不连接的半导体层 111和第二台阶层142,第二台阶层142在基板110上的投影落入第一台阶层141在基板 110上投影范围内。
[0101]S24、在第二台阶层142上直接形成第二金属层，并图案化形成第三台阶层143,在 第二台阶层142上形成覆盖第三台阶层142的第三绝缘层115,即第三台阶层143远离所述 基板110的表面和侧壁被所述第三绝缘层115覆盖。
[0102] S25、在半导体层111上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半 导体层111两端接触连接的源极116b或漏极116a，源极116b延伸覆盖在第三绝缘层115 上。
[0103]S26、在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层117。
[0104]S27、通过干法刻蚀工艺，在第三绝缘层115离基板110最远表面对应的平坦化层 117区域设置暴露部分源极116b的通孔。
[0105]S28、在平坦层117上直接形成覆盖平坦化层117和步骤S27形成的部分源\漏电 极层表面的第一电极层121 ;在平坦化层117上直接形象覆盖第一电极层121边缘用以限 定像素单元的像素限定层130。
[0106] 本实施例上述制备方法中，各层所用材料和具体实施工艺均同现有技术。设置在 平台区域中的各膜层可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度 的情况下，即可实现增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大 规模生产应用，可以产生可观的经济效益。
[0107] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对 于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1. 一种有机发光显示装置，包括 基板； 薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源\漏电极层以及将半导体层、栅极层、源\漏电 极层彼此分开的第一绝缘层和\或第二绝缘层； 平坦化层，直接设置在薄膜晶体管上； 有机发光二极管，直接设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机发光层和第二电极 层； 第一电极层通过设置在平坦化层中的通孔与源\漏电极层接触电连接； 其特征在于， 所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板上的平台区域，所述平台区域包括与所 述半导体层同层以同种材料形成的第一台阶层、与所述栅极层同层以同种材料形成的第二 台阶层，所述半导体层和所述第一台阶层不相连，所述栅极层与所述第二台阶层不相连，所 述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层延伸覆盖至所述平台区域； 所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层在所述基板上的投影落入 另一层在所述基板上的投影范围内； 所述第一台阶层和所述第二台阶层中远离所述基板的一层上设置第三绝缘层； 所述源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上； 所述通孔设置在所述平台区域对应的所述平坦化层中。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一台阶层与所述第 二台阶层中远离所述基板的一层上设置有第三台阶层，所述第三台阶层在所述基板上的投 影落在所述第一台阶层与所述第二台阶层中面积较小的一层在所述基板上的投影范围内； 所述第三绝缘层覆盖在所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧面。
3. 根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括在垂 直方向上自下而上依次设置的所述半导体层、所述第一绝缘层、所述栅极层、所述第二绝缘 层和所述源\漏电极层。
4. 根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括在垂 直方向上自下而上依次设置的所述栅极层、所述第一绝缘层或所述第二绝缘层、所述半导 体层和所述源\漏电极层。
5. 根据权利要1-4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述通孔的侧壁与所述源 \漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°。
6. -种权利要求1或2或3或5所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包 括如下步骤： 511、 在基板上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第一台阶层； 512、 在基板上直接形成覆盖半导体层和第一台阶层的第一绝缘层； 513、 在第一绝缘层上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第二台阶层， 第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内； 514、 在第一绝缘层上直接形成覆盖栅极层和第二台阶层的第二绝缘层； 515、 在第二绝缘层上形成第三绝缘层； 516、 在第一绝缘层和第二绝缘层中形成2个暴露半导体层部分区域的通孔，在第二绝 缘层上形成源\漏电极层，并图案化形成与半导体层接触连接的源极或漏极，源极或漏极 延伸覆盖在第三绝缘层上； 517、 在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层； 518、 在第三绝缘层离基板最远的表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极 层的通孔； 519、 在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S8形成的部分源\漏电极层表面的第 一电极层。
7. 根据权利要求1或2或4或5所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包 括如下步骤： 521、 在基板上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层和第一台阶层； 522、 在基板上直接形成覆盖栅极层和第一台阶层的第一绝缘层； 523、 在第一绝缘层上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导体层和第二台 阶层，第二台阶层在基板上的投影落入第一台阶层在基板上投影范围内； 524、 在第二台阶层上形成第三绝缘层； 525、 在半导体层上直接形成源\漏电极层，并图案化形成不相连的分别与半导体层两 端接触连接的源极或漏极，源极或漏极延伸覆盖在第三绝缘层上； 526、 在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化层； 527、 在第三绝缘层离基板最远表面对应的平坦化层区域设置暴露部分源\漏电极层 的通孔； 528、 在平坦层上直接形成覆盖平坦化层和步骤S27形成的部分源\漏电极层表面的第 一电极层。
8. 根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S15中还包 括在第二绝缘层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层 远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
9. 根据权利要求8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S24中还包 括在第二台阶层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶层的步骤，所述第三台阶层 远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
10. 根据权利要求7-10任一所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤 S18和步骤S27中的所述通孔通过干法刻蚀工艺制备。
【专利摘要】本发明所述的一种有机发光显示装置，在形成薄膜晶体管的过程中同时形成一个包括第一台阶层、第二台阶层、第三绝缘层以及薄膜晶体管中延伸至第一台阶层、第二台阶层上的第一绝缘层和\或第二绝缘层的平台区域；将源\漏电极层中的源极或漏极延伸覆盖在所述第三绝缘层上，用以减小设置在平坦化层中连接第一电极层与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积），提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。
【IPC分类】H01L21-77, H01L51-56, H01L51-52, H01L27-32
【公开号】CN104733491
【申请号】CN201310713105
【发明人】李建文
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月20日