9]步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上依次包括有机发光二极管第一电极板、有机发光二级管有机层和有机发光二极管第二电极板，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板与所述源极或所述漏极电连接，具体实施工艺同现有技术。
[0070]作为本发明的其他实施例，步骤SI中还包括在所述基板上直接形成缓冲层11，所述缓冲层11选自但不限于氮化硅，氧化硅等绝缘材料层，本实施例优选氧化硅层，通过化学气相沉积工艺制备。
[0071]本实施例中所述有机发光显示设备的制备方法，各个电容电极板，即所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72，通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提闻电容的精度，提闻显不设备显不売度的均勻性。
[0072]实施例2
[0073]本实施例提供一种有机发光显示设备及其制备方法，所述有机发光显示设备及其制备方法同实施例1，如图2所示，唯一不同的是所述电容进一步包括电容第一电极板71、电容第二电极板72、电容第三电极板74,所述电容第一电极板71、所述电容第二电极板72以及所述电容第三电极板74形呈梳齿状平行交叉排列结构。所述电容不但可以充分利用有限空间增大电容面积，从而提高电容值；而且可以根据电容布局需要调整电容的长度和宽度，在保证电容数值的情况下，可以最大限度的提高显示装置的开口率。
[0074]本实施例所提供的有机发光显示装置中电容垂直于所述基板的上平面设置，占用所述基板平面面积小，可有效提高像素开口率；同时，在此基础上，可以通过增加电容面积或减少电容介质层厚度，以及增加所述电容的电极数量来提高电容值，提高显示品质。更重要的是，电容电极板，即电容第一电极板71和电容第二电极板72以及所述电容第三电极板74，通过一次光刻、刻蚀和沉积工艺便可以制得，制备工艺简单，可有效提高电容的精度，提高所述有机发光显示装置显示亮度的均匀性。
[0075]实施例3
[0076]本实施例提供一种有机发光显示装置，如图3a所示，包括基板I，设置在所述基板I上的薄膜晶体管、有机发光二极管和电容。
[0077]所述薄膜晶体管自下而上依次包括有源层2、栅极4、源极61/漏极62，以及使所述有源层2和所述栅极4分开的栅极绝缘层3，使所述栅极4与所述源极61/漏极62分开的层间绝缘层5 ;所述层间绝缘层5上还直接形成有覆盖所述源极61和所述漏极62的平坦化层8。
[0078]所述有机发光二极管自下而上进一步包括有机发光二极管第一电极板91、有机发光二级管有机层92和有机发光二极管第二电极板93，所述有机发光二极管有机层包括发光层，所述有机发光二极管第一电极板91与所述源极61或所述漏极62电连接；所述平坦化层8上还形成有覆盖所述有机发光二极管第一电极板91部分区域的像素限定层94。
[0079]所述电容进一步包括电容第一电极板71、电容第二电极板72，以及直接设置在所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的电容介质层73。
[0080]所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72垂直于所述基板I设置，所述电容第一电极板71、所述电容第二电极板72与所述源极61/所述漏极62由同种材料形成于同一层中，所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5构成所述电容介质层73。
[0081]本实施例中，所述薄膜晶体管为顶栅结构，作为本发明的其他实施例，所述薄膜晶体管选自不限于底栅结构或双栅结构的薄膜晶体管。
[0082]所述电容第一电极板71为柱形，所述电容第二电极板72为套合在所述电容第一电极板外侧的环状结构；如图3b所示，本实施例中所述电容第一电极板71平行于所述基板I的横截面形状为圆形，所述电容第二电极板72平行于所述基板的横截面内环和外环均为圆形。
[0083]作为本发明的其他实施例，所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72平行于所述基板的横截面不限于圆形，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0084]所述电容第一电极板为71选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金。
[0085]本实施例中所述绝缘层包括栅极绝缘层3和层间绝缘层5，因为所述电容介质层73为夹合在所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72之间的部分所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5，所述栅极绝缘层3和所述层间绝缘层5分别独立选自氮化硅、氧化硅、氧化铝等绝缘介质中的一种或多种的叠加层，本实施例中所述栅极绝缘层3优选氧化硅层，所述层间绝缘层5优选氮化硅层。
[0086]本实施例所制得的有机发光显示装置中所述电容垂直于所述基板I设置，占用所述基板I平面面积小，可有效提高像素开口率；同时，在此基础上，可以通过增加所述电容第一电极板71和所述电容第二电极板72的面积，减少电容介质层73厚度或者套合于所述第一电极板71外部所述电容第二电极板72的数量，即增加电容个数来提高电容值，进一步提闻了显不品质。
[0087]上述一种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0088]S1、在基板I上自下而上依次制备薄膜晶体管中的有源层2、栅极绝缘层3、栅极4和层间绝缘层5 ；
[0089]所述有源层2选自但不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等半导体层；本实施例优选多晶硅层，制备方法同现有技术:先由化学气相沉积工艺制备单晶硅层，再通过准分子激光晶化(ELA)工艺将单晶硅进行退火处理得到多晶硅层，然后再通过光刻工艺和刻蚀工艺对得到的多晶硅层进行图案化处理，最后进行清洗处理得到有源层2。
[0090]所述栅极绝缘层3选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝，本实施例优选氧化硅，由化学气相沉积工艺制备。
[0091]所述栅极4选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金，先由物理气相沉积工艺沉积金属层，再通过光刻工艺和刻蚀工艺进行图案化。
[0092]所述层间绝缘层5选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝等绝缘材料层，本实施例优选氮化娃和氧化娃堆叠层，由化学气相沉积工艺制备。
[0093]S2、通过光刻和刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，在所述基板I的电容区域形成垂直于所述基板I的电容第一电极板凹槽和电容第二电极板凹槽，以及在所述基板I的薄膜晶体管区域形成两个暴露所述有源层2的开口 ；如图3a和3b所示，所述电容第一电极板凹槽为柱形，所述电容第二电极板凹槽为套合在所述电容第一电极板凹槽外侧的环状结构。
[0094]S3、在所述层间绝缘层5上直接形成金属层并图案化，形成电容第一电极板71和电容第二电极板72，以及与所述有源层2接触连接的源极61和漏极62。
[0095]所述金属层选自但不限于铝、铜、钥、钥钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钥钨合金层，通过物理气相沉积工艺制