专利名称：半导体晶片模组及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片模组及其制造方法。
随着电脑的发展，中央处理器的速度越来越快，相对地与周边存储器的信号传输所能容许的时间延迟也需越短，并且随着存储器容量的持续增加，在主机板上的存储器数目也越来越多，但是，由于主机板的面积有限，使得存储器的数目的增加受到了限制。
本发明的目的在于提供一种半导体晶片模组及其制造方法，它能降低两晶元间的信号传输距离，增加印刷电路板的使用面积。
为了实现上述的发明目的，本发明半导体晶片模组的制造方法，它包含如下步骤提供一第一半导体晶元和一第二半导体晶元，该第一半导体晶元具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面，该第二半导体晶元具有一形成对应于第一半导体晶元的粘接垫的晶元安装表面；提供一具有第一与第二粘附表面的绝缘胶带层，该绝缘胶带层的第一粘附表面与第一半导体晶元的粘接垫安装表面粘接，并在第一半导体晶元的粘接垫处形成数个用于暴露对应的粘接垫的贯孔，在每个粘接垫与形成暴露对应粘接垫的贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间；在每个触点容置空间内形成一导电触点；以加热处理方式将第二半导体晶元的晶元安装表面与绝缘胶带层的第二粘接表面粘接，及将导电触点与第二半导体晶元的对应的粘接垫粘接，第二粘接表面的粘胶具有比导电触点的熔点低的熔点，在这些导电触点熔接第二半导体晶元的粘接垫之前，粘胶已熔接第二半导体晶元的晶元安装表面，且密封这些导电触点在触点容置空间内。
上述的半导体晶片模组的制造方法，还包含如下步骤将第二半导体晶元安装在一导线架上；以胶质材料作为外壳，将第一半导体晶元与第二半导体晶元包封起来。
上述的半导体晶片模组的制造方法，其中，在提供绝缘胶带层的步骤中，绝缘胶带层的第一粘附表面是以加热处理方式将第一粘附表面的粘胶熔接至晶片的粘接垫安装表面。
上述的半导体晶片模组的制造方法，其中，在形成导电触点的步骤中，是在每个触点容置空间内植入一作为导电触点的锡球。
上述的半导体晶片模组的制造方法，其中，在形成导电触点的步骤中，每个触点容置空间容置导电胶作为导电触点。
上述的半导体晶片模组的制造方法，其中，在形成导电触点的步骤中，先在每个触点容置空间内容置导电金属材料，再以化学电镀方式形成导电触点。
为了实现上述的发明目的，本发明半导体晶片模组，它包含一第一半导体晶元、一具有第一与第二粘附表面的绝缘胶带层及一第二半导体晶元。所述的第一半导体晶元具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面；所述的绝缘胶带层的第一粘附表面与所述的第一半导体晶元的粘接垫安装表面粘接，绝缘胶带层在第一半导体晶元的粘接垫处形成数个用于暴露对应的粘接垫的贯孔，每个粘接垫与形成暴露对应粘接垫的贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间，各触点容置空间容置一导电触点；第二半导体晶元具有一布设对应于这些导电触点的粘接垫的晶元安装表面，该第二半导体晶元的晶元安装表面是以加热处理方式粘附至绝缘胶带层的第二粘接表面，且这些导电触点也是以加热处理方式与第二半导体晶元的粘接垫粘接，第二粘接表面的粘胶熔点比导电触点的熔点低，该粘胶在这些导电触点熔接第二半导体晶元的粘接垫前已熔接第二半导体晶元的晶元安装表面而密封这些导电触点在触点容置空间内。
上述的半导体晶片模组，还包含一安装至第二半导体晶元的导线架，以及一包封第一与第二半导体晶元及该导线架一部份的胶质材料。
上述的半导体晶片模组，其中，绝缘胶带层的第一粘附表面具有粘胶，该绝缘胶带层以加热处理方式将第一粘附表面的粘胶熔接至第一半导体晶元的粘接垫安装表面。
上述的半导体晶片模组，其中，导电触点是由植入的一锡球形成。
上述的半导体晶片模组，其中，导电触点是由导电胶形成。
上述的半导体晶片模组，其中，导电触点是先在每个触点容置空间内容置导电金属材料，再以化学电镀方式形成。
由于采用了上述的技术解决方案，本发明半导体晶片模组及其制造方法具有如下优点
1．两晶元间的信号传输距离可缩至最小。
2．由于第一半导体晶元不需占用印刷电路板的使用面积，所以可增加印刷电路板的使用面积。
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明
图1～5是本发明较佳实施例半导体晶片模组的侧视示意图；图6是本发明较佳实施例组装两个第一半导体晶元的示意图；图7是本发明半导体晶片模组又另一实施例的示意立体图；图8是本发明另一较佳实施例的半导体晶片模组的侧视示意图；图9是本发明另一较佳实施例组装两个第一半导体晶元的示意图；图10～11是本发明另一较佳实施例另一种导电触点的侧视示意图。
如图1～3所示，本发明的半导体晶片模组4包含一第一半导体晶元40、一绝缘胶带层5及一第二半导体晶元6。
第一半导体晶元40具有一设置了数个粘接垫41的粘接垫安装表面42，在本实施例中，该第一半导体晶元40可以是一存储器。
绝缘胶带层5具有呈相对应的第一和第二粘附表面50、51，该第一粘附表面50是以加热处理方式粘附至半导体晶元40的粘接垫安装表面42，绝缘胶带层5是根据半导体晶元40的粘接垫41的位置，以激光方式设置数个贯孔52，使每个贯孔52暴露一对应的粘接垫41。
在各粘接垫41与形成暴露对应的粘接垫41的贯孔52的孔壁53之间形成一触点容置空间。该触点容置空间用于容置一由导电金属材料形成的导电触点54，在本实施例中，是将一锡球植入至触点容置空间内作为导电触点54。
第二半导体晶元6在其一晶元安装表面61上对应于这些导电触点54布设粘接垫60，在本实施例中，第二半导体晶元6可以为像数据处理器、图形处理器、特殊应用集成电路控制处理器式的中央处理器，第二半导体晶元6的晶元安装表面61是在加热处理下粘附至绝缘层5的第二粘附表面51，在本实施例中，由于第二粘附表面51的粘胶55具有比导电触点54低的熔点，因此，当加热处理时，在导电触点54熔化之前，第二粘附表面51的粘胶55已熔接至第二半导体晶元6的晶元安装表面60，使各触点容置空间内的导电触点54在熔化时都会被密封在该触点容置空间内，而不会与相邻的触点54接触。
如图4～5所示，第二半导体晶元6是用以往相同的方式装上导线架7，最后，再利用胶质材料作为外壳8，用以往相同的封装方式将第一半导体晶元40与第二半导体晶元6包封起来，就可形成本发明半导体晶片模组。
如图6所示，在第二半导体晶元6上是可装设两个或两个以上的第一半导体晶元40。
如图7所示，在本发明的另一实施例中，第二半导体晶元6是用以往相同的方式安装在一印刷电路板9上，并且是用以往相同的方式与该印刷电路板9的粘接垫90电气连接，最后，再利用胶质材料作为外壳8，用以往相同的封装方式将第一半导体晶元40与第二半导体晶元6包封起来。
如图8所示，与上述图6所示的实施例相同，在第二半导体晶元6上可装设两个或两个以上的第一半导体晶元40。
如图9所示，本发明也可将导电银胶般的导电胶容置在触点容置空间内作为导电触点54＇。
如图10、11所示，本发明还可将一导电金属材料56，例如金或铝球，先容置于触点容置空间内，然后，再以化学电镀方式形成导电触点57。
权利要求
1．一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于，它包含如下步骤提供一第一半导体晶元和一第二半导体晶元，该第一半导体晶元具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面，该第二半导体晶元具有一形成对应于第一半导体晶元的粘接垫的晶元安装表面；提供一具有第一与第二粘附表面的绝缘胶带层，该绝缘胶带层的第一粘附表面与第一半导体晶元的粘接垫安装表面粘接，并在第一半导体晶元的粘接垫处形成数个用于暴露对应的粘接垫的贯孔，在每个粘接垫与形成暴露对应粘接垫的贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间；在每个触点容置空间内形成一导电触点；以加热处理方式将第二半导体晶元的晶元安装表面与绝缘胶带层的第二粘接表面粘接，及将导电触点与第二半导体晶元的对应的粘接垫粘接，第二粘接表面的粘胶具有比导电触点的熔点低的熔点，在这些导电触点熔接第二半导体晶元的粘接垫之前，粘胶已熔接第二半导体晶元的晶元安装表面，且密封这些导电触点在触点容置空间内。
2．如权利要求1所述的一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于，所述的制造方法还包含如下步骤将第二半导体晶元安装在一导线架上；以胶质材料作为外壳，将第一半导体晶元与第二半导体晶元包封起来。
3．如权利要求1所述的一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于在提供绝缘胶带层的步骤中，绝缘胶带层的第一粘附表面是以加热处理方式将第一粘附表面的粘胶熔接至晶片的粘接垫安装表面。
4．如权利要求1所述的一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于在形成导电触点的步骤中，是在每个触点容置空间内植入一作为导电触点的锡球。
5．如权利要求1所述的一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于在形成导电触点的步骤中，每个触点容置空间容置导电胶作为导电触点。
6．如权利要求1所述的一种半导体晶片模组的制造方法，其特征在于在形成导电触点的步骤中，先在每个触点容置空间内容置导电金属材料，再以化学电镀方式形成导电触点。
7．一种半导体晶片模组，其特征在于它包含一第一半导体晶元、一具有第一与第二粘附表面的绝缘胶带层及一第二半导体晶元，所述的第一半导体晶元具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面；所述的绝缘胶带层的第一粘附表面与所述的第一半导体晶元的粘接垫安装表面粘接，绝缘胶带层在第一半导体晶元的粘接垫处形成数个用于暴露对应的粘接垫的贯孔，每个粘接垫与形成暴露对应粘接垫的贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间，各触点容置空间容置一导电触点；第二半导体晶元具有一布设对应于这些导电触点的粘接垫的晶元安装表面，该第二半导体晶元的晶元安装表面是以加热处理方式粘附至绝缘胶带层的第二粘接表面，且这些导电触点也是以加热处理方式与第二半导体晶元的粘接垫粘接，第二粘接表面的粘胶熔点比导电触点的熔点低，该粘胶在这些导电触点熔接第二半导体晶元的粘接垫前已熔接第二半导体晶元的晶元安装表面而密封这些导电触点在触点容置空间内。
8．如权利要求7所述的一种半导体晶片模组，其特征在于所述的模组还包含一安装至第二半导体晶元的导线架，以及一包封第一与第二半导体晶元及该导线架一部份的胶质材料。
9．如权利要求7所述的一种半导体晶片模组，其特征在于所述的绝缘胶带层的第一粘附表面具有粘胶，该绝缘胶带层以加热处理方式将第一粘附表面的粘胶熔接至第一半导体晶元的粘接垫安装表面。
10．如权利要求7所述的一种半导体晶片模组，其特征在于所述的导电触点是由植入的一锡球形成。
11．如权利要求7所述的一种半导体晶片模组，其特征在于所述的导电触点是由导电胶形成。
12．如权利要求7所述的一种半导体晶片模组，其特征在于所述的导电触点是先在每个触点容置空间内容置导电金属材料，再以化学电镀方式形成。
全文摘要
一种半导体晶片模组的制造方法,提供一第一、二半导体晶元,第一半导体晶元具有一形成数个粘接垫的粘接垫安装表面,第二半导体晶元具有一形成对应第一半导体晶元粘接垫的晶元安装表面,提供一具有第一、二粘附表面的绝缘胶带层,第一粘附表面与第一半导体晶元的粘接垫安装表面粘接,绝缘胶带层根据粘接垫形成数个用于暴露对应粘接垫的贯孔,每粘接垫与贯孔的孔壁之间形成一触点容置空间,在每个触点容置空间内形成一导电触点。
文档编号H01L21/02GK1279508SQ99108530
公开日2001年1月10日 申请日期1999年6月23日 优先权日1999年6月23日
发明者沈明东 申请人:沈明东