应的光刻胶层7已通过 显影处理去除，可首先对完全透光区域81对应的绝缘层2进行干刻工艺。之后，更换干刻 气体，对光刻胶层7进行刻蚀工艺。
[0045] 由于部分透光区域82对应的光刻胶层7的厚度经过显影处理之后，剩余的厚度小 于不透光区域83对应的光刻胶层7的厚度；因此，可通过控制干刻气体的浓度和流通速度 等参数，对整个光刻胶层7进行刻蚀工艺，完全去除部分透光区域82对应的光刻胶层7,同 时保证不透光区域83仍存留有光刻胶层7。
[0046] 部分透光区域82对应的光刻胶层7去除后，暴露出部分绝缘层2。此时，可再次更 换干刻气体，对所暴露出的绝缘层2进行刻蚀处理、减小这部分绝缘层2的厚度。
[0047] 或者，也可将对应于光刻胶的干刻气体和对应于绝缘层2的干刻气体进行掺杂， 利用该掺杂气体，同时对该阵列基板上的光刻胶层7和绝缘层2进行干刻处理。
[0048] 需要说明的是，对光刻胶层7的部分透光区域82对应的绝缘层2进行干刻处理 后，应保证这部分被干刻处理之后的绝缘层2仍然能够完全覆盖其所对应的导电层1。
[0049] 步骤S104、去除绝缘层未覆盖区域的导电层，形成导电层的结构。
[0050] 如图5所示，对绝缘层2进行干刻处理、形成绝缘层2的图案后，可以绝缘层2作 为掩膜，对位于绝缘层2之下的导电层1进行处理。通过湿刻工艺，去除绝缘层2未覆盖区 域的导电层1，形成导电层1的结构。此时，作为公共电极层的导电层1的图案化处理完毕。
[0051] 由于本发明实施例中采用绝缘层2作为刻蚀导电层1的掩膜，降低了对半曝光技 术后所生成的光刻胶层7的部分保留区域的质量要求（例如膜厚均匀性等）。此时即使光 刻胶层7的部分保留区域出现镂空等不良现象，也不易影响到绝缘层2对下层待刻蚀的导 电层1的掩蔽性，保证了刻蚀后的导电层1可以形成与预设定相符的结构，保证了半曝光技 术的成功率，提高了阵列基板的良品率。
[0052] 步骤S105、去除剩余的光刻胶层以及部分透光区域对应的绝缘层。
[0053] 如图6所示，在图5所示的阵列基板的结构的基础上，再次通过干刻处理，先后或 同时去除剩余的光刻胶层7、以及光罩8的部分透光区域82对应的绝缘层2。
[0054] 由于在本发明中，已预先将部分透光区域82对应的绝缘层2的厚度减小。因此，若 是在此步骤中处理不当，导致在将部分透光区域82对应的绝缘层2去除之前、剩余的光刻 胶层7已被完全去除，仍可继续对绝缘层2进行干刻处理、形成所需要的绝缘层2的图形， 且干刻处理后的绝缘层2的厚度仍然可以保证绝缘效果。
[0055] 需要注意的是，在进行干刻处理时，应当控制干刻气体的浓度、流通速度等参数。 并且需要在部分透光区域82对应的绝缘层2被完全去除后，立刻停止干刻处理，以免不需 去除的绝缘层2遭到过度刻蚀、影响其的绝缘效果。
[0056] 之后，在图6所示的结构的基础上，如图7所示，先后制作形成平坦层9、像素电极 层10等多层结构，即可完成该阵列基板的制备工艺。
[0057] 进一步的，随着智能电子产品的普及，电容式触控屏被广泛的应用于手机、平板 电脑等各种电子产品中。目前较为多见的电容式触控屏有〇GS(OneGlassSolution)、 on-cell和in-cell三种技术。其中，in-cell技术由于其制作工艺上的优势，相比0GS技 术和on-cell技术，具有更加轻薄、透光性更好、结构更加稳定等优点。
[0058] 因此，如图7所示，本发明实施例中的阵列基板还包括位于公共电极层上的、提供 触控信号的触控层金属线11，采用显示与触控分时扫描的驱动方式，即可利用公共电极层 实现该阵列基板的触控功能。具体的：在显示图像时，公共电极层为相应的像素单元提供公 共电压，使公共电极层与像素电极层10之间形成电场，并且一个公共电极层可以对应一个 或多个像素单元；在触控扫描时，公共电极层作为寻址电极，用于传输触控信号，供位于阵 列基板边缘的处理芯片分析、判断触控信号发生处，使得阵列基板甚至整个显示装置可以 根据该触控信号进行响应。
[0059] 需要说明的是，本发明实施例所提供的制备方法并不仅仅适用于对公共电极层及 位于其之上的绝缘层2进行构图工艺，只要可利用同一道半色调光罩工艺或灰色调光罩工 艺、且采用不同的刻蚀工艺的两层结构均适用于本发明实施例所提供的阵列基板的制备方 法。
[0060] 因此，本发明实施例中的绝缘层2的材质为硅、硅的氮化物或硅的氧化物等适用 干刻工艺的绝缘材质；另外，导电层1的材质除了为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌等金 属氧化物之外，还可为阵列基板上常用的金属。
[0061] 虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采 用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本 发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化， 但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 形成待刻蚀的导电层； 在所述导电层之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成光刻胶层； 进行半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺，去除光罩的完全透光区域对应的绝缘层，并 去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度； 去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层，形成所述导电层的结构； 去除剩余的光刻胶层W及所述部分透光区域对应的绝缘层。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除光罩的完全透光区域对应的光刻胶 层和绝缘层，并去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层 的厚度包括： 通过干刻工艺，去除所述光罩的完全透光区域对应的绝缘层，并去除部分透光区域对 应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层，形 成所述导电层的结构包括： 通过湿刻工艺，去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层，形成所述导电层的结构。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的材质为氧化铜锡、氧化铜锋 或氧化铜嫁锋。
5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阵列基板的驱动采用边缘场开关技 术，所述导电层为所述阵列基板上的公共电极层。
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述绝缘层的材质为娃、娃的氮化物或娃的氧化物。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述导电层的材质为金属。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 所述部分透光区域的光强透过率为30%?50%。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板的制备方法，属于显示技术领域，提高了半曝光技术的成功率，并且提高了阵列基板的良品率。该阵列基板的制备方法包括：形成待刻蚀的导电层；在所述导电层之上形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成光刻胶层；进行半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺，去除所述光罩的完全透光区域对应的绝缘层，并去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度；去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层，形成所述导电层的结构；去除剩余的光刻胶层以及所述部分透光区域对应的绝缘层。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
【IPC分类】H01L21-77, G02F1-1343
【公开号】CN104576527
【申请号】CN201410856151
【发明人】杜海波, 申智渊, 明星, 虞晓江
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月31日