2] 步骤S24中还包括在第二台阶层上直接形成第二金属层并图案化形成第三台阶 层的步骤，所述第三台阶层远离所述基板的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
[0043] 步骤S18和步骤S27中的所述通孔通过干法刻蚀工艺制备。
[0044] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0045] 1、本发明所述的一种有机发光显示装置，在形成薄膜晶体管的过程中同时形成一 个包括第一台阶层、第二台阶层、第三绝缘层以及薄膜晶体管中延伸至第一台阶层、第二台 阶层上的第一绝缘层和/或第二绝缘层的平台区域；将源\漏电极层中的源极或漏极延伸 覆盖在所述第三绝缘层上，用以减小设置在平坦化层中连接第一电极层与源\漏电极层的 通孔的深度，可有效实现第一电极层局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的 第一电极层不平坦的影响，可有效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光 二极管的发光面积)，提高有机发光显示装置开口率和使用寿命。
[0046] 2、本发明所述的一种有机发光显示装置，设置在平坦化层中的通孔的侧壁与所述 源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层，以减少第一 电极层中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使用寿命， 避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。
[0047]3、本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，设置在平台区域中的各膜层 可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度的情况下，即可实现 增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大规模生产应用，可以 产生可观的经济效益。
【附图说明】
[0048] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0049] 图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
[0050] 图2-11是本发明实施例1中所述有机发光显示装置在制备流程中装置的剖视 图；
[0051] 图12是本发明实施例2中所述有机发光显示装置的剖视图。
[0052] 图中附图标记表示为：110-基板、111-半导体层、112-第一绝缘层、113-栅极层、 114-第二绝缘层、115-第三绝缘层、116a-漏极、116b-源极、117-平坦化层、121-第一电极 层、122-有机发光层、123-第二电极层、130-像素限定层、141-第一台阶层、142-第二台阶 层、143-第三台阶层。
【具体实施方式】
[0053] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。
[0054] 本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。 相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给 本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区 域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作"形成在"或"设置 在"另一元件"上"时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。 相反，当元件被称作"直接形成在"或"直接设置在"另一元件上时，不存在中间元件。
[0055] 实施例1
[0056] 本实施例提供一种有机发光显示装置，如图11所示，包括基板110,设置在基板 110上的薄膜晶体管，直接设置在所述薄膜晶体管上的平坦化层117,直接设置在平坦化层 117上的有机发光二极管。
[0057] 所述薄膜晶体管沿垂直于基板方向进一步包括半导体层111，直接设置在基板 110上并覆盖所述半导体层111的第一绝缘层112 ;直接设置在所述第一绝缘层112上的栅 极层113 ;直接设置在所述第一绝缘层112上，并覆盖所述栅极层113的第二绝缘层114 ;直 接设置在所述第二绝缘层114上的第三绝缘层115,设置在第三绝缘层115上的源\漏电 极层，所述源\漏电极层包括源极116b和漏极116a，所述源极116b和所述漏极116a通过 贯通在所述第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115中通孔与所述半导体层111 接触连接。
[0058] 所述有机发光二极管，包括第一电极层121。
[0059] 所述第一电极层121通过设置在平坦化层117中的通孔与源极116b接触电连接。
[0060] 作为本发明的其他实施例，源极116b和漏极116a可以互换。
[0061] 所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板110上的平台区域，所述平台区域 包括与所述半导体层111同层以同种材料形成的第一台阶层141、与所述栅极层113同层以 同种材料形成的第二台阶层142,所述半导体层111和所述第一台阶层141不相连，所述栅 极层113与所述第二台阶层142不相连，所述第一绝缘层112、所述第二绝缘层114分别延 伸覆盖至所述平台区域的所述第一台阶层141和所述第二台阶层142上。
[0062] 所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层，S卩，所述 第二台阶层142,在所述基板110上的投影落入所述第一台阶层141在所述基板110上的投 影范围内。
[0063] 所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层上设置第 三台阶层143和第三绝缘层115,所述第三绝缘层115延伸覆盖至所述第二绝缘层114上。
[0064] 所述第三台阶层143在所述基板110上的投影落在所述第一台阶层141与所述第 二台阶层142中面积较小的一层，即所述第二台阶层142,在所述基板110上的投影范围内； 所述第三绝缘层115覆盖在所述第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧面。
[0065] 所述第三台阶层143可以为金属层或非金属层，为了降低材料成本和工艺成 本，优选有机发光显示装置中常用的金属或非金属材料，本实施例进一步优选金属材料； 所述第三台阶层143的厚度可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为 1500~6500A,所述第三绝缘层115的厚度也可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本 实施例优选为10000~50000A。所述第三台阶层143的厚度与所述第三绝缘层115的厚度 和需小于或者等于所述平坦化层117远离所述基板110的表面与所述源极116b远离所述 基板110的表面的最小间距。
[0066] 本发明中，所述第三绝缘层115在起到抬高延伸设置在平台区域的源\漏电极层 高度的同时，更重要的目的是，绝缘所述第三台阶层143与所述源\漏电极层。因此，作为 本发明的其他实施例，若所述第三台阶层143为非导电层，所述有机发光显示装置中也可 以不含所述第三绝缘层143。
[0067] 所述第三绝缘层115所用材料与制备方法可以与所述第一绝缘层112或所述第二 绝缘层114相同。
[0068]所述源\漏电极层中的源极116b延伸覆盖在所述第三绝缘层115上。
[0069] 通过在形成薄膜晶体管的过程中同时形成包括第一台阶层141、第二台阶层142 的平台区域，在平台区域还形成第三台阶层143和第三绝缘层115,用以减小设置在平坦化 层117中连接第一电极层121与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层121 局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层121不平坦的影响，可有 效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积)，提高有机发 光显示装置开口率和使用寿命。而且，各台阶层沿远离所述基板110的方向，面积递减（即 相邻台阶层中，远离所述基板110的台阶层在所述基板110上的投影落在另一层在所述基 板110上的投影范围内），可在各所述平台层边缘形成平滑的阶梯，有利于所述源极116b平 滑延伸覆