【附图说明】
[0037]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0038]图1a是本发明实施例1中所述有机发光显示装置的剖视图；
[0039]图1b是图1a中电容的俯视图；
[0040]图2是本发明实施例2中所述电容的俯视图；
[0041]图3a是本发明实施例3中所述有机发光显示装置的剖视图；
[0042]图3b是图3a中电容的俯视图；
[0043]图4a是本发明实施例4中所述有机发光显示装置的剖视图；
[0044]图4b是图4a中电容的俯视图；
[0045]图中附图标记表示为:1-基板、11-缓冲层、2-有源层、3-栅极绝缘层、4-栅极、5-层间绝缘层、61-源极、62-漏极、71-电容第一电极板、72-电容第二电极板、73-电容介质层、74-电容第三电极板、8-平坦化层、91-有机发光二极管第一电极板层、92-有机发光二极管有机层、93-有机发光二极管第二电极板层、94-像素限定层。
【具体实施方式】
[0046]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
[0047]本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”或“上方”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0048]实施例1
[0049]本实施例提供一种有机发光显示装置，如图1a所示，包括基板1，设置在所述基板I上的薄膜晶体管、有机发光二极管和电容。
[0050]所述薄膜晶体管自下而上依次包括有源层2、栅极4、源极61/漏极62，以及使所述有源层2和所述栅极4分开的栅极绝缘层3，使所述栅极4与所述源极61/漏极62分开的层间绝缘层5 ;所述层间绝缘层5上还直接形成有覆盖所述源极61和所述漏极62的平坦化层8。
[0051 ] 所述有机发光二极管自下而上进一步包括有机发光二极管第一电极板91、有机发光二级管有机层92和有机发光二极管第二电极板93，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板91与所述源极61或所述漏极62电连接；所述平坦化层8上还形成有覆盖所述有机发光二极管第一电极板91部分区域的像素限定层94。
[0052]所述电容进一步包括电容第一电极板71、电容第二电极板72，以及直接设置在所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的电容介质层73。
[0053]所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72垂直于所述基板I设置，所述电容第一电极板71、所述电容第二电极板72与所述源极61/所述漏极62由同种材料形成于同一层中，所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5构成所述电容介质层73。
[0054]本实施例中，所述薄膜晶体管为顶栅结构，作为本发明的其他实施例，所述薄膜晶体管选自不限于底栅结构或双栅结构的薄膜晶体管。
[0055]如图1b所示，本实施例中所述电容第一电极板71与所述电容第二电极板72为梳齿状平行交叉排列结构，即:所述电容第一电极板71与所述电容第二电极板72均为梳齿状，且所述电容第一电极板71中的“梳齿”与所述电容第二电极板72中的“梳齿”呈间隔平行穿插的层状结构，不但可以充分利用有限空间增大电容面积，从而提高电容值；而且可以根据电容布局需要调整电容的长度和宽度，在保证电容数值的情况下，可以最大限度的提高显示装置的开口率。
[0056]所述电容第一电极板为71与所述电容第二电极板72材料相同，选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金。
[0057]本实施例中所述绝缘层包括栅极绝缘层3和层间绝缘层5，因为所述电容介质层73为夹合在所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的部分所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5，所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5分别独立选自氮化硅、氧化硅、氧化铝等绝缘介质中的一种或多种的叠加层，本实施例中所述栅极绝缘层3优选氧化硅层，所述层间绝缘层5优选氮化硅层。
[0058]本实施例中所述绝缘层包括所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5，作为本发明的其他实施例，所述绝缘层还可以仅包括所述栅极绝缘层3或所述层间绝缘层5。
[0059]本实施例所制得的有机发光显示装置中所述电容垂直于所述基板I设置，占用所述基板I平面面积小，充分利用有限空间增大电容面积，提高电容值，可有效提高像素开口率，提闻了显不品质。
[0060]上述一种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0061]S1、在基板I上自下而上依次制备薄膜晶体管中的有源层2、栅极绝缘层3、栅极4和层间绝缘层5。
[0062]所述有源层2选自但不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等半导体层；本实施例优选多晶硅层，制备方法同现有技术:先由化学气相沉积工艺制备单晶硅层，再通过准分子激光晶化(ELA)工艺将单晶硅进行退火处理得到多晶硅层，然后再通过光刻工艺和刻蚀工艺对得到的多晶硅层进行图案化处理，最后进行清洗处理得到有源层2。
[0063]所述栅极绝缘层3选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝，本实施例优选氧化硅，由化学气相沉积工艺制备。
[0064]所述栅极4选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金，先由物理气相沉积工艺沉积金属层，再通过光刻工艺和刻蚀工艺进行图案化。
[0065]所述层间绝缘层5选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝等绝缘材料层，本实施例优选氮化娃和氧化娃堆叠层，由化学气相沉积工艺制备。
[0066]S2、通过光刻和刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，在所述基板I的电容区域形成垂直于所述基板I的电容电极板凹槽(包括第一电极板凹槽和电容第二电极板凹槽)，以及在所述基板I的薄膜晶体管区域形成两个暴露所述有源层2的开口 ；如图1a和Ib所示，所述电容第一电极板71与所述电容第二电极板为梳齿状平行交叉排列结构。
[0067]S3、在所述层间绝缘层5上直接形成金属层并图案化，形成电容第一电极板71和电容第二电极板72，以及与所述有源层2接触连接的源极61和漏极62。
[0068]所述金属层选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金层，通过物理气相沉积工艺制备。
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