一种有机发光显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明显示技术领域，具体涉及一种电容精度高、制备工艺简单的有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机发光显示二极管(英文全称Organic Light-Emitting D1de,简称0LED)是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]有源矩阵有机发光显示装置(英文全称Active Matrix organic lightingemitting display,简称AMOLED),利用薄膜晶体管(英文全称Thin Film Transistor,简称TFT)，搭配电容存储信号，来控制OLED的亮度和灰阶表现。每个单独的AMOLED具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。AMOLED具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。
[0004]随着显示面板的大尺寸化，显示装置的功耗越来越高，研究发现增大存储电容可有效增大驱动阶段的电流，从而有效降低功耗；另外，存储电容增大还可以有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压。因此，在不影响显示装置开口率的条件下，应尽量提高电容值。
[0005]现有技术中，根据TFT结构的不同，常用的电容制备工艺有三种:一是，以形成薄膜晶体管中栅极的金属层作为电容的第一电极板，以形成栅极绝缘层和/或层间绝缘层的绝缘材料层作为电容的介质层，以形成源极和漏极的金属层作为电容的第二电极板；二是，在多晶硅作为TFT半导体层的OLED器件中，在部分多晶硅层中施以掺杂离子，使之电极化作为电容的第一电极板，再以栅极绝缘层和栅极层分别作为电容介质层和电容的第二电极板；三是，以形成薄膜晶体管中栅极的金属层作为电容电极板之一，以形成栅极绝缘层和/或层间绝缘层的绝缘材料层作为电容的介质层，另外再形成一层金属层作为电容的另一个电极。
[0006]上述电容制备工艺中，电容电极板通常与薄膜晶体管中的金属层同时图案化得至IJ，在一定程度上简化了工艺步骤，但是电容的两个电极分属不同的金属层(或导电层，如掺杂后的多晶硅层)，每个电容电极板都需要经过一次光刻工艺、一次刻蚀工艺以及一次沉积工艺才能制得，而在此过程中工艺偏差会严重影响电容的精度，从而影响显示屏屏体亮度的均匀性。
[0007]此外，为了满足像素开口率要求，上述电容结构通常只能通过减少电容介质层的厚度来提高电容值，这在工艺上又需要增加一道刻蚀工序，增大了整个有机发光显示装置制备工艺复杂程度，不但降低了产品的良率，而且增加了工艺成本。
【发明内容】
[0008]为此，本发明所要解决的是现有有机发光显示装置中电容精度低、工艺复杂的问题，提供一种电容精度高、制备工艺简单的有机发光显示装置及其制备方法。
[0009]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下:
[0010]本发明所述的一种有机发光显示装置，包括:
[0011 ]基板；
[0012]设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极、源极/漏极，以及使所述有源层、所述栅极、所述源极/漏极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接；
[0013]设置在基板上方的有机发光二极管；
[0014]设置在基板上方的电容，所述电容进一步至少两个电容电极板，以及直接设置在相邻两个所述电容电极板之间的电容介质层；
[0015]所有所述电容电极板垂直于所述基板的上平面设置，所有所述电容电极板与所述源极/漏极由同种材料形成于同一层中，相邻两个所述电容电极板之间的所述绝缘层构成所述电容介质层。
[0016]所有所述电容电极板为平行的层状结构。
[0017]所有所述电容电极板为梳齿状平行交叉排列结构。
[0018]所述电容电极板为柱形以及套合在所述柱形外侧的环状结构。
[0019]各所述电容电极板平行于所述基板的横截面形状相同。
[0020]所述电容电极板为铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层。
[0021]所述有机发光二极管进一步包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接。
[0022]本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0023]S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；
[0024]S2、通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，在所述基板的电容区域形成垂直于所述基板的电容电极板凹槽；
[0025]S3、在所述绝缘层上直接形成金属层并图案化，形成电容电极板，以及与所述有源层接触连接的源极和漏极。
[0026]所述电容电极板为平行的层状结构。
[0027]所述电容电极板为梳齿状平行交叉排列结构。
[0028]所述电容电极板为柱形以及套合在所述柱形外侧的环状结构。
[0029]各所述电容电极板平行于所述基板的横截面形状相同。
[0030]步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上依次包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接。
[0031]步骤SI中还包括在所述基板上直接形成缓冲层。
[0032]步骤S3中所述金属层为铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层。
[0033]所述薄膜晶体管具有顶栅结构或底栅结构或双栅结构。
[0034]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0035]1、本发明提供一种有机发光显示装置，包括基板、薄膜晶体管、电容以及有机发光二极管，所述电容电极板垂直于所述基板的上平面设置，所述电容电极板与所述源极/漏极由同种材料形成于同一层中，相邻电容电极板之间的绝缘层构成电容介质层；所述有机发光显示装置中所述电容垂直于所述基板的上平面设置，占用所述基板平面面积小，可有效提高像素开口率；同时，在此基础上，可以通过增加电容面积或减少电容介质层厚度来提闻电容值，提闻显不品质。
[0036]2、本发明提供一种有机发光显示装置的制备方法，在基板上制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极，再通过光刻和刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，在所述基板的电容区域形成垂直于所述基板的电容电极板凹槽；在所述层间绝缘层上直接形成金属层并图案化，形成电容电极板，以及与所述有源层接触连接的源极和漏极；所有所述电容电极板通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提高电容的精度，提高显示亮度的均匀性。