t)制备的导电糊，然后烧结施加的导电糊来形成。
[0077]图5A-1至图5B_2(沿图2的线B-B'、C_C'、D_D'和E_E'截取的剖视图)是示出根据本公开的示例性实施例的第一内电极121至第四内电极124的形状的平面图。
[0078]图6(沿图1的线A-A'截取的剖视图)示出了第一电容器部分和第二电容器部分。
[0079]参照图5A-1至图5B-2，在陶瓷主体110中，第一内电极121和第二内电极122可以交替地形成在第一介电层Illa上，第三内电极123和第四内电极124可以交替地形成在第二介电层Illb上。内电极121至124中的每个可以被分成主部分和引出部分(在图5A-1至图5B-2中，为了易于理解，由虚线示出了主部和引出部之间的边界部分)。内电极的“主部分”(在堆叠方向上彼此面对的第一内电极和第二内电极或第三内电极和第四内电极彼此叠置的部分)是对电容有贡献的主要部分，内电极的“引出部分”是从主部分延伸以连接到外电极的部分。
[0080]根据本公开的示例性实施例，如图5A-1和图5A-2中所示，第一内电极121可以包括暴露于陶瓷主体110的第一端表面5并连接到第一外电极131的第一引出部分121a。
[0081]另外，第二内电极122可以包括暴露于第一侧表面3并连接到第二外电极132的第二引出部分122a。
[0082]参照图5B-1和图5B-2，第三内电极123可以包括暴露于第二端表面6并连接到第三外电极133的第三引出部分123a。
[0083]另外，第四内电极124可以包括暴露于第二侧表面4并连接到第四外电极134的第四引出部分124a。
[0084]如图6中所示，第一介电层Illa与第一内电极121和第二内电极122可以形成第一电容器部分Cl,第二介电层Illb与第三内电极123和第四内电极124可以形成第二电容器部分C2。第二电容器部分C2可以沿厚度方向设置在第一电容器部分Cl下方。
[0085]上覆盖层可以设置在第一电容器部分的上侧上，下覆盖层可以设置在第二电容器部分的下侧上。
[0086]此外，陶瓷主体110可以被视为其中第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2彼此结合的主体。
[0087]同时，第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2可以独立地操作。
[0088]第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2可以具有彼此相同的电容。
[0089]根据本公开的示例性实施例，第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2可以被构造成具有彼此不同的数量的堆叠的介电层和内电极，以具有不同的电容。换言之，包括在第一电容器部分中的堆叠的第一介电层Illa的数量与包括在第二电容器部分中的堆叠的第二介电层Illb的数量可以彼此不同，因此，堆叠的第一内电极121和第二内电极122的数量与堆叠的第三内电极123和第四内电极124的数量可以彼此不同，从而第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2可以具有不同的电容。
[0090]此外,第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2可以通过使第一介电层和第二介电层具有不同的厚度或者包含不同的材料而具有不同的电容。
[0091]例如，如果需要，则第一电容器部分和第二电容器部分中的每个可以包括利用具有高介电常数的钛酸钡基材料的介电层。可选择地，第一电容器部分和第二电容器部分中的每个可以包括利用具有低介电常数的介电材料作为主要原料的介电层。
[0092]此外，第一电容器和第二电容器可以包括均由相同的材料形成并且具有相同的厚度和介电常数的介电层，或者可以包括其中的一些或全部由不同的材料形成并且具有不同的介电常数的介电层。
[0093]作为另一示例，考虑到电容，第一电容器部分和第二电容器部分可以被构造成，使得高电容电容器部分包括利用具有相对高的介电常数的介电材料的介电层，低电容电容器部分包括利用具有相对低的介电常数的介电材料的介电层。
[0094]然而，在根据本公开的电容器部分的情况下，例如，即使在高电容电容器部分的情况下，电容器部分可以具有各种形状和结构，例如，通过增加堆叠的介电层的数量同时利用具有低介电常数的介电层来增大等效串联电阻(ESR)值。
[0095]因此，根据本公开的示例性实施例，可以通过调整每个电容器部分中的内电极和堆叠的介电层的数量来以单片实现具有不同电容的多个电容器部分。
[0096]图7是示出根据本公开的示例性实施例的阵列式多层陶瓷电子组件的电流路径的平面图。
[0097]如图7中所不,第一电容器部分Cl可以具有使第一外电极131和第二外电极132彼此连接的电流路径，第二电容器部分C2可以具有使第三外电极133和第四外电极134彼此连接的电流路径。
[0098]根据本公开的不例性实施例，形成在每个电容器部分上的一对外电极(例如，电极131和132)设置在陶瓷主体的彼此相邻的表面上，而不是陶瓷主体的彼此相对的表面上，从而可以减少电流路径，由此减小相应的电容器部分的等效串联电阻(ESR)值。
[0099]根据本公开的示例性实施例，第一外电极131和第三外电极133可以是被供以来自外部的电流的信号电极，第二外电极132和第四外电极134可以是用于接地的接地电极。
[0100]当第一外电极131和第三外电极133是信号电极,第二外电极132和第四外电极134是接地电极时，在第一电容器部分中，电流可以从第一外电极131流动到第二外电极132以形成电容，在第二电容器部分中，电流可以从第三外电极133流动到第四外电极143以形成电容。在这种情况下，如图7中所示，第一电容器部分和第二电容器部分的电流方向可以彼此相反。第一电容器部分和第二电容器部分的电流可以沿彼此相反的方向形成，使得由相应的电流导致的磁场可以彼此抵消。因此，可以减小阵列式多层陶瓷电子组件的等效串联电阻(ESR)。
[0101]同时，如图6中所示，在包括在第一电容器部分Cl中的第一内电极121和第二内电极122中，第一电容器部分的最下方的内电极可以是第二内电极，在包括在第二电容器部分C2中的第三内电极123和第四内电极124中，第二电容器部分的最上方的内电极可以是第四内电极。
[0102]此外，根据本公开的示例性实施例，如上所述，第一电容器部分的最下方的第二内电极和第二电容器部分的最上方的第四内电极可以被设置成彼此面对，介电层设置在它们之间。
[0103]通常，当第一电容器部分和第二电容器部分沿厚度方向堆叠时，为了防止寄生电容形成在第一电容器部分和第二电容器部分之间，其上未形成有内电极的缓冲层需要设置在第一电容器部分和第二电容器部分之间。
[0104]然而，根据本公开的示例性实施例，分别连接到接地电极132和接地电极134的第二内电极122和第四内电极124被设置成在第一电容器部分和第二电容器部分彼此接触的区域中彼此相邻，从而可以省略在第一电容器部分Cl和第二电容器部分C2之间形成缓冲层。
[0105]当具有不同极性的内电极被设置成彼此面对且介电层位于它们之间时，可以形成电容。此外，与本公开的不例性实施例不同，在第一电容器部分的最下方的内电极和第二电容器部分的最上方的内电极具有不同的极性时，可以形成寄生电容。当厚的缓冲层形成在第一电容器部分和第二电容器部分之间以防止形成这种寄生电容时，可以增加陶瓷主体的厚度。
[0106]然而，根据本公开的示例性实施例，设置在第一电容器部分的底部上的第二内电极、设置在第二电容器部分的顶部上的第四内电极以及在它们之间存在的一个介电层(可以形成为具有与第一介电层或第二介电层相似的厚度)不会产生寄生电容，并且可以用作缓冲层，同时实际上可以省略缓冲层。
[0107]图8是根据本公开的示例性实施例的用于描述阵列式多层陶瓷电子组件的电路布线连接结构的图。
[0108]根据本公开的示例性实施例，如图8中所示，即使当根据本公开的阵列式多层陶瓷电子组件连接到彼此平行的两个信号布线LI和L2时，阵列式多层陶瓷电子组件也可以连接到电路，而不需要使布线图案弯曲。
[0109]在下文中，将描述根据本公开的示例性实施例的阵列式多层陶瓷电子组件的制造方法。
[0110]首先，可以制备多个第一陶瓷片和第二陶瓷片。
[0111]将形成陶瓷主体的第一介电层和第二介电层的第一陶瓷片和第二陶瓷片可以通过下述工艺来制造，即，混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂等以制备浆料并通过刮片法等将制备的浆料制造成具有若干μm的厚度的片。
[0112]然后，可以通过在第一陶瓷片的一个表面上将导电糊印刷成预定厚度来分别形成第一内电极和第二内电极，并可以通过在第二陶瓷片的一个表面上将导电糊印刷成预定厚度来分别形成第三内电极和第四内电极。
[0113]对于导电糊的印刷方法，可以使用丝网印刷法或凹版印刷法等，导电糊可以包含金属粉末、陶瓷粉末、二氧化硅(S12)粉末等。
[0114]对于金属粉末，可以使用诸如银(Ag)、铅(Pd)或钯(Pt)等的贵金属、镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)、铜(Cu)或它们的合金中的至少一种或更多种。
[0115]然后，可以堆叠其上形成有第一内电极和第二内电极的多个第一陶瓷片，使得第一内电极和第二内电极彼此相对，第一陶瓷片位于其之间，并可以其上形成有堆叠第三内电极和第四内电极的多个第二陶瓷片，使得第三内电极和第四内电极彼此相对，第二陶瓷片位于其之间，从而形成第一电容器部分和第二电容器部分。
[0116]在这种情况下，第一电容器部分和第二电容器部分可以形成为具有不同的电容。
[0117]此外，可以利用具有不同介电常数的第一陶