j+Ι。详细地，子发射像素RPij的LED E与像素电路分离，分离的LED E耦接至主修复线V.RLj，主修复线V.RLj通过使用辅助修复线H.RLi耦接至主修复线V.RLj+1,并且主修复线V.RLj+Ι耦接至子伪像素RDPj+Ι。修复线可在交点126和127处耦接。
[0119]根据如上所述的修复方法，当多个有缺陷的像素被检测出位于一列中时，该多个有缺陷的像素可使用与其他列对应地形成的伪像素来修复。
[0120]参照图11，当修复了第j列中的多个有缺陷的像素时，切断第j列中的主修复线V.RLj的一部分。参照图11，主修复线V.RLj用于修复多个子发射像素RPij、GPij和GP(i+l)j。在这种情况下，主修复线V.RLj的一部分被切断以使得电路径彼此分离或电隔离，其中各子发射像素经由这些电路径被耦接至子伪像素。
[0121]例如，参照图11，子发射像素GP(i+l) j经由主修复线V.RLj耦接至子伪像素⑶Pj。此外，位于子发射像素GP(1-l) j与主修复线V.RLj的连接点121下方的主修复线V.RLj将子发射像素GP (i+1) j与子伪像素⑶Pj彼此耦接。在这种情况下，切断位于连接点121上方的部分(112)，从而允许主修复线V.RLj的上部部分用于修复诸如GPij和RPij的其他子发射像素。
[0122]相似地，当修复子发射像素GPij时，切断位于连接点122上方的部分(111)，从而允许主修复线V.RLj的上部部分用于修复诸如RPij的另一子发射像素。
[0123]也就是说，当主修复线V.RLj用于修复至少两个有缺陷的像素(例如第一有缺陷的像素和第二有缺陷的像素)时，切断位于主修复线V.RLj耦接至第一有缺陷的像素处的点与主修复线V.RLj耦接至第二有缺陷的像素处的点之间的部分，从而使路径彼此分离，其中信号经由主修复线V.RLj传送至各有缺陷的像素。
[0124]相似地，虽然在图11中未示出，还切断了位于辅助修复线H.RLi的用于修复的部分的两侧上的外部部分，从而将电路径与未用于修复的部分分尚。例如，切断连接点126的左侧和/或连接点127的右侧，可允许辅助修复线H.RLi的其他部分用于修复其他有缺陷的像素。
[0125]参照图11，用于修复的辅助修复线H.RLi和H.RLi+Ι与电源电隔离，并且不再耦接至电源。
[0126]当发生多个有缺陷的像素时，有缺陷的像素和伪像素可通过包括某一算法的处理器而彼此相配。还可通过包括某一算法的该处理器确定主修复线V.RL和辅助修复线H.RL的切断点，位于修复线H.RL和V.RL之间的连接点以及位于像素与主修复线V.RL之间的连接点。
[0127]在图11中，为了便于描述修复方法，简要说明了发射像素、伪像素和修复线之间的短路。然而，如图8所示，在修复有缺陷的像素的过程中，本领域技术人员可已知包括分离的其他修复过程，即可相同地执行切断像素电路和OLED并且可相同地应用所描述的切断和短路方法。因此，虽然省略了与图11相关的描述，但是可相同地应用与图8相关的描述。
[0128]图12和图13是示出了根据本发明另一实施方式的显示面板的视图。
[0129]在上面描述的包括图10和图11的其他附图中，辅助修复线H.RL对于每个像素行形成至少一个。下文中，将参照图12和图13描述另一示例。
[0130]参照图12，辅助修复线H.RL可对于多个像素行中的每个形成至少一个。例如，如图12中所示，至少一个辅助修复线H.RL可形成为用于每两个像素行。
[0131]参照图13，辅助修复线H.RL可在显示面板中形成至少一个。例如，如图13中所示，子伪像素RDP1、RDP2、RDP3、…可在显示面板的下部部分中形成为用于每个像素列，并且辅助修复线H.RL可在显示面板的上部部分中形成至少一个。然而，本发明实施方式并不限于此，伪像素可形成在显示面板的上部部分中并且辅助修复线H.RL可在显示面板的下部部分中形成至少一个。
[0132]参照图12和图13，当多个有缺陷的像素发生在一列中时，该多个有缺陷的像素通过使用辅助修复线H.RL和主修复线V.RL而耦接至不同的伪像素，从而修复了有缺陷的像素。
[0133]如图12和图13中所示，可在设计布线中确定如何布置辅助修复线H.RL。例如，为了满足诸如显示面板的开口率和布线之间的寄生电容的显示面板的规格，可控制辅助修复线H.RL的设计。
[0134]图14是示出了根据本发明的实施方式的发射像素EP的电路图。
[0135]参照图14，发射像素EP包括LED E和用于向LED E供给电流的发射像素电路PC。LED E可以是包括第一电极、与第一电极相对的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发射层的0LED。第一电极和第二电极分别可以是阳极和阴极。发射像素电路PC可包括两个晶体管Tl和T2以及一个电容器Cst。
[0136]在第一晶体管Tl的情况中，栅极电极耦接至扫描线，第一电极耦接至数据线，以及第二电极稱接至第一节点NI。
[0137]在第二晶体管T2的情况中，栅极电极耦接至第一节点NI，第一电极从第一电源接收第一电源电压ELVDD，以及第二电极耦接至LED E的像素电极。
[0138]在电容器Cst的情况中，第一电极耦接至第一节点NI，第二电极从第一电源接收第一电源电压ELVDD。
[0139]当扫描信号S从扫描线SL供给时，第一晶体管Tl将从数据线DL供给的数据信号D传送至电容器Cst的第一电极。因此，电容器Cst充有与数据信号D对应的电压，并且与用于对电容器Cst充电的电压对应的驱动电流经由第二晶体管T2传送至LED E，从而允许了 LED E发光。
[0140]在图14中，示出了两个晶体管和一个电容器包括在一个像素中的2Tr_lCap结构。然而，本发明实施方式并不限于此。相应地，两个或更多个薄膜晶体管(TFT)和一个或多个电容器可包括在一个像素中。还可进一步形成附加布线并且现有的布线可被省略以形成为具有多种结构。
[0141]图15是示意性示出了根据本发明的实施方式的使用伪像素DP修复发射像素EP的方法的视图。
[0142]参照图15，发射像素EP包括LED E和用于向LED E供给电流的发射像素电路PC。图15的发射像素EP可与图14的发射像素EP相同。因此，在下文中，虽然省略了与发射像素EP相关的描述，但是应理解，可将在上文中与图14的发射像素EP相关联地描述的内容相同地应用到图15的发射像素EP。
[0143]伪像素DP可布置在发射像素EP的相同行或列中，并且包括伪像素电路DPC。伪像素电路DPC可与发射像素电路PC相同或不同。
[0144]伪像素电路DPC可包括耦接至伪扫描线DSL和伪数据线的第一伪晶体管DT1、耦接在第一电源电压ELVDD与第一伪晶体管DTl之间的第二伪晶体管DT2、以及耦接在第一电源电压ELVDD与第一伪晶体管DTl之间的伪电容器DCst。图15示出了伪像素电路DPC的示例，但是伪像素电路DPC并不限于此，而是可形成为具有多种结构，如包括一个或多个TFT与电容器和省略电容器。
[0145]伪扫描线DSL可与位于发射像素电路PC中的扫描线SL相同或分离。伪数据线DDL可与位于发射像素电路PC中的数据线DL相同或分离。
[0146]当发射像素电路PC有缺陷时，发射像素电路PC与LED E分离。此外，LED E经由修复线RL耦接至位于相同列或另一列中的伪像素电路DPC。因此，发射像素EP的LED E可从伪像素电路DPC接收驱动电流并且可正常发光。二极管之间的分离和耦接可通过使用激光束的切割过程和使用激光束的焊接过程来执行，但并不限于此。
[0147]另一方面，当多个发射像素电路PC有缺陷时，有缺陷的像素的各个LED E可耦接至不同的伪像素电路DPC。
[0148]本发明实施方式并不限制上述的某些像素结构，而是可应用至多种像素以通过修复因像素电路的缺陷所导致的有缺陷的像素的亮点或暗点来允许发出光并且未损失亮度。
[0149]图16是示出了根据本发明实施方式的伪像素DP的视图。图17是示出了图16的伪像素DP的一部分的俯视图。图18是示出了沿着图17所示的线B-B’所取的部分的剖视图。
[0150]参照图16，耦接至第I和/或第η+1扫描线SL和数据线DL的伪像素DP仅包括伪像素电路DPC，而不包括LED E0伪像素DP的伪像素电路DPC与发射像素EP的像素电路PC相同。然而，如上所述，伪像素DP可包括作为电路二极管的LED E0
[0151]参照图17和图18，电力连接布线18形成在衬底101和缓冲层102上方。电力连接布线18例如可由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体之一形成。电力连接布线18可由与相同层上的用于形成像素电路PC的TFT的有源层相同的材料形成。第一绝缘膜103形成在电力连接布线18上方，修复连接布线16形成在第一绝缘膜103上方。
[0152]修复连接布线16可由与用于形成像素电路PC的TFT的一个传导电极(例如，相同层上的栅极电极)相同的材料形成。第二绝缘膜104形成在修复连接布线16上方。在第二绝缘膜104上方，耦接至像素电路PC的短路布线17与修复连接布线16的将临时耦接在第二短路节点SN2处的部分重叠。修复线RL通过接触孔耦接至修复连接布线16。
[0153]位于显示面板10的外部部分上的修复线RL和电源电压线ELVDDL通过接触孔耦接至电力连接布线18，从而将修复线RL与电源电压线ELVDDL彼此电耦接。当修复线RL用于修复发射像素EP时，电源电压线ELVDDL与修复线RL通过切断电力连接布线18而被分离。当不用于修复发射像素EP时，修复线RL平行地耦接至电源电压线ELVDDL。
[0154]考虑到这点，当设计电源电压线ELVDDL的宽度时，可考虑修复线RL的宽度。例如，由于修复线RL的宽度，可减小电源电压线ELVDDL的现有宽度。通过减小布线的宽度可增加显示面板的开口率并且可减小寄生电容。
[0155]修复线RL、短路布线17和电源电压线ELVDDL可由与用于形成像素电路PC的TFT的一个传导电极(例如，相同层上的源极电极和漏极电极)相同的材料形成。第三绝缘膜105和第四绝缘膜106依次形成在修复线RL、短路布线17和电源电压线ELVDDL上方。
[0156]图19是示出了根据本发明实施方式的有机发光显示设备中发射像素EP的修复的剖视图。图20是示出了根据本发明实施方式的有机发光显示设备中伪像素的连接的剖视图。
[0157]在图19和图20中，为了便于描述，在发射像素EP和伪像素DP的像素电路中，仅示出了耦接至修复线RL的TFT。图19和图20中所示的实施方式涉及在测试显示面板的视觉(例如，显示质量)后进行修复的情况。
[0158]参照图1