一种有机发光器件及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及半导体制备技术领域，尤其设及一种有机发光器件及其制作方法、显 示装置。
【背景技术】
[0002] 现行的溶液制程（Solutionprocess)可W制备性能优异的绿光及红光器件，但 是制备的藍光器件在效能或寿命上与VTE制备的藍光器件尚有很大差距。因此，在利用 Solutionprocess制备全彩色有机发光二极管（OrganicLi曲t-EmittingDiode，0LED)显 示器时，通常使用开放掩膜版的penMask)制备藍光共通层，该功能层在红、绿子像素作为 电子传输层而不会发光，在藍色子像素作为藍色发光层。
[0003] 由于通常藍光发光层与Solutionprocess发光层的界面两侧均为渗杂层，且第一 渗杂层和第二渗杂层的制程方式不同容易引发效能下降等问题。现行具有藍光共通层的 0L邸对于此界面并未进行有效地改善，必然影响0LED的性能。
【发明内容】
[0004] 针对现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机发光器件及其制作方法、显示装置， 能够解决不良异质介面的问题，进而改善0LED寿命、降低操作电压及提升效率。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种有机发光器件，包括：第一电极、第二电极W及有机 功能层：
[0006] 所述有机功能层包括通过第一制程制备的第一渗杂层，通过第二制程制备的第二 渗杂层，W及形成于所述第一渗杂层和所述第二渗杂层之间的辅助层。
[0007] 优选地，所述辅助层的材料与所述第二渗杂层的主体材料相同，所述辅助层用于 改善所述第一渗杂层的性能。
[000引优选地，其特征在于，所述辅助层的电子迁移率大于lXl(T4mVV.S。
[0009] 优选地，其特征在于，所述辅助层的厚度为Inm至5nm。
[0010] 优选地，所述辅助层通过第二制程制备而成。
[0011] 优选地，所述第一渗杂层包括有机发光层，所述第二渗杂层包括藍光共通层。
[0012] 优选地，所述第一制程为旋涂法、刮涂法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、条状涂布 法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法及凸板印刷法中的任意一种。
[0013] 优选地，所述第二制程为真空热蒸锻、有机气相沉积、激光感应热成像及福射诱发 升华转印中的任意一种。
[0014] 优选地，所述有机功能层还包括；空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注 入层。
[0015] 第二方面，本法民提供了一种有机发光器件的制作方法，所述方法包括：在基板上 依次形成第一电极、有机功能层及第二电极：
[0016] 形成所述有机功能层包括；通过第一制程制备第一渗杂层，在所述第一渗杂层上 形成辅助层，在所述辅助层上通过第二制程制备第二渗杂层。
[0017] 优选地，所述辅助层的材料与所述第二渗杂层的主体材料相同，所述辅助层用于 改善所述第一渗杂层的性能。
[0018] 优选地，所述辅助层的电子迁移率大于ixicrW/v.S。
[0019] 优选地，所述辅助层的厚度为Inm至5nm。
[0020] 优选地，形成所述辅助层包括；通过第二制程制备所述辅助层。
[0021] 优选地，所述第一渗杂层包括有机发光层，所述第二渗杂层包括藍光层。
[0022] 优选地，所述第一制程为旋涂法、刮涂法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、条状涂布 法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法及凸板印刷法中的任意一种。
[0023] 优选地，所述第二制程为真空热蒸锻、有机气相沉积、激光感应热成像及福射诱发 升华转印中的任意一种。
[0024] 优选地，形成所述有机功能层还包括；在所述第一电极上形成空穴注入层，在所述 空穴注入层上形成空穴传输层，在所述第二渗杂层上形成电子传输层，在所述电子传输层 上形成电子注入层。
[0025] 第=方面，本发明提供了一种显示装置，包括上述的有机发光器件。
[0026] 由上述技术方案可知，本发明提供一种有机发光器件及其制作方法、显示装置，通 过在第一渗杂层和第二渗杂层之间制备一层辅助层，W改善第一渗杂层的性能，能够解决 不良异质介面的问题，进而改善OLED寿命、降低操作电压及提升效率。
【附图说明】
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W 根据该些图获得其他的附图。
[002引图1是具有藍光发光层的有机发光器件的结构示意图；
[0029] 图2是本发明一实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图；
[0030] 图3是本发明另一实施例提供的一种有机发光器件的剖面结构示意图；
[0031] 图4是本发明另一实施例提供的一种有机发光器件制作方法的流程示意图；
[0032] 图5是本发明另一实施例提供的光谱图。
【具体实施方式】
[0033] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0034] 如图2所示，本发明一实施例提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括：第 一电极、第二电极W及有机功能层。
[0035] 其中，有机功能层包括通过第一制程制备的第一渗杂层，通过第二制程制备的第 二渗杂层，W及形成于所述第一渗杂层和所述第二渗杂层之间的辅助层。
[0036] 本实施例中，辅助层的材料与第二渗杂层的主体材料相同，所述辅助层用于改善 所述第一渗杂层的性能。
[0037] 其中，辅助层的电子迁移率大于lXl(T4m2/V.S，厚度为Inm至5nm。
[003引本实施例中，辅助层通过第二制程制备而成。即辅助层和第二渗杂层通过相同的 制程制备而成。
[0039] 本实施例中，所述第一渗杂层为有机发光层，所述第二渗杂层为藍光共通层。则 在第一渗杂层和第二渗杂层之间设置了辅助层，辅助层的材料与藍光共通层的主体材料相 同，有助于改善有机发光层的性能。
[0040] 本实施例中，用于制备第一渗杂层的第一制程为旋涂法、刮涂法、电喷涂布法、狭 缝式涂布法、条状涂布法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法及凸板印 刷法中的任意一种。
[0041] 本实施例中，用于制备第二渗杂层和辅助层的第二制程为真空热蒸锻、有机气相 沉积、激光感应热成像及福射诱发升华转印中的任意一种。
[0042] 如图2所示，有机功能层还包括：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注 入层。
[0043] 本发明另一实施例提供了上述有机发光器件的制作方法，该方法包括：在基板上 依次形成第一电极、有机功能层及第二电极。
[0044] 其中，形成所述有机功能层包括：通过第一制程制备第一渗杂层，在所述第一渗杂 层上形成辅助层，在所述辅助层上通过第二制程制备第二渗杂层，其中所述辅助层用于改 善所述第一渗杂层的性能。
[0045] 本实施例中，所述辅助层的材料与所述第二渗杂层的主体材料相同，该辅助层用 于改善所述第一渗杂层的性能。
[0046] 其中，辅助层的电子迁移率大于lXl(T4m2/V.S，厚度为Inm至5nm。
[0047] 本实施例中，形成所述辅助层具体包括：通过第二制程制备所述辅助层。
[0048] 本实施例中，所述第一渗杂层包括有机发光层，所述第二渗杂层包括藍光共通层。
[0049] 本实施例中，所述第一制程为旋涂法、刮涂法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、条状涂 布法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法及凸板印刷法中的任意一种。 [0化0] 所述第二制程为真空热蒸锻、有机气相沉积、激光感应热成像及福射诱发升华转 印中的任意一种。
[0化1] 具体来说，形成所述有机功能层还包括如下步骤；在所述第一电极上形成空穴注 入层，在所述空穴注入层上形成空穴传输层，在所述第二渗杂层上形成电子传输层，在所述 电子传输层上形成电子注入层。
[0化2] 本发明另一实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例中的有机发光器件。显 示装置例如可W为显示面板、显示器、平板电脑、移动电话、导航仪、照相机、摄像机、电视机 等具有显示功能的设备。
[0化3] 实施例1
[0054] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面结合如图3所示的有机发光器件结构 的剖面示意图说明实施例1，如图4所示，该实施例的制作方法可具体包括如下步骤：
[0化5] S1 ;在基板1上形成氧化铜锡层（IndiumTin化ides,ITO)，刻蚀该ITO层形成第 一电极2 ;
[0056]其中，基板1为透明玻璃，第一电极2的厚度约为70nm。需要说明的是，在形成第 一电极2后，将ITO玻璃基底在去离子水、丙酬和无水己醇的超声环境中清洗，清洗后用氮 气N2吹干并利用氧气