电致发光器件及含其的显示装置的制作方法

本公开涉及量子点电致发光领域，具体而言，涉及一种电致发光器件及含其的显示装置。

背景技术：

量子点发光二极管(qled)是由阴极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阳极构成的结构，当外加电压时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者复合发光。qled由于其光谱在可见光区连续可调，宽吸收、窄发射、高的色纯度和发光强度等优异性能，得到越来越多的关注。

最初的qled结构中采用未包覆壳层的量子点，其量子效率低，而且由于电荷注入不平衡引起的传输层材料发光或者界面发光，从而导致器件的效率很低。之后为了提高qled的性能，用核壳结构的量子点作为发光材料，其量子效率较高，器件的性能得到一定的提高，但是仍然存在载流子注入不平衡和发光中心与电荷传输层(ctl)的电荷转移导致qled效率降低的问题。

目前，解决的方案有多种。例如，在电子传输层和发光层之间加入绝缘材料，或者引入新的电子、空穴传输材料，但是加入绝缘材料时，绝缘层的厚度难以控制，而寻找新的电子、空穴传输材料更加困难。因此，到目前为止，qled器件效率方面仍有较大的提升空间。

技术实现要素：

本公开的目的在于提供一种电致发光器件及含其的显示装置，表现出改善的器件效率。

为实现上述目的采用如下技术方案，本公开的第一个方面，提供了一种电致发光器件，包括第一电极，相对设置的第二电极，位于上述第一电极和上述第二电极之间且依次设置的空穴传输层，发光层，电子传输层，其特征在于，上述发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层、第三发光层；上述第一发光层包括第一量子点，上述第二发光层包括第二量子点，上述第三发光层包括第三量子点；上述第一发光层设置于上述电子传输层和第二发光层之间，上述第三发光层设置于上述空穴传输层和上述第二发光层之间；上述第三量子点的lumo大于上述第二量子点的lumo，上述第二量子点的lumo大于上述第一量子点的lumo，上述第一量子点的lumo大于上述电子传输层的材料的lumo，上述空穴传输层的材料的homo大于上述第三量子点的homo，上述第三量子点的homo大于上述第二量子点的homo，上述第二量子点的homo大于上述第一量子点的homo。

进一步地，上述第一量子点、上述第二量子点、上述第三量子点的荧光发射峰位两两相减的差均在5nm以内。

进一步地，上述第一量子点和上述第三量子点均具有配体，上述第一量子点和上述第三量子点的配体独立地选自有机配体或无机配体。

进一步地，上述第一量子点的配体为第一有机配体，上述第二量子点的配体为第二有机配体，上述第一有机配体的c原子个数小于第二有机配体的c原子个数。

进一步地，上述第三量子点的配体为第三有机配体，上述第三有机配体的c原子个数小于上述第二有机配体的c原子个数。

进一步地，上述第一量子点的配体为4-烯戊酸根配体，上述第二量子点的配体为十二烯酸配体，上述第三量子点的配体为4-烯戊酸根配体。

进一步地，上述第一发光层包括交联的第一量子点，上述第二发光层包括交联的第二量子点，上述第三发光层为交联的第三量子点，上述第一发光层和上述第三发光层均还包括光引发剂。

进一步地，上述空穴传输层的材料的lumo大于上述第三量子点的homo，上述电子传输层的材料的homo小于上述第一量子点的homo。

进一步地，上述第二发光层包括第一发光子层，第二发光子层和第三发光子层，上述第一发光子层位于上述第一发光层与上述第二发光子层之间，上述第三发光子层位于上述第三发光层与上述第二发光子层之间，各个发光子层均包括量子点材料。

进一步地，上述第一发光子层、上述第二发光子层、上述第三发光子层中的各量子点材料对应的lumo逐步递增，且homo逐步递增。

可选地，在各个发光子层中，上述第二发光子层中的量子点材料对应的lumo最低，且homo最高。

进一步地，上述第一发光子层和上述第三发光子层的材料相同。

进一步地，上述第二发光层还包括第四发光子层，第五发光子层，上述第四发光子层位于上述第三发光层与上述第三发光子层之间，上述第五发光子层位于上述第三发光层与上述第四发光子层之间，各个发光子层均包括量子点材料。

进一步地，各上述发光子层中，上述第三发光子层中的量子点材料对应的lumo最低，且homo最高。

根据本公开的第二个方面，提供了一种显示装置，包括任一上述的电致发光器件。

通过上述结构的设置，一方面，可以提升并调节电子和空穴的注入，从而提升器件的发光效率；另一方面，主要发光中心控制在中间层的同时，界面处的量子点材料能有效减弱中心层qds/ctl之间的相互作用导致的量子点荧光淬灭，使器件的性能得到进一步的提升，进而电致发光器件实现较高的外量子效率。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本公开的进一步理解，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：

图1示出了一种实施例的电致发光器件的结构示意图；

图2示出了一种实施例的电致发光器件的能级结构示意图；

图3示出了一种实施例的电致发光器件的能级结构示意图；

图4示出了一种实施例的电致发光器件的能级结构示意图；

图5示出了一种实施例的电致发光器件的能级结构示意图。

附图标记：1、第二电极；2、电子传输层；3、第一发光层；4、第二发光层；5、第三发光层；6、空穴传输层；7、第一电极。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要说明的是，本公开的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面将更详细地描述根据本公开提供的技术方案的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本公开的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。

根据本公开的第一方面，提供了一种电致发光器件，包括第一电极，相对设置的第二电极，位于第一电极和第二电极之间且依次设置的空穴传输层，发光层，电子传输层，发光层包括依次设置的第一发光层、第二发光层、第三发光层；第一发光层包括第一量子点，第二发光层包括第二量子点，第三发光层包括第三量子点；第一发光层设置于电子传输层和第二发光层之间，第三发光层设置于空穴传输层和第二发光层之间；第三量子点的lumo大于第二量子点的lumo，第二量子点的lumo大于第一量子点的lumo，第一量子点的lumo大于电子传输层的材料的lumo，空穴传输层的材料的homo大于第三量子点的homo，第三量子点的homo大于第二量子点的homo，第二量子点的homo大于第一量子点的homo。电致发光器件的结构示意图参见图1，各个层的能级结构关系如图2所示。通过上述结构的设置，一方面，可以提升并调节电子和空穴的注入，从而提升器件的发光效率；另一方面，主要发光中心控制在中间层的同时，第一和第三发光层处的量子点材料能有效减弱中心层qds/ctl之间的相互作用导致的量子点荧光淬灭，使器件的性能得到进一步的提升，进而电致发光器件实现较高的外量子效率。

homo代表最高占有分子轨道，lumo代表最低未占据分子轨道。空穴传输层缩写为htl，电子传输层缩写为etl。电荷传输层缩写为ctl。空穴传输材料、量子点材料、电子传输材料不限，主要满足上述能级关系，优选可以进一步提高发光性能的材料。在一些实施例中，第一电极和空穴传输层之间还设置有空穴注入层。

在一些实施例中，第一量子点、第二量子点、第三量子点的荧光发射峰位两两相减的差均在5nm以内。从而使得电致发光器件的发光颜色较纯。

在一些实施例中，第二发光层的厚度大于第一发光层的厚度，也大于第三发光层的厚度。使得发光中心尽量在第二发光层。在一些实施例中，第二发光层包括一种或多种第二量子点。

在一些实施例中，第一量子点和第三量子点均具有配体，第一量子点和第三量子点的配体独立地选自有机配体或无机配体，优选为无机配体，提高第一或第三量子点的导电性。

在一些实施例中，有机配体选自c5～c22烯酸根，无机配体选自cl、br、f离子。

在一些实施例中，第一量子点的配体为第一有机配体，第二量子点的配体为第二有机配体，第一有机配体的c原子个数小于第二有机配体的c原子个数。第二量子点的第二有机配体的链长相对较长，有助于保护发光性能。

在一些实施例中，第二量子点的配体的c原子个数为c5～c22，且带有至少一个羧基，胺基，巯基中的一种或多种。

在一些实施例中，第三量子点的配体为第三有机配体，第三有机配体的c原子个数小于第二有机配体的c原子个数。第二量子点的第二有机配体的链长相对较长，有助于保护其发光性能。

在一些实施例中，第一量子点的配体为4-烯戊酸根配体，第二量子点的配体为十二烯酸配体，第三量子点的配体为4-烯戊酸根配体。从而第一量子点、第二量子点、第三量子点可以各自实现相互间的交联。

在一些实施例中，上述各发光层的量子点可以不交联。工艺方面，各个发光层的量子点溶液可以用不同正交溶剂，防止上层溶液溶解下层。当然，实现方式不限于此。

在一些实施例中，第一发光层包括交联的第一量子点，第二发光层包括交联的第二量子点，第三发光层为交联的第三量子点，第一发光层和第三发光层均还包括光引发剂。交联的发光层主要是从工艺的便利角度出发，防止上层溶液溶解下层。

在一些实施例中，空穴传输层的lumo大于第三量子点的homo，电子传输层的homo小于第一量子点的homo。

在一些实施例中，第二发光层包括第一发光子层，第二发光子层和第三发光子层，第一发光子层位于第一发光层与第二发光子层之间，第三发光子层位于第三发光层与第二发光子层之间，各个发光子层均包括量子点材料。

在一些实施例中，第一发光子层、第二发光子层、第三发光子层中的各量子点材料对应的lumo逐步递增，且homo逐步递增。能级结构关系如图3所示。多层梯度结构能进一步提升电子和空穴的注入效率。

在一些实施例中，在各个发光子层中，第二发光子层中的量子点材料对应的lumo最低，且homo最高。能级结构关系如图4所示。位于中心层的量子点lumo能级低于两侧，homo能级高于两侧，有利于电子和空穴更好地配对形成激子，复合发光。

在一些实施例中，第一发光子层和第三发光子层的材料相同。

在一些实施例中，第二发光层还包括第四发光子层，第五发光子层，第四发光子层位于第三发光层与第三发光子层之间，第五发光子层位于第三发光层与第四发光子层之间，各个发光子层均包括量子点材料。

发光子层的层数不限制，但从工艺角度，不宜过多，优选发光子层的层数为≥3的奇数。

在一些实施例中，五个发光子层中，第三发光子层中的量子点材料对应的lumo最低，且homo最高。能级结构关系如图5所示。位于中心层的量子点lumo能级低于两侧，homo能级高于两侧，有利于电子和空穴更好地配对形成激子，复合发光。

在一些实施例中，上述各发光子层的量子点可以不交联。工艺方面，各个发光子层的量子点溶液可以用不同溶剂，进行正交，防止上层溶液溶解下层。当然，实现方式不限于此。

在一些实施例中，各个发光子层均为量子点交联形成，各个发光子层还包括光引发剂。交联的发光子层主要是从工艺的便利角度出发，防止上层溶液溶解下层。

在一些实施例中，第二发光子层和第四发光子层的材料相同，第一发光子层和第五发光子层的材料相同。

根据本公开的第二个方面，提供了一种显示装置，包括上述任一的电致发光器件。电致发光器件具有较高的外量子效率，从而显示装置的发光效率更佳。

显示装置包括多种电致发光器件，每种电致发光器件发出不同的颜色的光。

下文中，参照具体实施例更详细地说明实施方式。然而，它们是本公开内容的示例性实例，并且本公开内容不限于此。

实施例1

1.准备ito玻璃

将背面刻有编号的ito玻璃片放入装有乙醇溶液的玻璃皿中，用棉签将ito面擦洗干净。依次用丙酮、去离子水、乙醇各自超声10分钟后，用氮气枪吹干。最后，将清洗好的ito玻璃片放置在氧气等离子体中继续清洗10分钟。

2.制备空穴注入层(hil)

将清洗完成的ito玻璃片在空气中分别旋涂上pedot:pss水溶液，转速为3000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后放置在空气中退火，退火温度150℃，退火时间30分钟。退火完成后快速将片子转移至氮气氛围的手套箱中。

3.制备空穴传输层(htl)

tfb(8-10mg/ml，氯苯溶液)将玻璃/ito/pedot:pss的片子继续旋涂上tfb的空穴传输层，转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后在手套箱中退火，退火温度为150℃(tfb)，退火时间为30分钟。

4.制备第三发光层

蓝光核壳量子点ⅰ(lumo：-3.5ev、homo：-6.3ev，4-烯戊酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂，得到量子点ⅰ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb的片子退火完成后继续旋涂量子点ⅰ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第二发光层材料。

5.制备第二发光层

蓝光核壳量子点ⅱ(lumo：-3.7ev、homo：-6.6ev，十二烯酸根配体)和微量(是量子点质量的0.1％～1％，下面实施例和对比例中质量比相同)光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅱ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ的片子继续旋涂量子点ⅱ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第一发光层材料。

6.制备第一发光层

蓝光核壳量子点ⅲ(lumo：-3.9ev、homo：-6.8ev，4-烯戊酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅲ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ发光层的片子继续旋涂量子点ⅲ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂etl材料。

7.制备电子传输层(etl)

zno纳米晶(30mg/ml，乙醇)的旋涂：将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ/qdsⅲ的片子以2000r/min的转速旋涂zno纳米晶溶液，旋涂45秒，120℃退火10min。

8.制备ag电极

将制备好的样品片子放入真空腔体，蒸镀顶部电极。前10nm时蒸镀速率控制在范围内，10nm后蒸镀速率提升为左右。银电极的厚度为100nm。

实施例2

准备ito玻璃、制备空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、第三量子点层、第一量子点层、电子传输层、银电极的步骤与实施例1相同。区别在于第二发光层的制备，具体如下：

制备发光子层a

蓝光核壳量子点ⅱ-1(lumo：-3.7ev、homo：-6.6ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅱ-1溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ的片子继续旋涂量子点ⅱ-1溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层b

蓝光核壳量子点ⅱ-2(lumo：-3.76ev、homo：-6.65ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅱ-2溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1的片子继续旋涂量子点ⅱ-2溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层c

蓝光核壳量子点ⅱ-3(lumo：-3.82ev、homo：-6.73ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅱ-3溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1/qdsⅱ-2的片子继续旋涂量子点ⅱ-3溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第一发光层材料。

实施例3

准备ito玻璃、制备空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、第三量子点层、第一量子点层、电子传输层、银电极的步骤与实施例1相同。区别在于第二发光层的制备，具体如下：

制备发光子层a

蓝光核壳量子点ⅱ-1(lumo：-3.7ev、homo：-6.7ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ的片子继续旋涂量子点ⅱ-1溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层b

蓝光核壳量子点ⅱ-2(lumo：-3.76ev、homo：-6.65ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1的片子继续旋涂量子点ⅱ-2溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层c

蓝光核壳量子点ⅱ-1(lumo：-3.7ev、homo：-6.7ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1/qdsⅱ-2的片子继续旋涂量子点ⅱ-1溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第一发光层材料。

实施例4

准备ito玻璃、制备空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、第三量子点层、第一量子点层、电子传输层、银电极的步骤与实施例1相同。区别在于第二发光层的制备，具体如下：

制备发光子层a

蓝光核壳量子点ⅱ-1(lumo：-3.7ev、homo：-6.6ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ的片子继续旋涂量子点ⅱ-1溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层b

蓝光核壳量子点ⅱ-2(lumo：-3.76ev、homo：-6.65ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1的片子继续旋涂量子点ⅱ-2溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层c

蓝光核壳量子点ⅱ-3(lumo：-3.82ev、homo：-6.73ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1/qdsⅱ-2的片子继续旋涂量子点ⅱ-3溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层d

蓝光核壳量子点ⅱ-2(lumo：-3.76ev、homo：-6.65ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1/qdsⅱ-2/qdsⅱ-3的片子继续旋涂量子点ⅱ-2溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂下一发光子层材料。

制备发光子层e

蓝光核壳量子点ⅱ-1(lumo：-3.7ev、homo：-6.6ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ-1/qdsⅱ-2/qdsⅱ-3/qdsⅱ-2的片子继续旋涂量子点ⅱ-1溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第一发光层材料。

实施例5

准备ito玻璃、制备空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、第二量子点层、第一量子点层、电子传输层、银电极的步骤与实施例1相同。区别在于第一、第二发光层的制备，具体如下：

制备第三发光层

蓝光核壳量子点ⅰ(lumo：-3.5ev、homo：-6.3ev，油酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb的片子退火完成后继续旋涂量子点ⅰ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成后继续旋涂第二发光层材料。

制备第一发光层

蓝光核壳量子点ⅲ(lumo：-3.9ev、homo：-6.75ev，油酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅲ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ发光层的片子继续旋涂量子点ⅲ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。交联完成可继续旋涂etl材料。

实施例6

除了制备第一和第三发光层外，其它条件与实施例1相同。

制备第三发光层

蓝光核壳量子点ⅰ(lumo：-3.5ev、homo：-6.3ev，4-烯戊酸根配体)，溶解于八烷溶剂，得到量子点ⅰ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb的片子退火完成后继续旋涂量子点ⅰ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒，旋涂完成后用二氯亚砜溶液进行原位配体交换，使得量子点的配体为氯离子。后退火，干燥后继续旋涂第二发光层材料。

制备第一发光层

蓝光核壳量子点ⅲ(lumo：-3.9ev、homo：-6.8ev，4-烯戊酸根配体)，溶解于八烷溶剂中，得到量子点ⅲ溶液。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb/qdsⅰ/qdsⅱ发光层的片子继续旋涂量子点ⅲ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒，旋涂完成后用二氯亚砜溶液进行原位配体交换，使得量子点的配体为氯离子。后退火，干燥后继续旋涂etl材料。

对比例1

准备ito玻璃、制备空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层、银电极的步骤与实施例1相同。区别在于量子点发光层的制备，具体如下：

制备发光层

蓝光核壳量子点ⅱ(lumo：-3.7ev、homo：-6.6ev，十二烯酸根配体)和微量光引发剂，溶解于八烷溶剂中。将玻璃/ito/pedot:pss/tfb的片子继续旋涂量子点ⅱ溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为45秒。旋涂完成后退火，365nm紫外光照5min。

利用photoresearch公司的pr670对上述各实施例和对比例得到的电致发光器件进行性能测试，测试结果中器件的最高外量子效率(eqe)如表1所示：

表1

从表1可以看出，各个实施例的外量子效率高于对比例。实施例5由于第一发光层和第二发光层的有机配体链长相对长，因此导电性略差，从而整体外量子效率提升水平不如其他实施例。

以上所述仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。