浸没在稀HF溶液中来除去。
[0037] 随后，用纯化层（409)和（410)分别涂覆正面和背面，如图4H所示。该些层可W 为例如SiOx、Si化或SiOx/Si化叠层。
[003引最终步骤为施加棚发射极金属触点（411)和磯BSF触点（412)，如图41所示。金 属触点可直接接触扩散区，称为线接触，或可通过在纯化中制成的开口局部接触扩散区，称 为点接触。
[0039] 用于结合通过氧化物渗杂方法来制造IBC太阳能电池的另一个实施例示于图 5A-I中。
[0040] 制造方法可由具有背面巧02)的纹理化n型娃晶片（501)开始，如图5A所示。背 面（502)可W为平坦的或纹理化的。然后对晶片进行氧化处理，所述氧化处理在晶片的表 面上生长Si〇2层巧03)，如图5B所示。可使用热氧化处理，其通常利用带有氧化环境的加 热的石英管式炉。
[0041] 另选地，氧化物层（503)可由其它方法形成，诸如；（i)热氧化，（ii)印刷并干燥包 含二氧化娃颗粒的组合物，（iii)化学气相沉积，（iv)化学氧化，（V)蒸汽氧化，（Vi)印刷 并氧化包含娃颗粒的组合物W及（vii)生长并氧化多孔娃层。在一个实施例中，Si〇2层的 厚度为lOnm至lOOnm。
[0042] 就下一步而言，如图5C所示，将含磯浆料丝网印刷到氧化的背面上，之后进行低 温赔烧，W便从浆料中驱除溶剂，从而形成图案化的含磯浆料区巧04)。然后，将含棚渗杂浆 料丝网印刷到氧化的背面上，之后进行低温赔烧，W便驱除溶剂，从而形成图案化的含棚浆 料区巧05)。沉积渗杂浆料的顺序是可互换的。在一个实施例中，同时印刷两种浆料。其 它方法可代替丝网印刷用于沉积浆料。在一个实施例中，含磯浆料和含棚浆料可一起赔烧。 棚和磯印刷物将形成交叉图案，其在热驱入处理之后将形成棚发射极和磯BSF。
[0043] 在一个实施例中，氧化的背面不包含能够使浆料与基板的背面（502)直接接触的 任何通路或任何通孔。如图5C所示，含棚浆料和含磯浆料沉积在Si化层上，并且棚和磯在 W下驱入处理中扩散入娃晶片中。
[0044] 下一步为高温驱入处理。在一个实施例中，所述处理在馬环境中，在石英管式炉 中进行。在高温步骤期间，棚浆料和磯浆料与氧化物层局部反应，形成新的棚源层巧05') 和新的磯源层（504'），所述层到达下面的娃晶片并局部渗杂W形成棚发射极（507)和磯 BSF巧06)，如图抓所示。
[0045] 在一个实施例中，驱入处理的温度为850°C至1000°C。在一个实施例中，驱入处理 的时间段为20分钟至2小时。
[0046] 下一步是除去氧化层和残余浆料层，使背面上的棚发射极（507)和磯BSF(506)暴 露，如图祀所示。氧化物层可通过将晶片浸没到稀HF溶液中来除去。
[0047] 然后，用掩膜层（508)覆盖晶片的背面，如图5F所示。掩膜层将用作扩散阻隔层 并可由Si化制成。掩膜层可由W下方法形成，诸如化学气相沉积、丝网印刷包含二氧化娃 的浆料或旋涂包含二氧化娃的液体。然后对娃晶片进行磯扩散处理，如在P〇Cl3、N2和02环 境中在加热的石英管式炉中进行的POCI3扩散处理，从而在晶片表面形成n+层巧09)，如图 5G所示。该n+层为FSF。掩膜层巧08)和来自磯扩散的残余表面磯娃酸盐玻璃可通过将 晶片浸没在稀HF溶液中除去，使FSF(509)、棚发射极（507)和磯BSF(506)暴露，如图甜所 示。在将棚渗杂的基板用作基板巧01)的情况下，渗杂有与基板501的渗杂剂相同的渗杂 剂的渗杂层（图5G中的509)可W为P+层。
[0048] 随后，用纯化层（510)和巧11)分别涂覆正面和背面。该些层可W例如为SWx、 SiP^Jx或SiOx/SiP'Jx叠层。
[0049] 最终步骤为施加棚发射极金属触点巧12)和磯BSF触点巧13)，如图51所示。金 属触点可直接接触扩散区，称为线接触，或可通过在纯化层中制成的开口局部接触扩散区， 称为点接触。
[0化0] 存在沉积含棚浆料和含磯浆料的多种方法。具体地，由于丝网印刷通常在太阳能 电池制造中用于正面和背面金属浆料的沉积，因此其有益于浆料沉积。为了更好的印刷效 率和性能，浆料优选为非牛顿流体或剪切致稀流体。
[0051] 非牛顿流体是指流动性能不通过单一的粘度恒定值或流动阻力进行描述的流体。 剪切致稀是指粘度随着剪切速率的增加而降低的流体。一般来讲，剪切致稀行为在胶体悬 浮液中观察到，其中颗粒与它们的表面基团的弱流体静力学和静电相互作用趋于增加非动 态力体制中的粘度。添加相对小的剪切力克服了流体静力相互作用，并且因此趋于降低流 体的粘度。
[0化2] 因此，浆料的粘度优选在高剪切速率下相对低，W便穿过丝网图案，但优选在沉积 之前和之后（在低剪切速率或零剪切速率下）相对高，使得浆液将分别不通过丝网运行或 在基板表面上运行。
[0053] 含棚浆料包含棚化合物；聚合物粘合剂；溶剂W及任选地陶瓷化合物。含磯浆料 包含磯化合物；聚合物粘合剂；溶剂；W及任选地陶瓷化合物。
[0054] 棚化合物包括但不限于棚做、氮化棚炬脚、氧化棚化〇3)、棚酸炬伽)3)、碳化棚 炬材、棚娃化物炬251、8351、8451、8651)、棚渗杂的第1￥族纳米颗粒（诸如11(3-51:8)、棚化 侣（A1B2)、棚化领炬aBe)、棚化巧（CaBe)、棚化锦（CeBe)、棚化铭（CrB)、棚化钻（C02B-C0曲、 棚化铺值yB4、DyBe)、棚化巧巧巧4)、棚化館巧uBe)、棚化乱佑地e)、棚化給化巧2)、棚化狄 OIoBa)、棚化铁（FesB)、棚化铜（LaBe)、棚化错江地4)、棚化儀（M浊2)、棚化铺（MnB、MnB2)、棚 化钢（MoB)、棚化钦（N地6)、棚化镶（NiB)、棚化魄（NbBs)、棚化错（P^e)、棚化鍊巧曰化)、棚 化衫（SmBe)、棚化轨（ScBs)、棚化锁（S巧6)、棚化粗灯aBs)、棚化铺灯bBe)、棚化镑（TmB4)、棚 化铁灯iBs)、棚化鹤（WB、W2B、W2B5)、棚化饥（VB2)、棚化镜州Be)、W及棚化错狂邱、2巧。）。 [0化5] 基于所述浆料的总重量计，在一个实施例中棚化合物介于0. 5和50重量％之间， 并且在另一个实施例中，介于1和10重量％之间。
[0056] 磯化合物包括但不限于直链磯酸H(0-P0(0H))"0H的盐，其中n> 1，并且取代基阳 离子的量X《n+2 ;环状磯酸（O-PO(OH))。的盐，其中n> 3,并且取代基阳离子的量X《n， 磯酸HPO(OH)2的一取代和二取代盐，W及次磯酸HsPO(OH)的盐；并且取代基阳离子X为锭、 其有机衍生物、W及金属阳离子，优选地A1、Ba、Ca、Ce、Mg、Hf、化、Ti、Zr、La。
[0化7] 基于所述浆料的总重量计，在一个实施例中，磯化合物介于20和90重量％之间， 并且在另一个实施例中，介于40和70重量％之间。
[0化引浆料中可包括陶瓷化合物。在高温扩散过程中，使棚和磯扩散入基板中，同时环境 材料的扩散可由陶瓷材料阻止或基本上减少。在一个实施例中，根据与娃基板的相容性选 择陶瓷化合物。氧化物材料中的一些在升高的温度下与娃接触可减少将杂质引入晶片中。 [0059]陶瓷化合物包括但不下限于SiN、Si〇2、SiC、Ti〇2、Al2〇3、MgO、CaO、Li2〇、BeO、SrO、 Sc2〇3、Y2O3、La2〇3、Ce〇2、Ce2〇3、Pr2〇3、Nd^Og、Sm2〇3、EuO、Gd^Og、Ta^Os、Tb^Og、Dy2〇3、H〇2〇3、Er2〇3、 Tm2〇3、Yb2〇3、LU2O3、Th〇2、U〇2、ZrOaW及Hf〇2。在一个实施例中，陶瓷化合物选自氧