有机发光显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光显示装置。
【背景技术】
[0002] 用于有机发光显示装置的有机发光元件是发光层形成在放置于基板上的两个电 极之间的发光元件。
[0003] 有机发光显示装置根据光发射方向而包括顶部发射法、底部发射法和双发射法。
[0004] 有机发光显示装置采用使用发射红色、绿色和蓝色光的有机发光元件实现图像的 方法，以及使用发射白光的有机发光元件与红色、绿色和蓝色滤色器实现图像的方法。
[0005] 使用基质-掺质体系可使有机发光显示装置的发光材料的性能最大化。在这种情 况下，一个重要因素是从基质到掺质的平稳能量转移。
[0006] 由偶极相互作用造成的能量转移主要产生于荧光材料，而由电子相互交换造成的 能量转移主要产生于磷光材料。然而，如果在磷光材料中产生由偶极相互作用造成的能量 转移，那么由于复杂的能量水平使得能量转移不平稳，会产生诸如视角窄以及效率低等问 题。因此，需要改进所述问题。
【发明内容】
[0007] 本发明旨在提供一种有机发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和 缺点所造成的一个或多个问题。
[0008] 本发明的一个方面涉及提供一种有机发光显示装置，包括形成在于基板上方布置 的两个电极之间的发光层，其中所述发光层包括：包括荧光材料的基质和包括磷光材料的 掺质，并且由荧光材料的基质形成的基质光致发光（PL)区与一部分由磷光材料的掺质形 成掺质紫外（UV)吸收区具有重叠的光谱。
【附图说明】
[0009] 附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附 图示出本发明的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。在附图中：
[0010] 图1是有机发光显示装置的平面示意图；
[0011] 图2是示出图1所示的子像素电路的构造的示例图；
[0012] 图3是示出图1的子像素的横截面的示例图；
[0013] 图4是示出形成发光层的方法的示图；
[0014] 图5是使用图4的方法所形成的发光层的横截面的层次图；
[0015] 图6是示出根据使用磷光掺质来实现的常规显示面板的波长的尖度测量值的曲 线图；
[0016] 图7是示出由于基质和掺质之间的偶极相互作用的能量转移图；
[0017] 图8是示出根据本发明的一个实施例使用磷光掺质实现的显示面板的波长的尖 度测量值的曲线图；
[0018] 图9是示出比较常规显示面板和根据本发明的实施例的显示面板之间的EL光谱 的曲线图；
[0019] 图10是示出比较常规显示面板和根据本发明的实施例的显示面板之间的视角的 曲线图；和
[0020] 图11是示出根据基质材料的特性的视角之间的差异的曲线图。
【具体实施方式】
[0021] 现在详细描述本发明的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些实 例。
[0022] 图1是有机发光显示装置的平面示意图，图2是示出图1所示的子像素电路的构 造的示例图，而图3是示出图1的子像素的横截面的示例图。
[0023] 如图1所示，形成有机发光显示装置的显示面板100包括显示单元AA，该显示单元 AA包括形成在第一基板IlOa上的多个子像素 SP。形成在第一基板IlOa中显示单元AA被 第二基板IlOb密封。
[0024] 驱动单元30形成在第一基板IlOa上并且被配置成驱动包括在显示单元AA中的 多个子像素 SP。驱动单元30可包括配置为向所述多个子像素 SP提供数据信号的数据驱动 单元和配置为提供扫描信号的扫描驱动单元。在这种情况下，扫描驱动单元可与数据驱动 单元分离，并且可以以GIP形式形成在显示单元AA的外围。
[0025] 如图2所示，子像素 SP可包括开关薄膜晶体管T1、电容器Cst、驱动薄膜晶体管T2 以及有机发光二极管（OLED)，开关薄膜晶体管Tl配置为响应于扫描线Sn提供的扫描信号， 传输通过数据线Dm提供的数据信号，电容器Cst配置为存储数据信号，驱动薄膜晶体管T2 配置为生成与存储在电容器Cst中的数据信号和第一电源电压VDD之间的差值相对应的驱 动电流，以及有机发光二极管（OLED)配置为发射与驱动电流相应的光。
[0026] 开关薄膜晶体管T1、电容器Cst和驱动薄膜晶体管T2可以被定义为一个晶体管 单元。晶体管单元被示出为2T (晶体管）IC (电容器），其包括两个薄膜晶体管和单一电容 器。在一些实施例中，晶体管单元可以被配置为包括N(N是2以上的整数）个薄膜晶体管 和M(M是2以上的整数）个电容器以补偿阈值电压，等等。在图2中，VSS为第二电源电压， 即接地电压或更低。
[0027] 子像素 SP包括使用发出红色、绿色和蓝色光的OLED来实现图像的方法和使用发 出白色光的OLED以及红色、绿色和蓝色滤色器来实现图像的方法。在下面的描述中，将使 用发出红色、绿色和蓝色光的OLED来实现图像的方法所形成的子像素作为例子。
[0028] 如图3所示，在子像素中包括的晶体管单元T和OLED以薄膜形式沉积在第一基板 IlOa 上。
[0029] 栅电极115形成在第一基板IlOa上。栅电极115可以由选自钼（Mo)、铝（Al)、铬 (Cr)、金（Au)、钛（Ti)、镍（Ni)和铜（Cu)组成组中的一种或它们的合金制成。栅电极115 可具有单层或多层。
[0030] 为栅电极115提供绝缘的第一绝缘膜120形成在栅电极115上。第一绝缘膜120 可以是硅的氧化物（SiOx)膜、硅的氮化物（SiNx)膜或它们的双层。
[0031 ] 半导体层125形成在栅电极115和对应于所述栅电极115的第一绝缘膜120上方。 半导体层125可以由非晶硅（a-Si)、多晶Si、氧化物或有机材料形成。
[0032] 源电极130a和漏电极130b形成在半导体层125上并且被电连接到半导体层125。 源电极130a和漏电极130b可以由选自钼（Mo)、铝（Al)、铬（Cr)、金（Au)、钛（Ti)、镍（Ni) 和铜（Cu)组成组中的一种或者它们的合金形成。源电极130a和漏电极130b各可具有单 层或多层。可以在半导体层125与源电极130a、漏电极130b之间形成用于降低半导体层 125与源电极130a、漏电极130b之间的接触电阻的欧姆接触层。
[0033] 第二绝缘膜140形成在包括栅电极115、半导体层125、源电极130a和漏电极130b 的薄膜晶体管T上。第二绝缘膜140可以是平坦膜或者钝化膜以减少底层结构的台阶覆盖。 第二绝缘膜140可以由有机材料如聚酰亚胺、苯并环丁烯类树脂或丙烯酸酯制成。第二绝 缘膜140包括通孔145,通过该通孔145暴露出源电极130a或漏电极130b的一部分。
[0034] 电连接到源电极130a或漏电极130b的下电极150形成在第二绝缘膜140上。 下电极150可以是由铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧化物（IZO)、铟锡锌氧化物（ITZO)、氧化锌 (ZnO)、铟镓锌氧化物（IGZO)或石墨烯构成的透明导电膜。下电极150被选择作为阳极电 极。
[0035] 包括开口部156的堤层155形成在下电极150上，通过该开口部156暴露下电极 150。堤层155可以是减轻底层结构的台阶覆盖并限定发射区的像素限定膜。堤层155可 以由聚酰亚胺、苯并环丁烯类树脂或丙烯酸酯制成。
[0036] 有机发光层160形成在下电极150上。有机发光层160可以由发射红色、绿色和 蓝色光的有机材料形成。有机发光层160包括发光层EML和包括有空穴注入层（HIL)、空穴 传输层（HTL)、电子传输层（ETL)和电子注入层（EIL)的公共层用于提高特性。公共层可以 不包括所有的四种层。在一些实施方案中，公共层可以省略四层中的至少一层，或者可在公 共层中包括另一功能层。
[0037] 上电极170形成在包括有机发光层160的第一基板IlOa上。上电极170可以由 铝（Al)、银（Ag)、镁（Mg)或钙（Ca)制成，即，具有低功函的金属或它们的合金。上电极170 被选择作为阴极电极。
[0038] 形成在显示面板100中的子像素被示出为采用使光在第一基板IlOa的方向上发 射的底部发射法，但本发明不限于此。在一些实施例中，子像素可以被配置为采用顶部发射 法或双发射法。
[0039] 图4是示出形成发光层的方法的图表，图5是使用图4的方法所形成的发光层的 横截面的层次图。