一种显示装置、阵列基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]低温多晶娃薄膜晶体管液晶显示器LTPS-TFT IXD (Low TemperaturePoly-silicon Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)是利用准分子激光作为热源，激光经过投射系统后，产生能量均匀分布的激光光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子激光的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600°C以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。
[0003]LTPS-TFT IXD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS-TFT IXD的硅结晶排列较a-Si有次序，使得电子移动率相对高100倍以上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。
[0004]同时，由于驱动IC线路直接制作于面板上，可以减少组件的对外接点，增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低EMI特性，进而减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。
[0005]由于LTPS-TFT IXD液晶显示器具有高分辨率、高色彩饱和度、成本低廉的优势，被寄予厚望成为新一波的显示器。藉由其高电路整合特性与低成本的优势，在中小尺寸显示面板的应用上有着绝对的优势。
[0006]但在实际测试中发现，现有的LTPS-TFT IXD液晶显示器在防静电测试中表现非常不好，静电容易击穿电路，为了克服该缺陷，很多产品在产品四周增加了一层防静电层，用以将静电导出。但是由于S/D层一般用低电阻材料完成(例如TI/AL)，静电保护线路也容易被击毁，起不到防静电的作用。
【发明内容】
[0007](一 )要解决的技术问题
[0008]本发明的目的在于提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以克服现有技术中的阵列基板电路容易被静电击穿，防静电效果较差的缺陷。
[0009]( 二 )技术方案
[0010]为解决上述问题，本发明一方面提供一种阵列基板，包括基板，以及位于基板上的源漏电极层，所述源漏电极层由低电阻材料制成；
[0011]所述基板四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶娃;
[0012]所述防静电单元接地设置。
[0013]优选地，所述基板的四周间隔设置金属引线，所述金属引线与防静电单元电连接。
[0014]优选地，所述金属引线的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板相对应的两侧上。
[0015]优选地，所述金属引线的数量为八个，其分为四组均匀地分布在基板的四边上。
[0016]另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0017]再一方面，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0018]在基板上形成源漏电极的图形，
[0019]在完成上述步骤的基板的四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅，所述防静电单元接地设置。
[0020]优选地，所述基板的四周间隔设置金属引线，所述金属引线与防静电单元电连接。
[0021]优选地，所述金属引线的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板相对应的两侧上。
[0022]优选地，所述金属引线的数量为八个，其分为四组均匀地分布在基板的四边上。
[0023](三)有益效果
[0024]本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，通过在基板四周环绕设置由重掺杂的低温多晶硅制作的防静电单元，由于重掺杂的低温多晶硅既具有一定的电阻性能，又具有导电性能，能够起到吸引电流、消耗电流、导走电流的作用，最大程度地保障阵列基板的电路安全，提高最终产品的质量品质。
【附图说明】
[0025]图1为本发明实施例阵列基板结构示意图；
[0026]图2为本发明实施例阵列基板另一结构不意图；
[0027]图3为本发明实施例阵列基板制作方法流程图。
[0028]其中:
[0029]1:基板；2:防静电单元；3:金属引线。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0031]如图1所示，本发明提供一种阵列基板，包括基板1，以及位于基板上的源漏电极层，源漏电极层由低电阻材料制成，该低电阻材料可以为铝、钛等。
[0032]所述基板I四周环绕设置防静电单元2，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅；防静电单元接地设置。
[0033]采用重掺杂的低温多晶硅作为防静电单元2，由于重掺杂的低温多晶硅既具有一定的电阻性能，又具有导电性能，能够起到吸引电流、消耗电流、导走电流的作用，最大程度地保障阵列基板的电路安全。
[0034]参考图2，为了进一步吸引静电，保护阵列基板的电路安全，优选在基板的四周间隔设置金属引线3，所述金属引线3与防静电单元2电连接，通过金属引线3可将静电导入防静电单元中，通过防静电单元将静电消除或传导出去。
[0035]其中，该金属引线3可以为铜线、铝线等金属线。
[0036]在实际应用中，该金属引线3的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板I相对应的两侧上，通过金属引线3可以将基板I上的静电导入防静电单元2中，通过防静电单元2将静电消除或传导出去。
[0037]另外，该金属引线3的数量还可以为八个，其分为四组均匀地分布在基板I的四边上，通过金属引线3可以将基板上的静电导入防静电单元2中，通过防静电单元2将静电消除或传导出去。
[0038]需要说明的是，该金属引线3的具体数量，可根据具体应用情况而定。
[0039]通过在基板四周环绕设置由重掺杂的低温多晶硅制作的防静电单元，由于重掺杂的低温多晶硅既具有一定的电阻性能，又具有导电性能，能够起到吸引电流、消耗电流、导走电流的作用，最大程度地保障阵列基板的电路安全，提高最终产品的质量品质。
[0040]另外，本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的阵列基板，该显示装置可以为手机、平板电脑、液晶电视、掌上电脑、电子书或其他电子产品。
[0041]如图3所示，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，其包括:
[0042]步骤S1、在基板上形成源漏电极的图形；
[0043]步骤S2、在完成上述步骤的基板的四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅，所述防静电单元接地设置。
[0044]其中，所述基板的四周间隔设置金属引线，所述金属引线与防静电单元电连接。通过金属引线可将静电导入防静电单元中，通过防静电单元将静电消除或传导出去。
[0045]具体的，所述金属引线的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板相对应的两侧上。
[0046]或者，所述金属引线的数量为八个，其分为四组均匀地分布在基板的四边上。
[0047]需要说明的是，该金属引线的具体数量，可根据具体应用情况而定。
[0048]通过在基板四周环绕设置由重掺杂的低温多晶硅制作的防静电单元，由于重掺杂的低温多晶硅既具有一定的电阻性能，又具有导电性能，能够起到吸引电流、消耗电流、导走电流的作用，最大程度地保障阵列基板的电路安全，提高最终产品的质量品质。
[0049]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，以及位于基板上的源漏电极层，所述源漏电极层由低电阻材料制成； 所述基板四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅； 所述防静电单元接地设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板的四周间隔设置金属引线，所述金属引线与防静电单元电连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属引线的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板相对应的两侧上。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属引线的数量为八个，其分为四组均匀地分布在基板的四边上。
5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上形成源漏电极的图形， 在完成上述步骤的基板的四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅，所述防静电单元接地设置。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基板的四周间隔设置金属引线，所述金属引线与防静电单元电连接。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述金属引线的数量为四个，其分为两组均匀地分布在基板相对应的两侧上。
9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述金属引线的数量为八个，其分为四组均匀地分布在基板的四边上。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该显示装置包括基板，以及位于基板上的源漏电极层，所述源漏电极层由低电阻材料制成；基板四周环绕设置防静电单元，所述防静电单元材料为重掺杂的低温多晶硅，所述防静电单元接地设置。本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，通过在基板四周环绕设置由重掺杂的低温多晶硅制作的防静电单元，由于重掺杂的低温多晶硅既具有一定的电阻性能，又具有导电性能，能够起到吸引电流、消耗电流、导走电流的作用，最大程度地保障阵列基板的电路安全，提高最终产品的质量品质。
【IPC分类】G02F1-133, H01L23-60
【公开号】CN104701303
【申请号】CN201510146216
【发明人】樊浩原, 朱亚文
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月30日