一种有机发光显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及平板显示技术领域，具体涉及一种可提高第一电极层表面平坦度并防 止边缘漏电的有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光显示装置按照其驱动方式可以分为有源矩阵有机发光显示装置(英文 全称Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，简称AM0LED)和无源矩阵有 机发光显示装置（英文全称Passive Matrix Organic Lighting Emitting Display,简称 AMOLED)，有源矩阵有机发光显示装置利用薄膜晶体管(英文全称Thin Film Transistor， 简称TFT),搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管(英文全称Organic Lighting Emitting Display，简称0LED)的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管具有完整 的阴极、有机功能层和阳极，阳极接入薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。有源矩阵有机发光 显示装置具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长以及可实现柔性等特点，因此 在显示技术领域得到了高度重视。
[0003] 现有技术中的有源矩阵有机发光显示装置如图1所示，薄膜晶体管阵列与有机发 光二极管之间设置有平坦化层117,有机发光二极管的第一电极层121通过设置在平坦化 层117中的通孔与薄膜晶体管阵列中的驱动晶体管的源极116b或漏极116a电连接。平坦 化层117不但可以使两者绝缘，还可以为有机发光二极管提供一个平整的衬底，是有源矩 阵有机发光显示装置中必不可少的一个元件。在第一电极层121的制备过程，由于通孔存 在，如图1中虚线圈所示，第一电极层121的常会出现尖锐的转角，极易出现尖端放电效应， 若直接在包括尖锐转角的第一电极层121上继续制备有机发光二极管的发光层122和第二 电极层123,转角处极易出现漏电流过大的现象，不但会减少显示装置的寿命，也容易导致 显示画面出现像素暗点或死点的缺陷，从而影响显示品质。
[0004] 为了避免上述问题，第一电极层121需要极佳的平整度，如图1所示，现有技术中 常采用在第一电极层层121的不平整区域设置像素限定层130的方法以避开这些尖锐的转 角，减小像素单元的面积，在第一电极层层121上较平整的区域设置有机发光二极管，从而 避免上述由于尖端放电效应带来的问题。但是，上述解决方法会浪费大量的第一电极区域， 大大减小了有机发光二极管的发光面积（即像素单元的面积)，从而减小了显示装置的显示 亮度。为此，现有技术往往采用增大电流和电压的方式以提高显示装置的亮度，而这一方法 又会造成有机发光显示装置寿命的缩减，影响正常使用。
【发明内容】
[0005] 为此，本发明所要解决的有机发光显示装置为了保证第一电极的平整度，从而使 得发光区域面积过小、影响显示亮度和显示寿命的问题，提供一种第一电极平整度高、发光 区域面积大的有机发光显示装置及其制备方法。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
[0007] 本发明所述的一种有机发光显示装置，包括
[0008]基板；
[0009] 薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源\漏电极层以及将半导体层、栅极层、源 \漏电极层彼此分开的第一绝缘层和/或第二绝缘层；
[0010] 平坦化层，直接设置在薄膜晶体管上；
[0011] 有机发光二极管，直接设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机发光层和第二电 极层；
[0012] 第一电极层通过设置在平坦化层中的通孔与源\漏电极层接触电连接；
[0013] 所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板上的平台区域，所述平台区域包括 与所述半导体层同层以同种材料形成的第一台阶层、与所述栅极层同层以同种材料形成的 第二台阶层，所述半导体层和所述第一台阶层不相连，所述栅极层与所述第二台阶层不相 连，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层延伸覆盖至所述平台区域；
[0014] 所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层在所述基板上的投影 落入另一层在所述基板上的投影范围内；
[0015] 所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置第三绝缘层；
[0016] 所述源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上；
[0017] 所述通孔设置在所述平台区域对应的所述平坦化层中。
[0018] 所述第一台阶层与所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置有第三台阶层， 所述第三台阶层在所述基板上的投影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小 的一层在所述基板上的投影范围内；所述第三绝缘层覆盖在所述第三台阶层远离所述基板 的表面和侧面。
[0019] 所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述半导体层、所述第一 绝缘层、所述栅极层、所述第二绝缘层和所述源\漏电极层。
[0020] 所述薄膜晶体管包括在垂直方向上自下而上依次设置的所述栅极层、所述第一绝 缘层或所述第二绝缘层、所述半导体层和所述源\漏电极层。
[0021] 所述通孔的侧壁与所述源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°。
[0022] 所述有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
[0023]S11、在基板上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第一台阶 层；
[0024]S12、在基板上直接形成覆盖半导体层和第一台阶层的第一绝缘层；
[0025]S13、在第一绝缘层上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第二台阶 层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；
[0026]S14、在第一绝缘层上直接形成覆盖栅极层和第二台阶层的第二绝缘层；
[0027]S15、在第二绝缘层上形成第三绝缘层；
[0028]S16、在第一绝缘层和第二绝缘层中形成2个暴露半导体层部分区域的通孔，在第 二绝缘层上形成源\漏电极层，并图案化形成与半导体层接触连接的源极或漏极，源极或 漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；
[0029]S17、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；
[0030]S18、在第三绝缘层离基板最远的表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏 电极层的通孔；
[0031]S19、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S8形成的部分源\漏电极层表面 的第一电极层。
[0032] 步骤S15中还包括在第二绝缘层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶 层的步骤，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
[0033] 所述有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
[0034]S21、在基板上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第一台阶层；
[0035]S22、在基板上直接形成覆盖栅极层和第一台阶层的第一绝缘层；
[0036]S23、在第一绝缘层上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第 二台阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内；
[0037]S24、在第二台阶层上形成第三绝缘层；
[0038]S25、在半导体层上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半导体 层两端接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上；
[0039]S26、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层；
[0040]S27、在第三绝缘层离基板最远表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电 极层的通孔；
[0041]S28、在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S27形成的部分源\漏电极层表面 的第一电极层。
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