一种互连电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种互连电路的制作方法。
【背景技术】
[0002]目前，传统的LED封装的基板都采用金属铝、易导热的塑料或者陶瓷材料，由于这些材料不透明，导致使用这些材料的灯具照明角度有限。为提高照明角度，目前的技术是在透明陶瓷基板上通过丝网印刷形成银互联电路，然后焊接单个或多个LED灯珠(或芯片)，使其嵌入互联电路来实现照明。
[0003]但是，目前基板使用透明陶瓷，成本还是比较高，通过丝网印刷形成的银线，银浆与基板结合是通过高温烧结，使其胶质成分固化后与基板产生结合力，但高温受热后反而导致容易脱落，其与基板的结合力不是很强，且目前用于丝网印刷的银浆虽然有助焊作用，但实际应用中，其焊接能力还是较弱，LED灯珠有时难于焊接到银焊点上，导致良率不高。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种互连电路的制作方法，其成本低，透光性好结构牢固。
[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0006]一种互连电路的制作方法，其包括:
[0007]提供非导电的氧化物基板；
[0008]在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层；
[0009]在所述结合层上沉积种子层，所述结合层用于增加所述非导电的氧化物基板和所述种子层的粘合力；
[0010]在所述种子层上覆光阻材料层，通过曝光、显影去除光阻材料层的未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形，在凹槽图形区域露出种子层；
[0011]在所述凹槽图形区域的种子层上电镀得到电镀层；
[0012]蚀刻掉非凹槽图形区域的光阻材料层，及光阻材料层下的种子层和结合层。
[0013]进一步的，所述方法中在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层之前还包括对非导电的氧化物基板进行超声波清洗或化学清洗的步骤。
[0014]优选的，所述非导电的氧化物基板为玻璃基板或蓝宝石基板。
[0015]所述方法中进一步包括步骤:在电镀层上电镀保护层。
[0016]优选的，所述保护层为电镀锡、电镀镍、电镀银、电镀金、化学镀锡、化学镀镍、化学镀银或化学镀金。
[0017]优选的,所述结合层为Ti系列金属层,其厚度为1nm?50nm。
[0018]优选的，所述Ti系列金属层为Ti金属层、TiNx金属层或TiW金属层。
[0019]优选的，所述光阻材料层为干膜。
[0020]优选的，所述种子层和电镀层为铜层或镍层，所述种子层的厚度为50nm?500nm。
[0021]本发明采用以上设计方案，采用电镀的方法取代丝网印刷制作银互联电路，解决了线路从基板脱线和LED灯珠器件嵌入电路中的焊接问题，且通过增加一层结合层增加了种子层与非导电的氧化物基板的粘合力，使得整个结构更加牢靠，而且非导电的氧化物基板相对成本低，透光性好。
【附图说明】
[0022]图1为本发明曝光显影前的结构示意图；
[0023]图2为本发明曝光显影后的结构示意图；
[0024]图3为本发明镀上电镀层的结构示意图；
[0025]图4为本发明蚀刻后的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0027]如图1、图2所示、图3和图4所示，为本发明过程结构示意图，本发明包括以下步骤:
[0028]S1:在经过清洗后的非导电的氧化物基板I上，采用物理气相沉积(PVD)的方法如可采取蒸镀方法，来沉积结合层2和种子层3。其中清洗可采用超声波清洗。
[0029]S2:在种子层3上覆一层光阻材料层4，其中光阻材料层4为干膜。然后用曝光机复制预先制作好的菲林图形，再通过显影工艺去除未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形5，凹槽图形5区域内露出种子层3。
[0030]S3:最后通过电镀工艺在凹槽图形5上镀满电镀层6，电镀层6完成后，在其表面电镀一层保护层7，保护层7可对电镀层6进行保护和方便后续焊接工作。
[0031]S4:最后，通过去除掩膜干膜和刻蚀掉掩膜干膜下的种子层3和结合层2，得到目标图形。
[0032]本实施例子中，非导电的氧化物基板I采用玻璃基板，种子层3采用铜种子层，种子层3的厚度为50nm，相应的电镀层6也为铜层，结合层2为Ti金属层，结合层3的厚度为10nm，保护层7采用锡层。
[0033]实际应用中，非导电的氧化物基板I也可以采用蓝宝石基板，种子层3也可以采用镍种子层，种子层的厚度可以为500nm或50nm?500nm之间的任一数值,结合层2的厚度可为1nm?50nm之间的任一数值,结合层2也可以采用其他Ti系列金属层,如TiNx金属层或TiW金属层。
[0034]本发明采用电镀的方法取代丝网印刷制作银互联电路，解决了线路从基板脱线和LED灯珠器件嵌入电路中的焊接问题，且通过增加一层结合层增加了种子层与非导电的氧化物基板的粘合力，而且非导电的氧化物基板相对成本低，透光性好。电镀层上使用化学镀或电镀的方法覆一层锡层来增强焊接LED器件能力。
[0035]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种互连电路的制作方法，其特征在于，包括: 提供非导电的氧化物基板； 在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层； 在所述结合层上沉积种子层，所述结合层用于增加所述非导电的氧化物基板和所述种子层的粘合力； 在所述种子层上覆光阻材料层，通过曝光、显影去除光阻材料层的未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形，在凹槽图形区域露出种子层； 在所述凹槽图形区域的种子层上电镀得到电镀层； 蚀刻掉非凹槽图形区域的光阻材料层，及光阻材料层下的种子层和结合层。
2.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述方法中在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层之前还包括对非导电的氧化物基板进行超声波清洗或化学清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述非导电的氧化物基板为玻璃基板或蓝宝石基板。
4.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述方法中进一步包括步骤:在电镀层上电镀保护层。
5.根据权利要求4所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述保护层为电镀锡、电镀镍、电镀银、电镀金、化学镀锡、化学镀镍、化学镀银或化学镀金。
6.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述结合层为Ti系列金属层，其厚度为1nm?50nm。
7.根据权利要求6所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述Ti系列金属层为Ti金属层、TiNx金属层或TiW金属层。
8.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述光阻材料层为干膜。
9.根据权利要求1所述的互连电路的制作方法，其特征在于:所述种子层和电镀层为铜层或镍层，所述种子层的厚度为50nm?500nm。
【专利摘要】本发明公开了一种互连电路的制作方法，包括：提供非导电的氧化物基板；在所述非导电的氧化物基板上沉积结合层；在所述结合层上沉积种子层，所述结合层用于增加所述非导电的氧化物基板和所述种子层的粘合力；在所述种子层上覆光阻材料层，通过曝光、显影去除光阻材料层的未曝光部分得到欲电镀的凹槽图形，在凹槽图形区域露出种子层；在所述凹槽图形区域的种子层上电镀得到电镀层；蚀刻掉非凹槽图形区域的光阻材料层，及光阻材料层下的种子层和结合层。本发明采用电镀的方法取代丝网印刷制作银互联电路，解决了线路从基板脱线和LED灯珠器件嵌入电路中的焊接问题，且通过增加一层结合层增加了种子层与非导电的氧化物基板的粘合力，而且非导电的氧化物基板相对成本低，透光性好。
【IPC分类】H01L21-768
【公开号】CN104600022
【申请号】CN201310524116
【发明人】林朝晖, 宋广华, 尤宇文
【申请人】泉州市金太阳照明科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月30日