沿高度方向以规定间隔朝向晶圆承载器的中心突出状设置。各个支柱13上同一层的晶圆承载部14具有相同的高度，以使晶圆被保持在水平方向上。其中，每一个晶圆承载部具有从支柱内侧面水平延伸的上表面141，在径向向内的方向上从该晶圆承载部的上表面141向下凹陷形成的第一凹陷台阶，以及从第一凹陷台阶的水平台阶面142向下凹陷形成的第二凹陷台阶。这里所说的第一凹陷台阶由水平台阶面142和侧壁144限定，侧壁144从水平台阶面142延伸至上表面141 ;第二凹陷台阶由水平台阶面143和侧壁145限定，侧壁145从水平台阶面143延伸至水平台阶面142。侧壁144、145可以是垂直侧壁，或在连接水平面处具有弯角或倒角。由此，水平台阶面142的高度要低于上表面141，水平台阶面143的高度要低于水平台阶面142 ;另一方面上表面141至晶圆承载器中心的最大距离(即支柱内侧面至晶圆承载器中心的距离)要大于水平台阶面143至晶圆中心的最大距离(即侧壁145至晶圆承载器中心的距离)。如此一来，晶圆承载部的上表面141和第二凹陷台阶的水平台阶面143就能够同时承载不同尺寸的晶圆W1、W2，并且不同尺寸的晶圆通过第一凹陷台阶和第二凹陷台阶避免了两者同时被承载时彼此相互干扰接触。在本实施例中，晶圆承载部上表面141上可放置尺寸较大的300mm直径的晶圆W2 ;而水平台阶面143上可同时放置尺寸较小的200mm直径的晶圆Wl。较佳的，第一凹陷台阶和第二凹陷台阶的深度之和为5.5?6.5mm，在这一范围内能够同时兼顾不同尺寸晶圆相互不发生干扰以及生产效率。第二凹陷台阶和由上表面141与支柱13内侧面形成的空间分别对较小尺寸的晶圆Wl和较大尺寸的晶圆W2起到限定位置作用，晶圆被承载时其边缘靠近或接触相应的侧壁145或支柱13内侧面，这样即使在晶圆承载器发生较大晃动或是突然转动或突然停止转动时，晶圆不会大距离滑动碰撞，利于机械手取片。一般来说，尺寸较小的晶圆其厚度也较薄，因此侧壁145的高度可小于侧壁144的高度，如图所示。请继续参考图3，在本实施例中晶圆承载部14的下表面146呈一级台阶状，且该一级台阶与上表面及第一凹陷台阶相适应，因此下表面146仅在对应于侧壁144处发生一次下凹，在对应于侧壁145处保持水平面。
[0025]图6和图7所示为本发明另一实施例的晶圆承载器的立体示意图和局部剖视图，与上述实施例不同的是，本实施例中晶圆承载部下表面146’呈水平面，并不随两个凹陷台阶而下凹，由此结构更为简单、紧凑，制作成本也相对较低。
[0026]根据本发明当要进行晶圆热处理时，首先提供上述的晶圆承载器，然后通过晶圆承载器同时保持不同尺寸的多个晶圆，之后将晶圆承载器容纳于工艺管内，对不同尺寸的这些晶圆进行热处理。
[0027]综上所述，本发明通过在晶圆承载器中设计形成连续的两个凹陷台阶的晶圆承载部，能够通过晶圆承载部的上表面和第二凹陷台阶的水平台阶面同时保持不同尺寸的晶圆；此外，通过两个凹陷台阶使得两片不同尺寸的晶圆被保持的同时相互隔开，彼此不产生干扰，提高了可靠性，摆脱了现有技术的晶圆承载器仅能同时保持一种尺寸的晶圆的限制，提高了晶圆承载器的通用性和使用效率。本发明的晶圆承载器可以兼容针对不同尺寸晶圆(如8寸的12寸)的工艺设备，不仅可以成倍节约设备的成本投入，更可增加生产线投产的灵活性，应对不同的客户需求。
[0028]虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
【主权项】
1.一种晶圆承载器，其特征在于，包括: 以一定距离相互平行间隔设置的顶板和底板； 连接所述顶板和底板的多根支柱； 沿高度方向以规定间隔从每一所述支柱的内侧面径向向内突出的多个晶圆承载部； 其中，每一所述晶圆承载部在径向向内方向上具有第一凹陷台阶和第二凹陷台阶，所述第一凹陷台阶从该晶圆承载部的上表面向下凹陷形成且具有第一水平台阶面，所述第二凹陷台阶从所述第一水平台阶面向下凹陷形成且具有第二水平台阶面； 其中，每一所述晶圆承载部的上表面和所述第二水平台阶面用于同时承载不同尺寸的晶圆，且所述不同尺寸的晶圆通过所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶隔开。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述晶圆承载部的下表面为水平面。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述晶圆承载部的下表面呈与所述上表面及第一凹陷台阶相适应的一级台阶状。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述上表面用于承载直径为300mm的晶圆，所述第二凹陷台阶的台阶面用于承载直径为200mm的晶圆。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶的深度之和为5.5?6.5mm。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一凹陷台阶由所述第一水平台阶面以及从所述第一水平台阶面延伸至所述第一表面的第一侧壁限定，所述第二凹陷台阶由所述第二水平台阶面以及从所述第二水平台阶面延伸至所述第一凹陷台阶的台阶面的第二侧壁限定。
7.一种热处理装置，其特征在于，包括: 如权利要求1?7任一项所述的晶圆承载器； 收纳该晶圆承载器并对该晶圆承载器所保持的晶圆进行热处理的工艺管；以及 对该工艺管收纳的所述晶圆加热的加热器。
8.一种热处理方法，其特征在于，包括: 提供如权利要求1?6任一项所述的晶圆承载器； 通过该晶圆承载器保持不同尺寸的多个晶圆； 通过将该晶圆承载器容纳于工艺管内对所述多个晶圆进行热处理。
【专利摘要】本发明公开了一种晶圆承载器，包括顶板，底板，连接顶板和底板的多根支柱，以及沿高度方向以规定间隔从每一支柱的内侧面径向向内突出的多个晶圆承载部。其中，每一晶圆承载部在径向向内方向上具有第一凹陷台阶和第二凹陷台阶，所述第一凹陷台阶从该晶圆承载部的上表面向下凹陷形成且具有第一水平台阶面，所述第二凹陷台阶从所述第一水平台阶面向下凹陷形成且具有第二水平台阶面。其中，每一晶圆承载部的上表面和所述第二水平台阶面用于同时承载不同尺寸的晶圆，且所述不同尺寸的晶圆通过所述第一凹陷台阶和第二凹陷台阶隔开。本发明的晶圆承载器能够同时可靠承载不同尺寸的晶圆，提高了晶圆承载器的通用性和使用效率。
【IPC分类】H01L21-02, H01L21-67, H01L21-687
【公开号】CN104600020
【申请号】CN201510055590
【发明人】孙少东
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月3日