路径124、129、134，其排出由杯105接受到的镀液、清洗液；液体排出机构120、125、130，其排出在排出路径中聚集的液体；以及控制机构160，其控制基板旋转保持机构110、液体供给机构30、90、杯105以及液体排出机构120、125、130。
[0039]基板旋转保持机构110具有:中空圆筒状的旋转轴111，其在外壳101内上下延伸；转盘(turntable) 112，其安装于旋转轴111的上端部；基板卡盘113，其设置于转盘112的上表面外周部，支承基板2 ;以及旋转机构162，其对旋转轴111进行旋转驱动。其中，旋转机构162是由控制机构160进行控制的，由旋转机构162对旋转轴111进行旋转驱动，由此，由基板卡盘113支承的基板2旋转。
[0040]液体供给机构30、90包括:镀液供给机构30，其向基板2的表面供给用于实施镀敷处理的镀液；以及清洗液供给机构90，其向基板2的表面供给清洗液。
[0041]镀液供给机构30包括安装于喷嘴头104的喷出喷嘴32。喷嘴头104安装于臂103的前端部。臂103固定于由旋转机构165进行旋转驱动并且通过未图示的升降驱动机构进行升降的支承轴102。镀液供给机构30的镀液供给管线33配置于臂103的内侧。通过该结构，液体供给机构30能够从期望的高度将镀液经由喷出喷嘴32喷出到基板2的表面的任意位置。
[0042]清洗液供给机构90包括安装于喷嘴头104的喷嘴92。能够从喷嘴92向基板2的表面选择性地喷出由药液形成的清洗液、例如DHF、SCl和漂洗处理液、例如DIW(纯水)中的某一个。
[0043]参照图4说明清洗液供给机构90中的与由药液形成的清洗液的供给有关的部分。从清洗液供给机构90向多个化学镀敷处理模块14、16供给清洗液。清洗液供给机构90具有贮存清洗液的容器902以及从容器902出发并返回至容器902的循环管线904。在循环管线904上设置有泵906。泵906形成从容器902出发并通过循环管线904后返回至容器902的循环流。在泵906的下游侧，在循环管线904上设置有去除清洗液中包含的微粒等污染物质的过滤器908。
[0044]在设定于循环管线904的连接区域910处连接有一个或者多个分支管线912。各分支管线912将流过循环管线904的清洗液供给至对应的化学镀敷处理模块14、16。能够根据需要来在各分支管线912上设置流量控制阀等流量调整机构、过滤器等。在各分支管线912的末端设置有图3所示的喷嘴92。
[0045]设置有对容器902补充处理液或者处理液构成成分的容器液补充部916。另外，对容器902设置有用于废弃容器902内的处理液的排液部918。
[0046]镀液供给机构30也能够使用与清洗液供给机构90相同的构造的机构(差别仅在于所使用的液体)。此外，液体供给机构并不限定于如图4所示那样的构造，根据处理液的不同，例如也可以不设置循环管线904而设置将处理液供给源与处理液喷嘴直接连结的供给管线。
[0047]在外壳101内配置有杯105，该杯105被升降机构164在上下方向上驱动，具有在图3中概要性地示出的排出路径124、129、134。液体排出机构120、125、130按照杯105与基板2的相对高度位置关系来分别排出在排出路径124、129、134中聚集的液体。
[0048]镀液排出机构120具有由流路切换器121切换的回收流路122和废弃流路123，镀液排出机构125具有由流路切换器126切换的回收流路127和废弃流路128。其中，回收流路122、127是用于将镀液回收并再利用的流路。废弃流路123、128是用于将镀液废弃的流路。在处理液排出机构130中仅设置有废弃流路133。
[0049]在基板收容部110的出口侧连接有用于排出镀液35的镀液排出机构120的回收流路122，在该回收流路122中的、基板收容部110的出口侧附近设置有冷却镀液35的冷却缓冲器120A。
[0050]如图6所不，烘烤模块15具备密封的密封外壳15a以及配置于密封外壳15a内部的热板(hot plate) 15A。在烘烤模块15的密封外壳15a上设置有用于输送基板2的输送口(未图示)，并且从N2气体供给口 15c向密封外壳15a内供给N2气体。同时，通过排气口 15b将密封外壳15a内排气，用N2气体来充满密封外壳15a内，由此能够使密封外壳15a内保持非活性气体环境。
[0051]接着，简单地说明镀敷处理系统10的通常运转时的动作。
[0052]首先，在预处理工序中，例如使用公知的干蚀刻技术在由半导体晶圆等构成的基板(硅基板)2上形成凹部2a。基板2被搬入到镀敷处理系统10内。
[0053]首先，利用基板输送机构11的输送臂Ila将被搬入的基板从卡匣承接站18上的卡匣中取出并输送到基板缓冲器He。
[0054]接着，利用输送臂Ilb将基板2输送到包括具有加热部的真空室(未图示)的偶联处理模块12，在此处通过公知的硅烷偶联形成技术在基板2上形成被称为SAM的键合层(日语:結合層)21(图2的(a))。
[0055]接着，利用输送臂I Ib将基板2输送到催化剂层形成模块13，在此处通过公知的钯吸附处理技术在键合层21上形成Pd催化剂层22 (图2的(b))。
[0056]接着，利用输送臂Ilb将基板2输送到镀敷处理模块14，在此处通过公知的化学镀敷技术，例如使用包含被调温至40?75°C左右的Co-W-B的镀液在催化剂层22上形成作为防铜扩散膜(阻挡膜)而发挥功能的第一镀敷层23a(图2的(c))。此外，在形成第一镀敷层23a之后，利用清洗处理液和漂洗液对基板2进行清洗。
[0057]接着，利用输送臂Ilb将基板2从镀敷处理模块14输送至烘烤模块15的密封外壳15a内，在此处实施烘烤(烧结(日语:焼§締?))处理。在烘烤处理中，在密封外壳15a内处于非活性气体环境的状态下将基板2载置于热板15A，并在例如150?200°C的温度下加热10?30分钟。通过烘烤处理，第一镀敷层23a内的水分被放出到外部，并且第一镀敷层23a内的金属间键合度提高。
[0058]接着，利用输送臂I Ib将基板2再次输送到镀敷处理模块14，在此处通过与形成第一镀敷层23a时相同的条件下的化学镀敷处理来在第一镀敷层23a上形成作为防铜扩散膜的第二镀敷层23b。
[0059]接着，利用输送臂Ilb将基板2从镀敷处理模块14再次输送到烘烤模块15。然后，在烘烤模块15的密封外壳15a内，在与之前进行的烘烤处理相同的条件下实施第二镀敷层23b的烘烤处理。
[0060]通过这样，在基板2上形成由第一镀敷层23a和第二镀敷层23b构成并作为防铜扩散膜(阻挡膜)而发挥功能的镀敷层层叠体23。
[0061]接着，利用输送臂Ilb将基板2输送到化学镀铜处理模块16，通过公知的化学镀敷技术来在基板2的镀敷层层叠体23上形成作为晶种膜的化学镀铜层24(图2的(d))。
[0062]接着，利用输送臂I Ib将基板2输送到电解镀铜处理模块17，通过公知的电解镀敷技术对基板2实施电解镀铜处理，在基板2的凹部2a内将化学镀铜层24作为晶种膜来填充电解镀铜层25(图2的(e))。
[0063]之后，基板2通过输送臂I Ib被送回至基板缓冲器11 c，接着，通过输送臂11 a被送回至卡匣。之后，将基板2从镀敷处理系统10搬出，使用研磨装置对基板2的背面侧(与凹部2a相反的一侧)进行化学机械研磨(图2的(f))。
[0064]控制装置19通过控制装置19的存储介质19A中安装的制程执行程序，根据存储介质19A中存储的制程来控制设置于镀敷处理系统10的各种设备，由此执行上述一系列的基板2的输送以及对基板2的各种处理。
[0065]参照图7说明制程。制程中例如包含“输送制程”、“液体供给箱制程”、“处理模块制程”、“虚拟分配制程”、“模块清洗制程”等。此外，根据基板处理装置的种类的不同，有时会追加其它制程，也有时会删除上述制程的一部分。
[0066]“输送制程”是对基板输送机构11、例如输送臂Ilb指定基板的输送目的地的制程。概要地说，在输送制程中，例如对各基板2定义了 “从基板缓冲器Ilc取出该基板2并将该基板2搬入到偶联处理模块12”、“如果处理结束则将该基板2从偶联处理模块12取出并将该基板搬入到催化剂层形成模块13”..?等动作(制程步骤)。
[0067]“液体供给箱制程”定义用于向基板2供给清洗用处理液的清洗液供给机构90和用于向基板2供给镀液的镀液供给机构30中的、不是与镀敷处理模块14、16各自相关联的部分、而是各镀敷处理模块14、16所共用的部分(该部分是图4所示的构件中的比分支管线更靠上游侧的部分，以下也称为“液体供给箱”)的动作(例如容器902)。例如是如下动作:在检测出容器902内的液体减少、浓度降低、污染程度上升等时，自动地进行从排液部918排出容器902内的液体的动作、从容器液补充部916向容器902内补充新液体的动作等。
[0068]“处理模块制程”定义处理模块的动作。例如，定义在化学镀敷处理模块14和16内基板旋转保持机构110、杯105的升降、液体供给机构30、90(具体是位于紧挨喷出喷嘴32,92的上游侧的未图示的开闭阀、流量控制阀等)的动作、液体排出机构120、125、130的动作、未图示的温度控制机构的动作等。另外，处理模块制程例如控制烘烤模块15内的热板15A的温度、负责对于密封外壳15a的N2气体的供给、排气的供给机构和排气机构的动作。
[0069]在本实施方式中，液体供给箱制程和处理模块制程是从属(下属)于输送制程的制程。在后述的维护宏创建时，能够通过输送制程调出并选择液体供给箱制程和处理模块制程。基板2的输送与由各处理模块(模块12?17等)执行的处理以及基板2的输送与液体供给机构30、90的液体供