备。
[0096]如图1b所示，所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72平行于所述基板I的横截面形状相同。
[0097]步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上依次包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接，具体实施工艺同现有技术。
[0098]作为本发明的其他实施例，步骤SI中还包括在所述基板上直接形成缓冲层11，所述缓冲层11选自但不限于氮化硅，氧化硅等绝缘材料层，本实施例优选氧化硅层，通过化学气相沉积工艺制备。
[0099]本实施例中所述有机发光显示设备的制备方法，各个电容电极板，即所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72，通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提闻电容的精度，提闻显不设备显不売度的均勻性。
[0100]实施例4
[0101]本实施例提供一种有机发光显示设备及其制备方法，如图4a和4b所示，所述有机发光显示设备及其制备方法同实施例3，唯一不同的是所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72为平行的层状结构。
[0102]本实施例所提供的有机发光显示装置中电容垂直于所述基板的上平面设置，占用所述基板平面面积小，可有效提高像素开口率；同时，在此基础上，可以通过增加电容面积或减少电容介质层厚度，以及增加所述电容的电极数量来提高电容值，提高显示品质。更重要的是，电容第一电极板71和电容第二电极板72通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提闻电容的精度，提闻所述有机发光显不装置显不売度的均勻性。
[0103]为了方便解释本发明所述有机发光显示装置的，上述实施例中所述有机发光显示装置的剖视图仅示出了一个薄膜晶体管、一个电容和一个发光二极管，本发明在不增加工序的情况下，本发明所述的有机发光显示装置可以包括若干薄膜晶体管、若干电容以及若干发光二极管。
[0104]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括: 基板； 设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极、源极/漏极，以及使所述有源层、所述栅极、所述源极/漏极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接； 设置在基板上方的有机发光二极管； 设置在基板上方的电容，所述电容进一步至少两个电容电极板，以及直接设置在相邻两个所述电容电极板之间的电容介质层； 其特征在于， 所有所述电容电极板均垂直于所述基板的上平面设置，所有所述电容电极板与和所述源极/漏极均由同种材料形成于同一层中，相邻两个所述电容电极板之间的所述绝缘层构成所述电容介质层。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所有所述电容电极板为平行的层状结构。
3.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所有所述电容电极板为梳齿状平行交叉排列结构。
4.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述电容电极板为柱形以及套合在所述柱形外侧的环状结构。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种有机发光显不装置,其特征在于,各所述电容电极板平行于所述基板的横截面形状相同。
6.根据权利要求5所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述电容电极板为铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层。
7.根据权利要求6所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管进一步包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接。
8.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极； 52、通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，在所述基板的电容区域形成垂直于所述基板的电容电极板凹槽； 53、在所述绝缘层上直接形成金属层并图案化，形成电容电极板，以及与所述有源层接触连接的源极和漏极。
9.根据权利要求8所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述电容电极板为平行的层状结构。
10.根据权利要求9所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述电容电极板为梳齿状的平行交叉排列结构。
11.根据权利要求10所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述电容电极板为柱形以及套合在所述柱形外侧的环状结构。
12.根据权利要求8-11任一所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，各所述电容电极板平行于所述基板的横截面形状相同。
13.根据权利要求12所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上依次包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接。
14.根据权利要求13所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤SI中还包括在所述基板上直接形成缓冲层。
15.根据权利要求14所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述金属层为铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层。
16.根据权利要求15所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管具有顶栅结构或底栅结构或双栅结构。
【专利摘要】本发明提供一种有机发光显示装置，包括基板、薄膜晶体管、电容以及有机发光二极管，电容电极板垂直于基板设置，电容电极板与源极/漏极由同种材料形成于同一层中，相邻电容电极板之间的绝缘层构成电容介质层；有机发光显示装置中电容垂直于基板设置，占用所述基板平面面积小，可有效提高像素开口率；同时，在此基础上，可以通过增加电容面积或减少电容介质层厚度来提高电容值，提高显示品质。更重要的是，所有电容电极板通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提高电容的精度，提高显示亮度的均匀性。
【IPC分类】H01L27-32, H01L21-77
【公开号】CN104733492
【申请号】CN201310717902
【发明人】柳冬冬
【申请人】昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司, 昆山国显光电有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月23日