使用多个晶片锯旋转角度进行硅晶片锯割的非常规方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于分离硅晶片中的多个裸片的锯割硅晶片的方法，且特定来说涉及锯割硅晶片使得每一裸片拐角具有大于90度的角度。
【背景技术】
[0002]硅晶片锯割为切割晶片使得从其分离多个集成电路裸片的过程。刻划线或锯割道为裸片之间的其中锯通过以分离多个裸片的区域。当前，以零(O)度及90度执行对晶片的锯割，从而形成具有四个边及90度拐角的正方形或矩形裸片。然而，某些应用需要具有角度大于90度的拐角的裸片。
【发明内容】
[0003]因此，需要一种从硅晶片分离多个裸片使得所述经分离裸片具有角度大于90度的拐角的方式。
[0004]根据实施例，一种用于从硅晶片分离多个集成电路裸片的方法可包括以下步骤:将晶片切割工具设置为第一切割角度，其中所述第一切割角度可与零度参考成实质上90度；用所述晶片切割工具以所述第一切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第二切割角度，其中所述第二切割角度可与所述零度参考成小于90度；用所述晶片切割工具以所述第二切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第三切割角度，其中所述第三切割角度可与所述零度参考成大于90度；及用所述晶片切割工具以所述第三切割角度切割所述硅晶片；其中可从所述硅晶片分离多个集成电路裸片，且所述多个集成电路裸片中的每一者具有拐角大于90度的六个边。
[0005]根据所述方法的又一实施例，可用安装胶带将所述硅晶片安装到晶片座架，所述安装胶带用于在用所述晶片切割工具切割所述硅晶片期间固持所述硅晶片。根据所述方法的又一实施例，所述多个集成电路裸片中的每一者的钝化在切割所述硅晶片的所述步骤之后保持密封。
[0006]根据所述方法的又一实施例，以所述第一切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第一边；及以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第二边。根据所述方法的又一实施例，以所述第二切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第三边；及以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第四边。根据所述方法的又一实施例，以所述第三切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第五边；及以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第六边。
[0007]根据另一实施例，一种用于从硅晶片分离多个集成电路裸片的方法可包括以下步骤:将晶片切割工具设置为第一切割角度，其中所述第一切割角度可与零度参考成实质上90度；用所述晶片切割工具以所述第一切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第二切割角度，其中所述第二切割角度可与所述零度参考成小于90度；用所述晶片切割工具以所述第二切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第三切割角度，其中所述第三切割角度可与所述零度参考成大于90度；用所述晶片切割工具以所述第三切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第四切割角度，其中所述第四切割角度可实质上处于所述零度参考；及用所述晶片切割工具以所述第四切割角度切割所述硅晶片；其中可从所述硅晶片分离多个集成电路裸片，且所述多个集成电路裸片中的每一者具有拐角大于90度的八个边。
[0008]根据所述方法的又一实施例，可用安装胶带将所述硅晶片安装到晶片座架，所述安装胶带用于在用所述晶片切割工具切割所述硅晶片期间固持所述硅晶片。根据所述方法的又一实施例，所述多个集成电路裸片中的每一者的钝化在切割所述硅晶片的所述步骤之后保持密封。
[0009]根据所述方法的又一实施例，以所述第一切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第一边；及以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第二边。根据所述方法的又一实施例，以所述第二切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第三边；及以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第四边。
[0010]根据所述方法的又一实施例，以所述第三切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第五边；及以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第六边。根据所述方法的又一实施例，以所述第四切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤:以所述第四切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第七边；及以所述第四切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第八边。
【附图说明】
[0011]连同附图一起参考以下描述可获取对本发明的较完整理解，在附图中:
[0012]图1图解说明将硅晶片分离成多个集成电路裸片的示意性过程流程图；
[0013]图2图解说明产生具有拐角为90度的四个边的多个集成电路裸片的晶片切割操作的示意性平面图；
[0014]图3图解说明根据本发明的特定实例性实施例产生具有拐角大于90度的六个边的多个集成电路裸片的晶片切割操作的示意性平面图；且
[0015]图4图解说明根据本发明的另一特定实例性实施例产生具有拐角大于90度的八个边的多个集成电路裸片的晶片切割操作的示意性平面图。
[0016]尽管本发明易于做出各种修改及替代形式，但在图式中展示并在本文中详细描述了其特定实例性实施例。然而，应理解，本文中对特定实例性实施例的描述不打算将本发明限于本文中所揭示的特定形式，而是相反，本发明打算涵盖所附权利要求书所定义的所有修改及等效形式。
【具体实施方式】
[0017]在特定集成电路制作及封装应用中，以消除裸片上的尖锐90度拐角的方式从硅晶片切割裸片为合意的。然而，当偏离具有90度拐角的传统正方形及矩形裸片时，必须小心不能使所要裸片的钝化密封断裂。此外，使用现有裸片/晶片拓扑使具有大于90度拐角的裸片的合格率最大化为合意的。
[0018]现在参考图式，其示意性地图解说明特定实例性实施例的细节。在图式中，将由相似编号表示相似元件，且将由带有不同小写字母后缀的相似编号表示类似元件。
[0019]参考图1，其描绘将硅晶片分离成多个集成电路裸片的示意性过程流程图。将硅晶片100安装(122)于粘附到晶片100的背部的安装胶带120上。安装胶带120在晶片锯割过程124期间提供对晶片处置的支撑。晶片锯割过程124用于切割晶片使得从其分离个别集成电路裸片。
[0020]参考图2，其描绘产生具有90度拐角的多个集成电路裸片的晶片切割操作的示意性平面图。“刻划线”或“锯割道”106及108为集成电路裸片102之间的其中切割锯