2)紧密地结合到彼此。
[0044]沉积单元100形成在装载单元200的一侧(例如，与装载单元200共线)，以容置来自装载单元200的结合到基底500的掩模组件(图4的610)，沉积材料(例如，设定或预定的沉积材料)沉积到处于沉积单元100的基底500上。
[0045]在卸载单元300中，使在穿过沉积单元100的同时完成了沉积的基底500与掩模组件(图4的610)分离。与基底500分离的掩模组件(图4的610)经由第二传送单元420返回到装载单元200。为了在一个基底500上多次执行沉积操作，基底500可拆卸地结合到的掩模组件(图4的610)可以经由第二传送单元420返回到装载单元200以再次执行沉积操作。
[0046]沉积单元100可以包括至少一个沉积室101。根据图1和图2中示出的本实施例，沉积单元100包括在其中可以设置有多个沉积组件100-1至100-11的室101。根据图1中示出的本实施例，可以在室101中设置第一沉积组件100-1至第i^一沉积组件100-11 ;然而，沉积组件的数量可以根据例如沉积材料和沉积条件而变化。在沉积过程期间将室101
保持在真空。
[0047]传送单元400包括用于传送掩模组件(图4的610)的第一传送单元410和第二传送单元420。例如，第一传送单元410和第二传送单元420分别在室101中设置在沉积组件100-1至100-11的上方和下方，沉积组件(图4的610)在第一传送单元410和第二传送单元420之间循环(例如，沿第一传送单元410和第二传送单元420交替或移动)，以连续地(例如，重复地)执行沉积操作。
[0048]第一传送单元410对以共线的方式与基底500结合的掩模组件(图4的610)进行传送，从而可以通过沉积组件100-1在基底500上形成有机层。
[0049]第二传送单元420在掩模组件610穿过沉积单元100的同时，将在完成一个沉积循环之后已经在卸载单元300中基底500与之分离的掩模组件(图4的610)返回到装载单元200。否则，基底500结合到的掩模组件(图4的610)会经由第二传送单元420返回到装载单元200，从而对这一个基底500多次执行沉积操作。
[0050]这里，根据图1中示出的本实施例，基底500固定到的掩模组件(图4的610)可以至少移动到沉积单元100。例如，掩模组件(图4的610)已经固定到的基底500可以通过第一传送单元410从装载单元200顺序地移动到沉积单元100，然后移动到卸载单元300，在卸载单元300中与基底500分离的掩模组件(图4的610)通过第二传送单元420返回到装载单元200。
[0051]第一传送单元410在穿过沉积单元100时穿过室101，第二传送单元420对基底500从其分离的掩模组件进行传送。
[0052]在本实施例中，图1和图2示出了第一传送单元410和第二传送单元420分别设置在沉积组件100-1至100-11的上方和下方；然而，本发明的实施例不限于此，即，例如，第一传送单元410和第二传送单元420可以以各种方式形成或者定位在沉积组件100-1至100-11的左侧和右侧。
[0053]这里，第一传送单元410和第二传送单元420可以包括各种构件来使掩模组件(图4的610)移动(例如，以相互作用的方式移动)，例如，以滚轴、线性电动机(LM)引导件、磁悬浮构件等方式。
[0054]图3是通过图1中示出的沉积设备制造的有源矩阵有机发光显示设备的剖视图。
[0055]参照图3，有机发光显示设备的各个组件形成在基底500上。这里，基底500可以是图2中示出的基底500或者通过切开该基底500获得的基底500的一部分(例如，基底500的剖视图)。基底500可以由透明材料形成，例如由玻璃材料、塑料材料或金属材料形成。
[0056]诸如缓冲层51、栅极绝缘层53和层间绝缘层55的公共层可以形成在基底500的整个表面上，包括沟道区52a、源极接触区域52b和漏极接触区域52c的图案化的半导体层52可以形成在基底500上，与图案化的半导体层52构造(或形成)薄膜晶体管(TFT)的栅电极54、源电极56和漏电极57可以形成在基底500上。
[0057]这里，半导体层52可以形成为包括各种材料。例如，半导体层52可以包括例如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一个示例，半导体层52可以包括氧化物半导体或有机半导体材料。
[0058]另外，保护层58覆盖TFT，位于保护层58上并具有平坦化的上表面的平坦化层59可以形成在基底500的整个表面上。包括图案化的像素电极61、与基底500的整个表面对应(例如，大致对应)的对电极62以及包括发射层并设置在像素电极61和对电极62之间的多层结构的中间层63的有机发光器件(OLED)可以位于平坦化层59上。中间层中的一些层(例如，一层或更多层)可以是与基底500的整个表面大致对应的公共层，中间层63的其他层可以是被图案化为与像素电极61相对应的图案层。像素电极61可以通过通路口(例如，通孔)电结合到(例如，电连接到)TFT。覆盖像素电极61的边缘并具有用于限定像素区域的开口的像素限定层60可以形成在平坦化层59上以与基底500的整个表面对应。
[0059]在有机发光显示设备中，至少一些组件可以通过根据前述实施例的沉积设备或制造有机发光显示设备的方法来制造。
[0060]例如，中间层63可以通过根据以上实施例的沉积设备或制造有机发光显示设备的方法来形成。例如，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)可以包括在中间层63中，并且可以通过根据以上实施例的沉积设备或制造有机发光显示设备的方法来形成。
[0061]S卩，当在其上形成有像素电极61的基底上形成中间层63的每个层时，在沉积操作期间沉积源和基底中的一个相对于另一个移动。沉积源与基底隔开(例如，分隔开或分开)。
[0062]另外，在图3中示出的有机发光显示设备中，每个单元像素包括可以发射各种颜色的光的多个子像素。例如，有机发光显示设备可以包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素(例如，RGB有机发光显示器)、发射白光的子像素(例如，白色OLED有机发光显示器)或者分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(例如，RGBW有机发光显示器)。
[0063]S卩，子像素均可以包括具有发射各种颜色的光的有机发射层的中间层。例如，子像素包括具有发射红色、绿色和/或蓝色的光的有机发射层的中间层。
[0064]作为另一个示例，发射各种颜色的光的子像素可以包括发射相同颜色(例如，白色)的光的中间层(或有机发射层)，并且可以包括将白光转换成具有特定颜色(例如，预定颜色)的光的颜色转换层或滤色器。
[0065]发射白光的中间层可以具有多种结构，例如，至少发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质彼此堆叠的结构。在另一个示例中，发射白光的中间层可以包括至少发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质混合的结构。
[0066]红色、绿色和蓝色是示例，本发明不限于此。换言之，除了红色、绿色和蓝色的组合之外，还可以采用能够发射白光的其他各种颜色的任意组合。
[0067]图4是图1的沉积单元100的透视图。
[0068]参照图4，根据本发明的实施例的沉积设备I的沉积单元100可以包括一个或更多个沉积组件100-1至100-11以及传送单元(参照图1的400)。在下文中，将描述沉积单元100的构造。
[0069]基底500 (即，沉积目标)设置在沉积单元100中。基底500可以是用于平板显示设备的基底，即，40英寸或更大的大型基底，例如，可以由其制造多个平板显示设备的母玻
3? ο
[0070]这里，根据本实施例，在基底500结合到的掩模组件610相对于沉积组件100-1至100-11移动的同时执行沉积。即，在基底500结合到的且设置为面向沉积组件100-1至100-11的掩模组件610沿图4中示出的箭头A指示的方向移动的同时执行(例如，连续地执行)沉积。即，在沿图4的箭头A指示的方向移动基底500的同时，以扫描方式来执行沉积。这里，在图4中，在基底500结合到的掩模组件610在室中沿A方向移动的同时执行沉积；然而，实施例不限于此，即，在沉积过程期间，沉积组件100-1至100-11可以沿方向A移动，而基底500是固定的。
[0071]另外，为了在基底500结合到的掩模组件610与沉积组件100-1至100-11相对于彼此移动的同时执行沉积，沉积组件100-1至100-11和基底500构造为彼此分开一定的距离(例如，预定的距离)。
[0072]沉积组件100-1至100-11中的每个包括设置为在室101中面向基底500并且构造为容纳并加热(例如，蒸发)沉积材料的至少一个沉积源110。另外，当沉积源110中的沉积材料蒸发时，沉积材料沉积到基底500上。这里，沉积组件100-1至100-11中的每个包括三个沉积源；然而，本发明的实施例不限于此，即，沉积源的数量和种类可以根据例如沉积设备I的形状、沉积量和处理时间来改变。
[0073]这里，按照根据本实施例的沉积设备和沉积方法，用于形成公共层的掩模组件610和用于形成图