支撑单元以及包括其的基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板处理装置，更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理
目.0
【背景技术】
[0002]为了制造半导体元件，对基板执行照相平板印刷(photolithography)、蚀亥I」、灰化(ashing)、离子注入、薄膜沉积以及洗涤等多种工序而在基板上形成所需的图案。其中，蚀刻工序作为除去形成在基板上的膜中的被选择的区域的工序而使用湿式蚀刻和干式蚀刻。
[0003]其中，为了进行干式蚀刻，使用利用了等离子体的蚀刻装置。一般来说，为了形成等离子体，要在腔室的内部空间形成电磁场，而电磁场将提供到腔室内的工艺气体激发为等离子体状态。
[0004]等离子体是指由离子或电子、原子团等构成的离子化的气体状态。等离子体通过很高的温度或强电场或高频电磁场(RF Electromagnetic Fields)而生成。半导体元件制造工序中使用等离子体执行蚀刻工序。通过等离子体含有的离子粒子与基板碰撞而执行蚀刻工序。
[0005]一般来说，静电吸盘包括支撑板和金属材质的机体。支撑板与机体通过硅树脂(silicone)或丙稀酸等有机粘结剂(bonder)进行相互接合。但是，娃树脂虽然耐热性优秀，但是热阻较低。因此，虽然不会由于在基板处理工序中产生的热而受到损伤，但存在不能有效地阻断热在机体与支撑板之间移动的问题。丙烯酸虽然热阻优秀，但是耐热性存在问题。虽然丙烯酸能在支撑板与机体之间防止热损耗，但是，存在会由于在基板处理工序中产生的热而受到损伤的问题。
[0006]如上所述，当前使用的有机粘结剂会由于耐热性降低而产生静电吸盘温度不均，从而造成寿命降低，以及工序温度上升有限，并且还存在在执行高温工序的过程中有机粘结剂化掉的问题。
【发明内容】
_7] 本发明要解决的技术问题
[0008]本发明的目的在于，提供一种在基板处理工序中使用的静电吸盘的内部的耐热性优秀的支撑单元的制造方法以及包括该支撑单元的基板处理装置。
[0009]本发明要解决的问题不限定于上述的课题，根据本说明书以及附图，本发明所属领域技术人员应能清楚地理解尚未提及的技术。
_0] 技术方案
[0011]根据本发明的一个侧面，提供一种支撑单元制造方法，该制造方法提供:由非导电性材质构成并支撑基板的支撑板；以及配置在所述支撑板的下方并由包括导电性物质的材质构成的底板，在所述支撑板的底面沉积金属膜，通过铜焊来结合所述金属膜与所述底板。
[0012]此外，可以在所述支撑板与所述底板之间提供金属材质的填料，将所述填料作为媒介进行结合。
[0013]此外，为了最小化由底板与所述支撑板的热膨胀率差异而造成的热应力，所述底板可以为在所述导电性物质中混合添加物质的导电性复合材质。
[0014]此外，所述导电性物质包括钛(Ti)或Al(铝)，所述添加物质可以包括碳化硅(SiC)、氧化销(Al2O3)、娃(Si)、石墨(Graphite)、玻璃纤维中的任意一种。
[0015]此外，所述添加物质可以是热膨胀率比所述导电性物质与所述支撑板的材质间的热膨胀率的差异小的物质。
[0016]此外，所述导电性复合物质可以包括10-70%的所述添加物质。
[0017]此外，所述金属膜可以通过真空沉积或镀覆而沉积在所述支撑板的底面。
[0018]此外，所述金属膜可以是钛(Ti)、镍(Ni)、银(Ag)中的任意一种。
[0019]此外，关于所述金属膜的底面或所述底板的上表面或金属沉积膜的形态，为了最小化由热膨胀而造成的应力提供有凹凸部，所述凹凸部可以提供为网孔(mesh)形态或压纹形态。
[0020]此外，所述填料可以包括铝(Al)。
[0021]此外，可以在所述填料内提供有在高温加热时缓冲热膨胀的金属网。
[0022]此外，所述金属网可以具有20?80%的孔隙率。
[0023]根据本发明的一个侧面，提供一种基板支撑单元，其包括:包括用静电力吸附基板的电极，在底面沉积有金属膜的非传导性材质的支撑板；以及位于所述支撑板的下部，连接有高频电源，并通过铜焊与所述金属膜结合的底板。
[0024]此外，关于所述金属膜的底面或所述底板的上表面或金属沉积膜的形态，为了最小化由热膨胀而造成的应力提供有凹凸部，所述凹凸部可以提供为网孔形态或压纹形态。
[0025]此外，为了最小化由底板与所述支撑板的热膨胀率差异造成的热应力，所述底板可以为在导电性物质中添加了碳化娃(SiC)、氧化销(Al2O3)、娃(Si)、石墨(Graphite)、玻璃纤维中的任意一种的导电性复合材质。
[0026]此外，还可以包括接合部，该接合部位于所述金属膜与所述底板之间，以填料为媒介来固定所述金属膜和所述底板。
[0027]此外，所述接合部还可以在内部包括金属网。
[0028]根据本发明的一个侧面，提供一种基板处理装置，包括:在内部具有处理空间的腔室；位于所述腔室内，支撑基板的支撑单元；向所述处理空间供给工艺气体的气体供给单元；以及由所述工艺气体产生等离子体的等离子体源。其中，所述支撑单元包括:包括用静电力吸附基板的电极，在底面沉积有金属膜的非传导性材质的支撑板；位于所述支撑板的下部，连接有高频电源的底板；以及位于所述支撑板与所述底板之间，通过铜焊来接合所述支撑板与所述底板的金属材质的填料。
[0029]此外，为了最小化由底板与所述支撑板的热膨胀率差异造成的热应力，所述底板可以为在导电性物质中添加了碳化娃(SiC)、氧化销(Al2O3)、娃(Si)、石墨(Graphite)、玻璃纤维中的任意一种的导电性复合材质。
[0030]此外，所述填料还可以在内部包括金属网。
[0031 ] 此外，所述填料可以以金属网形态提供。
[0032]有益效果
[0033]根据本发明的一实施例，能提供一种耐热性强的支撑单元。
[0034]根据本发明的一实施例，能使由支撑板与底板间的热膨胀率差异造成的热应力最小化，从而防止支撑板的碎裂现象、弯曲(bending)现象等。
[0035]本发明的效果不限定于上述的效果，根据本说明书以及附图，本发明所属领域技术人员应能清楚地理解尚未提及的效果。
【附图说明】
[0036]图1是示出本发明的一实施例的基板处理装置的剖视图。
[0037]图2是示出图1的支撑单元的支撑板的一实施例的平面图。
[0038]图3是示出从图2的线X-X’观察的支撑单元的支撑板的剖视图。
[0039]图4是概略性地示出图1的支撑单元的构成要素的分解图。
[0040]图5是示出支撑单元制造方法的顺序图。
[0041]图6是示出静电吸盘的变形例的图。
[0042]图7是示出静电吸盘的另一变形例的图。
[0043]图8是示出静电吸盘的另一变形例的图。
【具体实施方式】
[0044]以下，参照附图对本发明的实施例进行更详细的说明。本发明的实施例可以以多种形态进行变形，本发明的范围不应解释为限定于以下的实施例。本实施例是为了对本领域技术人员更完整地说明本发明而提供的。因此，为了更明确地强调说明，附图中的要素的形状被有所夸张。
[0045]图1是示出本发明的一实施例的基板处理装置的剖视图。
[0046]参照图1，基板处理装置10利用等离子体对基板W进行处理。例如，基板处理装置10可以利用等离子体对基板W执行蚀刻、洗涤、灰化等工序。基板处理装置10包括腔室100、支撑单元200、等离子体源300、气体供给单元400、以及阻板(baffle)单元500。
[0047]腔室100在内部提供执行基板处理工序的处理空间。腔室100具有内部的处理空间，以密闭的形状提供。腔室100提供为金属材质。腔室100可以提供为铝材质。腔室100可以接地。在腔室100的底面形成有排气孔102。排气孔102与排气线151连接。在工序过程中产生的反应副产物以及停留在腔室的内部空间的气体可以通过排气线151向外部排出。通过排气过