等离子体对其进行处理。
[0化7]S2 ;通过旋涂法，在第一电极2上依次形成空穴注入层3、空穴传输层4及第一渗 杂层5 ;
[0化引 具体来说，首先在第一电极2上旋涂化ly(3, 4-eth^enedio巧thio地ene) :P oly(styrenesulfonate)简称阳D0T:PSS(3, 4-己締二氧唾吩的聚合物；聚苯己締横酸 钢），形成空穴注入层3,空穴注入层3的厚度约为20nm;然后在空穴注入层3上旋涂 化lyvinylcarbazole简称PVK(聚己締基巧挫），形成空穴传输层4,空穴传输层4的厚度 约为20nm;进一步地，在空穴传输层上旋涂形成第一渗杂层5,而第一渗杂5的渗杂主体为 polyfluorene(聚巧），第一渗杂层 5 的渗杂客体为Tris(2-phenylpyridine)iridium(III) 简称Ir(ppy) 3 (S(2-苯基化晚）合银（III))，第一渗杂层5的厚度约为60皿。
[0化9] S3;通过真空热蒸锻的方式，在第一渗杂层5上沉积辅助层6;
[0060] 具体来说，将上述处理过的基片置于蒸锻腔室内，待真空度低于5X10-4化后， 通过真空热蒸锻的方式，沉积2-methy；L-9,l〇-bis(naphthalen-2-;yl)ant虹acene简称 MADN(2-甲基-9, 10-双（蒙-2-基）慈），形成辅助层6,辅助层6的厚度约为2皿。
[0061] S4 ;通过真空热蒸锻的方式，在辅助层6上依次沉积第二渗杂层7、电子传输层8、 电子注入层9及第二电极10。
[0062] 具体来说，通过真空热蒸锻的方式，在辅助层6上沉积形成第二渗杂 层7,第二渗杂层7为藍光共通层，其渗杂主体为MAND，渗杂客体为藍色巧光材料 l-4-di-[4-饥N-di地en}d)amino]sty巧 1-benzene简称DSA-Ph，渗杂客体的浓度约为 5%，第二渗杂层7的厚度约为18皿；接着在第二渗杂层7上沉积4, 7-Diphen^-l，10-phe nant虹oline(4, 7-二苯基-1, 10-菲罗咐）简称化hen,形成电子传输层8,电子传输层8的 厚度约为20nm;在电子传输层8上沉积LiF(氣化裡），形成电子注入层9,电子注入层9的 厚度约为1皿;在电子注入层上A1 (侣），形成第二电极10,第二电极10的厚度约为120皿。 [006引在上述真空热蒸锻过程中，除A1使用金属阴极掩膜版（metalmask)刻蚀且蒸发 速率为0. 3nm/s外，其余各层均使用开放掩膜版（openmask)刻蚀且蒸发速率为0.Inm/s; 器件的发光面积为2mmX2mm。
[0064]为了体现本发明实施例1的技术效果，下面说明了一对比实施例提供的一种有机 发光器件的制作方法：
[00化]参照图1，该对比实施例所制备的器件包括依次层叠的包括透明IT0阳极玻璃基 底、空穴注入层、空穴传输层、第一渗杂层/有机发光层、第二渗杂层/藍光共通层、电子传 输层、电子注入层和第二电极/阴极，制备方法如下：
[0066] 该实施例中，IT0玻璃基底为带有氧化铜锡薄膜的透明玻璃，第一电极为口0， 其层厚度约为 7〇nm，空穴注入层为F*〇ly(3, 4-eth}denedio;sythio地ene) :poly(styre nesulfonate)简称阳D0T:PSS，空穴传输层为化lyvinylcarbazole简称PVK，第一渗 杂层/绿光发光层渗杂主体为polyfluorene，第一渗杂层/绿光发光层渗杂客体为 Tris(2-phenylpyridine)iridium(ni)简称Ir(ppy) 3,第二渗杂层/藍光发光层渗杂主体 为 2-methy]_-9,l〇-bis(naphthalen-2-;yl)ant虹acene简称MAND，第二渗杂层 / 藍光共通层 渗杂客体为l-4-di-[4-饥N-di地en}d)amino]sty巧1-benzene简称DSA-Ph，电子传输层 为4, 7-Dipheny；L-l, 10-phenant虹oline简称化hen,电子注入层为LiF，第二电极/阴极为 Alo
[0067] 将上述带有IT0 (其面电阻<300 / □)的透明玻璃基底，经过光刻形成IT0图案 电极，然后依次将IT0玻璃基底在去离子水、丙酬、和无水己醇中超声环境中清洗，结束后 用N2吹干并进行02plasma(等离子体）的处理。然后依次在IT0上依次旋涂空穴注入层 阳DOT:PSS(20nm)、空穴传输层PVK(20nm)及第一渗杂层polyfluorene:Ir(卵y) 3 (60nm)。 最后将处理好的基片置于蒸锻腔室中，待真空度低于5X10-4化后，通过真空热蒸锻 的方式，依次沉积第二渗杂层/藍光共通层MAND:DSA-Ph(5 % ) (20nm)，电子传输层 化hen(20nm)，电子注入层LiF(lnm)，第二电极/阴极A1 (120nm)。上述蒸锻过程中，除A1 使用金属阴极掩膜版（metalmask)且蒸发速率为0. 3nm/s外，其余各层均使用开放掩膜版 (openmask)且蒸发速率为0.Inm/s;器件的发光面积为2mmX2mm。
[0068] 对上述实施例1和对比实施例进行测试，可得到如表1所示的实施例1的技术效 果和对比实施例的技术效果的对比结果如下：
[0069] 表1实施例1的技术效果 [00701
【主权项】
1. 一种有机发光器件，包括：第一电极、第二电极以及有机功能层，其特征在于： 所述有机功能层包括通过第一制程制备的第一掺杂层，通过第二制程制备的第二掺杂 层，以及形成于所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的辅助层。
2. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述辅助层的材料与所述第二 掺杂层的主体材料相同，所述辅助层用于改善所述第一掺杂层的性能。
3. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述辅助层的电子迀移率大于 IXKT4m2A. S0
4. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述辅助层的厚度为Inm至 5nm〇
5. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述辅助层通过第二制程制备 而成。
6. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一掺杂层包括有机发光 层，所述第二掺杂层包括蓝光共通层。
7. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一制程为旋涂法、刮涂 法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、条状涂布法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷 嘴印刷法及凸板印刷法中的任意一种。
8. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第二制程为真空热蒸镀、有 机气相沉积、激光感应热成像及辐射诱发升华转印中的任意一种。
9. 根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括：空穴注 入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层。
10. -种有机发光器件的制作方法，所述方法包括：在基板上依次形成第一电极、有机 功能层及第二电极，其特征在于： 形成所述有机功能层包括：通过第一制程制备第一掺杂层，在所述第一掺杂层上形成 辅助层，在所述辅助层上通过第二制程制备第二掺杂层。
11. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述辅助层的材料与所述第二掺杂层 的主体材料相同，所述辅助层用于改善所述第一掺杂层的性能。
12. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述辅助层包括：通过第二制程制 备所述辅助层。
13. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层包括有机发光层，所述 第二掺杂层包括蓝光共通层。
14. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一制程为旋涂法、刮涂法、电喷 涂布法、狭缝式涂布法、条状涂布法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷 法及凸板印刷法中的任意一种。
15. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二制程为真空热蒸镀、有机气相 沉积、激光感应热成像及辐射诱发升华转印中的任意一种。
16. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述有机功能层还包括：在所述第 一电极上形成空穴注入层，在所述空穴注入层上形成空穴传输层，在所述第二掺杂层上形 成电子传输层，在所述电子传输层上形成电子注入层。
17. -种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的有机发光器件。
【专利摘要】本发明提供了一种有机发光器件，包括：第一电极、第二电极以及有机功能层，所述有机功能层包括通过第一制程制备的第一掺杂层，通过第二制程制备的第二掺杂层，以及形成于所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的辅助层，所述辅助层用于改善所述第一掺杂层的性能。本发明还提供了上述有机发光器件的制作方法。本发明还提供了一种包括上述有机发光器件的显示装置。本发明能够解决不良异质介面的问题，进而改善OLED寿命、降低操作电压及提升效率。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-50
【公开号】CN104701458
【申请号】CN201510130819
【发明人】闫光, 廖金龙
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月24日