0085]图7示出了第j列的第一发射像素EPij和第二发射像素EP(i+l) j被检测为有缺陷的情况。有缺陷的发射像素可以是通过像素电路的缺陷而导致的。
[0086]参照图7，发射像素EP可包括耦接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及从像素电路PC接收驱动电流并发光的LED Eo伪像素DP可仅包括耦接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC，而没有LED E0
[0087]参照图7，伪像素DPj和DPj+Ι可对于每个像素列形成至少一个，形成在竖直方向的修复线V.RL (下文中，称为主修复线)可对于每个像素列形成至少一个，形成在水平方向的修复线H.RL(下文中，称为辅助修复线)可对于每个像素行形成至少一个。辅助修复线H.RL可形成为耦接至少两个主修复线V.RL，并且在修复时可用于耦接主修复线V.RL0辅助修复线H.RL可通过耦接主修复线V.RL而形成从某一列中的有缺陷的像素至另一列中的伪像素的电路径。
[0088]另一方面，在一些实施方式中，主修复线V.RL和辅助修复线H.RL的方向可被颠倒。例如，当非显示区域NA形成在显示区域AA的左侧或右侧上并且伪像素形成在非显示区域NA中时，用于耦接伪像素和有缺陷的像素的主修复线V.RL可形成在水平方向，用于耦接不同的主修复线V.RL的辅助修复线H.RL可形成在竖直方向。然而，下文中将基于图7所不的方向描述本发明实施方式。
[0089]主修复线V.RL和辅助修复线H.RL可形成在不同的层上，并在两者之间布置或形成有至少一个绝缘层。主修复线V.RL和辅助修复线H.RL可形成为彼此相交，例如彼此垂直。主修复线V.RL和辅助修复线H.RL可通过破坏位于主修复线V.RL与辅助修复线H.RL之间的交点处的绝缘层而被电耦接。为了将主修复线V.RL与辅助修复线H.RL电耦接，可相同地应用上述的将传导部耦接至修复线RL的方法。
[0090]图8示出了一列中的多个发射像素有缺陷的情况。例如，示出了当第j列的耦接至第i扫描线SLi的第一发射像素EPij和第j列的耦接至第i+Ι扫描线SLi+Ι的第二发射像素EP(i+l) j有缺陷时应用的修复方法。
[0091]参照图8，第一发射像素EPij的LED E与像素电路PC分离，并且分离的LED E经由主修复线V.RLj、辅助修复线H.RLi和主修复线V.RL(j+l)耦接至与第η+1扫描线SLn+1耦接的第j+Ι列的伪像素DPj+Ι的像素电路PC。例如，第一发射像素EPij的LED E耦接至第一主修复线V.RLj，伪像素DPj+Ι耦接至第二主修复线V.RLj+Ι，第一主修复线V.RLj和第二主修复线V.RLj+Ι使用辅助修复线H.RLi耦接至彼此。
[0092]在图8中示出了使用第j+Ι列中的伪像素DPj+Ι修复第一发射像素EPij。然而，本发明实施方式并不限于此，并且可使用另一列中的伪像素。
[0093]第二发射像素EP(i+l) j的LED E与像素电路PC分离，分离的发射二极管E经由主修复线V.RLj耦接至与第η+1扫描线SLn+Ι耦接的第j列的伪像素DPj的像素电路PC。
[0094]根据如上所述的修复方法，不仅在一列中检测出一个有缺陷的像素时，可使用位于相对应的列中的伪像素来修复有缺陷的像素，而且还在一列中检测出多个有缺陷的像素时，可使用形成在其他列中的相对应的伪像素来修复多个有缺陷的像素。
[0095]为此，可适当地使用辅助修复线H.RL和主修复线V.RL。例如，为了将位于第j列中的第一有缺陷的像素EPij耦接至位于第j+Ι列中的伪像素DPj+Ι，可耦接主修复线V.RLj与主修复线V.RLj+Ι。为了将主修复线V.RLj耦接至主修复线V.RLj+Ι，可使用辅助修复线H.RLi0主修复线V.RL和辅助修复线H.RL可在交点823和交点824处电耦接。为了形成从第j列中的第一发射像素EPij的LED E至第j+Ι列中的伪像素DPj+Ι的电路径，辅助修复线H.RLi将主修复线V.RLj耦接至主修复线V.RLj+1。
[0096]另一方面，第j列中的主修复线V.RLj用于修复第j列中的多个有缺陷的像素EPij和EP(i+l)j。因此，在主修复线V.RLj中，形成第一发射像素EPij与伪像素DP j+Ι之间的路径的一部分和形成第二发射像素EP(i+l) j与伪像素DPj之间的路径的一部分彼此分离，从而允许了各个路径独立地传送信号。为此，可切断主修复线V.RLj中所使用的部分之外的部分。例如，可切断用于形成第二发射像素EP (i+l)j与伪像素DPj之间的路径的连接点821至825的外部部分831。
[0097]与上述理由的相同理由，同样在辅助修复线H.RLi的情况中，可切断用于形成第一发射像素EPij与伪像素DPj+Ι之间的路径的部分的外部部分832和833。因此，辅助修复线H.RLi的其他部分可用于修复另一有缺陷的像素。
[0098]LED E与像素电路PC之间的分离可通过切断传导部811和812来执行。例如，切断可使用朝着衬底的前侧或朝着衬底的相反侧发出的激光束来进行，但并不限于此。修复线V.RLj与LED E之间的连接点821和822、修复线V.RL与伪像素DP之间的连接点825和826、以及连接点823和824可通过因绝缘部的破坏而导致的两个传导部之间的短路或形成传导部来执行。例如，绝缘部的破坏可使用朝着衬底的前侧或衬底的相反侧发出的激光束来执行,但并不限于此。
[0099]图9是示出了在使用图7和图8所示的方法修复的显示面板中从扫描驱动单元供给的扫描信号和从数据驱动单元供给的数据信号的波形图。
[0100]参照图9，扫描信号SI至Sn+Ι依次被施加到第一至最后的扫描线SLl至SLn+1。
[0101]与扫描信号SI至Sn+Ι同步的数据信号Dj和Dj+Ι施加到相应的数据线DLj和DLj+Ι。与扫描信号同步的数据信号Dlj至Dnj依此施加到数据线DLj。与扫描信号同步的数据信号Dl(j+1)至Dn(j+1)依此施加到数据线DLj+1。
[0102]与施加到第一发射像素EPij的数据信号相同的数据信号Dij与扫描信号Sn+Ι同步并再次经由数据线DLj+Ι施加到伪像素DPj+Ι。因此，第一发射像素EPij的LED E可经由伪像素DPj+Ι的像素电路PC和主修复线V.RLj和V.RLj+Ι和辅助修复线H.RLi接收与数据信号Dij对应的电流。
[0103]与施加到第二发射像素EP(i+l) j的数据信号相同的数据信号D(i+1) j与扫描信号Sn+Ι同步并再次经由数据线DLj施加到伪像素DPj。因此，第二发射像素EP (i+1) j的LED E可经由伪像素DPj的像素电路PC和主修复线V.RLj接收与数据信号D (i+1) j对应的电流。
[0104]在图7和图8中，示出了主修复线V.RL形成在每列的左侧上，数据线DL形成在每列的右侧上，扫描线SL和辅助修复线H.RL形成在每行的顶部上。然而，这仅是为了便于描述的示例，并且本发明实施方式并不限于此。
[0105]在图7和图8中，辅助修复线H.RL形成为用于每个像素行。然而，本发明实施方式并不限于此。例如，辅助修复线H.RL可对于一些像素行中的每个形成至少一个。相反地，辅助修复线H.RL可在整个显示面板上形成至少一个。辅助修复线H.RL可根据用于显示面板的布线的设计而在适当的位置形成为适当的数量。将参照图10至图13描述上述的修改。
[0106]图10和图11是示出了根据本发明实施方式的修复有缺陷的像素的方法的视图。
[0107]在图10和图11中，为了便于描述，省略了与发射像素EP和伪像素DP耦接的扫描线和数据线，而仅示出了修复线V.RL和H.RL。然而，与图7所示的方法相似，本领域技术人员已知的是扫描线和数据线可耦接至图10和图11的发射像素EP和伪像素DP。
[0108]参照图10，发射像素EP可包括多个子发射像素RP、GP和BP。子发射像素中的每个发出一种颜色，例如，红色、蓝色、绿色和白色之一。然而，本发明实施方式并不限于此，子发射像素除了红色、蓝色、绿色和白色以外还可发出不同的颜色。
[0109]包括在发射像素EPij中的子发射像素RPi j、GPi j和BPij可接收相同的扫描信号Si并可分别从独立的数据线接收独立的数据信号。
[0110]根据一些实施方式，伪像素DP还包括多个子伪像素RDP、⑶P和BDP。各个子伪像素RDP、GDP和BDP可接收相同的扫描信号Sn+Ι并可分别从独立的数据线接收独立的数据信号。然而，根据用于扫描线的设计，各子伪像素可接收不同的扫描信号。
[0111]多个子发射像素中的每个可包括具有不同结构的像素电路。多个子伪像素分别可包括与多个子发射像素的像素电路对应的像素电路。
[0112]主修复线V.RL可将多个子发射像素RP、GP和BP中的至少一个和多个子伪像素RDP>⑶P和BDP中的至少一个彼此耦接。例如，主修复线V.RL可将多个子发射像素RP、GP和BP中的至少一个耦接至多个子伪像素RDP、⑶P和BDP中的具有与该至少一个子发射像素对应的像素电路的一个。在图11中示出了上述的示例。在这种情况下，可使用主修复线V.RL与辅助修复线H.RL之间的耦接。
[0113]参照图10,当不使用时,辅助修复线H.RL可稱接至全局电力(global power)。因此，可防止或减少因浮空状态导致的错误。全局电力例如可以是第一电源电压ELVDD，但并不限于此。
[0114]图10示出了其中第j列中的子发射像素RPij、GPij和GP (i+1) j被检测为有缺陷的情况。这些有缺陷的发射像素可以是因像素电路的缺陷导致的。
[0115]图11示出了当第i列中的子发射像素RPij、GPij和GP (i+1) j被检测为有缺陷时实施的修复方法。参照图11，可适当地使用辅助修复线H.RL和主修复线V.RL。
[0116]参照图11，发生缺陷的子发射像素GP(i+l)j经由主修复线V.RLj耦接至子伪像素⑶Pj。例如，子发射像素GP (i+1) j的LED E与像素电路PC分离，并且分离的LED E耦接至主修复线V.RLj (121)，子伪像素⑶Pj耦接至主修复线V.RLj (129)。
[0117]子发射像素GPij经由主修复线V.RLj和V.RLj-1以及辅助修复线H.RLi+Ι耦接至子伪像素⑶Pj-Ι。详细地，子发射像素GPij的LED E与像素电路分离，分离的LED E耦接至主修复线V.RLj (122)，主修复线V.RLj通过使用辅助修复线H.RLi+Ι耦接至主修复线V.RLj-1，并且主修复线V.RLj-1耦接至子伪像素⑶Pj-1。修复线可在交点124和125处耦接。
[0118]子发射像素RPij经由主修复线V.RLj和V.RLj+Ι以及辅助修复线H.RLi耦接至子伪像素RDP