焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
[0047]实施例二
[0048]本实施例提供一种半导体器件的制备方法，包括上述实施例一提供的多晶硅薄膜的制备方法，具体内容可参照上述实施例一的描述，此处不再赘述。
[0049]本实施例提供的半导体器件的制备方法中，所述多晶硅薄膜的制备方法包括:在基板上形成缓冲层，在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜，采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理从而形成多晶硅薄膜。本实施例提供的技术方案在形成非晶硅薄膜之前，在缓冲层上形成规则排列的第一凹槽，然后采用光学退火工艺进行结晶处理。由于第一凹槽处不是激光束的焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
[0050]实施例三
[0051]本实施例提供一种显示基板，包括基板，所述基板上设置有缓冲层，所述缓冲层的表面设置有规则排列的第一凹槽，所述缓冲层上设置有多晶硅薄膜。所述多晶硅薄膜由非晶硅薄膜经过光学退火工艺进行结晶处理形成，具体来说，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜。由于所述缓冲层的表面设置有第一凹槽，因此所述非晶硅薄膜的表面也会形成与所述第一凹槽对应的第二凹槽。由于所述第一凹槽是规则排列的，因此所述第二凹槽也应是规则排列的。然后，采用准分子激光退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理，由于所述非晶硅薄膜上设置有规则排列的第二凹槽，因此激光的焦点只能够聚焦于所述第二凹槽之外的区域，而不能够聚焦于所述第二凹槽。所述第二凹槽所接收的能量比所述第二凹槽之外的区域要低一些，因此当所述第二凹槽之外的区域的非晶硅融化时，所述第二凹槽处仍会有一些非晶硅不能融化，从而形成结晶种子。规则排列的第二凹槽必然形成规则排列的结晶种子，从而形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
[0052]本实施例中，所述缓冲层包括第一缓冲子层和第二缓冲子层。在实际应用中，所述缓冲层可以包括多个第一缓冲子层和多个第二缓冲子层，所述第一缓冲子层与所述第二缓冲子层间隔排列。可选的，所述第一缓冲子层的构成材料包括二氧化硅，所述第二缓冲子层的构成材料包括氮化娃。优选的，所述缓冲层的厚度范围包括10nm至600nm。所述缓冲层用于平滑所述基板，防止在形成多晶硅薄膜的过程中基板内的杂质渗透进入多晶硅薄膜。
[0053]可选的，所述第一凹槽之间的距离范围包括300nm至400nm，所述第一凹槽的形状为圆形或者方形，所述缓冲层的厚度范围包括10nm至600nm。
[0054]本实施例提供的显示基板中，所述多晶硅薄膜的制备方法包括:在基板上形成缓冲层，在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜，采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理从而形成多晶硅薄膜。本实施例提供的技术方案在形成非晶硅薄膜之前，在缓冲层上形成规则排列的第一凹槽，然后采用光学退火工艺进行结晶处理。由于第一凹槽处不是激光束的焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
[0055]实施例四
[0056]本实施例还提供一种显示装置，包括实施例三提供的显示基板，具体内容可参照上述实施例三的描述，此处不再赘述。
[0057]本实施例提供的显示装置中，所述多晶硅薄膜的制备方法包括:在基板上形成缓冲层，在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜，采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理从而形成多晶硅薄膜。本实施例提供的技术方案在形成非晶硅薄膜之前，在缓冲层上形成规则排列的第一凹槽，然后采用光学退火工艺进行结晶处理。由于第一凹槽处不是激光束的焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
[0058]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括: 在基板上形成缓冲层； 在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽； 在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜； 采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理，以形成多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述光学退火工艺包括准分子激光退火工艺。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括至少一个第一缓冲子层和至少一个第二缓冲子层，所述第一缓冲子层与所述第二缓冲子层间隔排列。
4.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲子层的构成材料包括二氧化硅，所述第二缓冲子层的构成材料包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽之间的距离范围包括300nm至400nm。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的形状为圆形或者方形。
7.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理的步骤之前包括: 对所述非晶硅薄膜进行脱氢处理。
8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的构成材料包括二氧化硅。
9.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围包括10nm至600nm。
10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9所述的多晶硅薄膜的制备方法。
11.一种显示基板，其特征在于，包括基板，所述基板上设置有缓冲层，所述缓冲层的表面设置有规则排列的第一凹槽，所述缓冲层上设置有多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜由非晶硅薄膜经过光学退火工艺进行结晶处理形成。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层包括至少一个第一缓冲子层和至少一个第二缓冲子层，所述第一缓冲子层与所述第二缓冲子层间隔排列，
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一缓冲子层的构成材料包括二氧化硅，所述第二缓冲子层的构成材料包括氮化硅。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹槽之间的距离范围包括 300nm 至 400nm。
15.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围包括10nm至 600nmo
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-15所述的显示基板。
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置，所述多晶硅薄膜的制备方法包括：在基板上形成缓冲层，在所述缓冲层的表面形成规则排列的第一凹槽，在所述缓冲层上形成非晶硅薄膜，采用光学退火工艺对所述非晶硅薄膜进行结晶处理从而形成多晶硅薄膜。本发明提供的技术方案在形成非晶硅薄膜之前，在缓冲层上形成规则排列的第一凹槽，然后采用光学退火工艺进行结晶处理。由于第一凹槽处不是激光束的焦点，因此能量相对于其他位置较低，在结晶过程中形成未融化的结晶种子，从而形成多晶硅。由于这些第一凹槽是规则排列的，因此能够形成晶粒尺寸均匀而且晶粒排列规则的多晶硅薄膜。
【IPC分类】H01L27-02, H01L21-02
【公开号】CN104867812
【申请号】CN201510142635
【发明人】徐文清, 龙春平
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年3月27日