盖在所述第三绝缘层115上，以减少所述源极116b中形成不平整夹角从而导致膜 层断裂的可能，保证产品的良品率。
[0070] 所述通孔设置所述平台区域对应的所述平坦化层117中，所述通孔的侧壁与所述 源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层121，以减少第 一电极层121中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使 用寿命，避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。
[0071] 所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
[0072]S11、如图2所示，在基板110上形成半导体化合物层，并图案化形成不连接的半导 体层111和第一台阶层141。
[0073] S12、如图3所示，在基板110上直接形成覆盖半导体层111和第一台阶层141的 第一绝缘层112。
[0074]S13、如图4所示，在第一绝缘层112上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅 极层113和第二台阶层142,第二台阶层142在基板110上的投影落入第一台阶层141在基 板110上投影范围内。
[0075]S14、如图5所示，在第一绝缘层112上直接形成覆盖栅极层113和第二台阶层142 的第二绝缘层114。
[0076] S15、如图6所示，在第二绝缘层114上直接形成第二金属层并图案化形成第三台 阶层143,在第二绝缘层114上直接形成覆盖第三台阶层的第三绝缘层115,即第三台阶层 143远离所述基板110的表面和侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
[0077]S16、如图7所示，在第一绝缘层112、第二绝缘层114、第三绝缘层115中形成2个 暴露半导体层111部分区域的通孔，第三绝缘层115上直接形成源\漏电极层，并图案化形 成与半导体层111接触连接的源极116b或漏极116a，源极116b延伸覆盖在第三绝缘层115 上。
[0078]S17、如图8所示，在图案化后的源\漏电极层上直接形成覆盖基板区域的平坦化 层 117。
[0079]S18、如图9所示，通过干法刻蚀工艺，在第三绝缘层离基板110最远的表面对应的 平坦化层117区域设置暴露部分源\漏电极层的通孔。
[0080]S19、如图10所示，在平坦层117上直接形成覆盖平坦化层117和步骤S8形成的 部分源\漏电极层表面的第一电极层121 ;如图11所示，在平坦化层117上直接形象覆盖 第一电极层121边缘用以限定像素单元的像素限定层130。
[0081] 本实施例上述制备方法中，各层所用材料和具体实施工艺均同现有技术。设置在 平台区域中的各膜层可以与薄膜晶体管中的各层同层制备，在不增加工艺步骤和工艺难度 的情况下，即可实现增大像素面积以及提高显示装置使用寿命的目的，工艺简单、易实现大 规模生产应用，可以产生可观的经济效益。
[0082] 实施例2
[0083] 本实施例提供一种有机发光显示装置，如图12所示，包括基板110,设置在基板 110上的薄膜晶体管，直接设置在所述薄膜晶体管上的平坦化层117,直接设置在平坦化层 117上的有机发光二极管。
[0084] 所述薄膜晶体管沿垂直于基板方向进一步包括栅极层113,直接设置在基板110 上并覆盖所述栅极层113的第一绝缘层112 ;直接设置在所述第一绝缘层112上的半导体 层111 ;直接设置所述半导体层111上的源\漏电极层，所述源\漏电极层包括源极116b和 漏极116a。
[0085] 所述有机发光二极管，包括第一电极层121，所述第一电极层121通过设置在平坦 化层117中的通孔与源极116b接触电连接。
[0086] 作为本发明的其他实施例，源极116b和漏极116a可以互换。
[0087] 所述有机发光显示装置还包括直接设置在基板110上的平台区域，所述平台区域 包括与所述半导体层111同层以同种材料形成的第一台阶层141、与所述栅极层113同层以 同种材料形成的第二台阶层142,所述半导体层111和所述第一台阶层141不相连，所述栅 极层113与所述第二台阶层142不相连，所述第一绝缘层112延伸覆盖至所述平台区域的 所述第一台阶层141上。
[0088] 所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层，S卩，所述 第二台阶层142,在所述基板110上的投影落入所述第一台阶层141在所述基板110上的投 影范围内。
[0089] 所述第一台阶层141和所述第二台阶层142中远离所述基板110的一层上设置第 三台阶层143和第三绝缘层115。
[0090] 所述第三台阶层143在所述基板110上的投影落在所述第一台阶层141与所述第 二台阶层142中面积较小的一层，即所述第二台阶层142,在所述基板110上的投影范围内； 所述第三绝缘层115覆盖在所述第三台阶层143远离所述基板110的表面和侧面。
[0091] 所述第三台阶层143可以为金属层或非金属层，为了降低材料成本和工艺成 本，优选有机发光显示装置中常用的金属或非金属材料，本实施例进一步优选金属材料； 所述第三台阶层143的厚度可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本实施例优选为 1500~6500A,所述第三绝缘层115的厚度也可以与薄膜晶体管中其他各层厚度相仿，本 实施例优选为10000~50000A。所述第三台阶层143的厚度与所述第三绝缘层115的厚度 和需小于或者等于所述平坦化层117远离所述基板110的表面与所述源极116b远离所述 基板110的表面的最小间距。
[0092] 本发明中，所述第三绝缘层115在起到抬高延伸设置在平台区域的源\漏电极层 高度的同时，更重要的目的是，绝缘所述第三台阶层143与所述源\漏电极层。因此，作为 本发明的其他实施例，若所述第三台阶层143为非导电层，所述有机发光显示装置中也可 以不含所述第三绝缘层143。
[0093] 所述第三绝缘层115所用材料与制备方法可以与所述第一绝缘层112相同。
[0094] 所述源\漏电极层中的源极116b延伸覆盖在所述第三绝缘层115上。
[0095] 通过在形成薄膜晶体管的过程中同时形成包括第一台阶层141、第二台阶层142 的平台区域，在平台区域还形成第三台阶层143和第三绝缘层115,用以减小设置在平坦化 层117中连接第一电极层121与源\漏电极层的通孔的深度，可有效实现第一电极层121 局部的平坦化，使得像素设计不再受设置在通孔中的第一电极层121不平坦的影响，可有 效增大像素面积（即设置在有机发光显示装置中有机发光二极管的发光面积)，提高有机发 光显示装置开口率和使用寿命。而且，各台阶层沿远离所述基板110的方向，面积递减（即 相邻台阶层中，远离所述基板110的台阶层在所述基板110上的投影落在另一层在所述基 板110上的投影范围内），可在各所述平台层边缘形成平滑的阶梯，有利于所述源极116b平 滑延伸覆盖在所述第三绝缘层115上，以减少所述源极116b中形成不平整夹角从而导致膜 层断裂的可能，保证产品的良品率。
[0096] 所述通孔设置所述平台区域对应的所述平坦化层117中，所述通孔的侧壁与所述 源\漏电极层所在平面的夹角小于或等于45°，可进一步平坦化第一电极层121，以减少第 一电极层121中小角度转角的出现，避免尖端放电效应，提高所述有机发光显示装置的使 用寿命，避免显示画面出现暗点或死点的缺陷，提高显示品质。
[0097] 所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
[0098]S21、在基板110上形成第一金属层，并图案化形成不连续的栅极层113和第一台 阶层141。
[0099] S22、在基板110上直接形成覆盖栅极层113和第一台阶层141的第一绝缘层112。
[0100]S23、在第一绝缘层112上形成半导体化合物层，并图案化形成