述栅极上方形成半导体图形；
在所述半导体图形上形成源极和漏极；
在所述缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形；
在所述氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在所述保护层上形成接触过孔，以使所述漏极露出；
在所述阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为
3.根据权利要求2所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为
4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层覆盖所述源极、所述漏极以及所述半导体图形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅金属层上沉积缓冲层，具体包括：
在所述栅金属层上沉积由氮化硅构成的第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上沉积由氧化硅构成的第二缓冲层。
6.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述氧化铝层上沉积保护层，具体包括：
在所述氧化铝层上沉积有机绝缘层；
在所述有机绝缘层上沉积无机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有机绝缘层为有机感光树脂层，所述无机绝缘层为氮化硅层。
8.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透明导电层通过所述接触过孔与所述漏极电连接。
9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制造方法制造而成。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。