寸限制。
[0032] 图la是示出根据本发明的实施方式的薄膜晶体管（TFT) 100A的截面图。参考 图la，薄膜晶体管100A包括柔性基板110、缓冲层120、有源层130A、栅绝缘膜160、栅电极 140、层间绝缘膜170、源电极151、以及漏电极152。
[0033] 柔性基板110是用于支撑和保护可以在其上形成的多种元件的基板。柔性基板 110是位于薄膜晶体管100A的底部的下部支撑板。根据使用薄膜晶体管100A的多种应用， 柔性基板110可以由多种材料形成。例如，当薄膜晶体管100A在诸如柔性显示设备的柔性 应用中使用时，柔性基板110可以由柔性绝缘材料形成。柔性绝缘材料的示例可以包括聚 酰亚胺（PI)、聚醚酰亚胺（PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚碳酸酯（PC)、聚苯乙烯 (PS)、苯乙烯-丙烯腈共聚物、以及硅丙烯酸树脂。而且，当薄膜晶体管100A在具有高透射 率的应用（诸如，透明显示设备）中使用时，柔性基板110可以由柔性透明绝缘材料形成。
[0034] 在柔性基板110上形成由氧化物半导体形成的有源层130A。在本公开中，有源层 130A可以称为氧化物半导体层。可以通过在柔性基板110上沉积氧化物半导体材料，并且 然后图案化氧化物半导体材料，以仅留下具有足以形成有源层130A的尺寸的氧化物半导 体，形成有源层130A。
[0035] 有源层130A的氧化物半导体可以为多种金属氧化物。例如，用于氧化物半导体 的材料的示例可以包括诸如基于铟锡镓锌氧化物（InSnGaZnO)的材料的四元金属氧化 物、诸如基于铟镓锌氧化物（InGaZnO)的材料、基于铟锡锌氧化物（InSnZnO)的材料、基 于铟铝锌氧化物（InAlZnO)的材料、基于铟铪锌氧化物（InHfZnO)的材料、基于锡镓锌氧 化物（SnGaZnO)的材料、基于铝镓锌氧化物（AlGaZnO)的材料、或者基于锡铝锌氧化物 (SnAIZnO)的材料的三元金属氧化物、以及诸如基于铟锌氧化物（InZnO)的材料、基于锡 锌氧化物（SnZnO)的材料、基于铝锌氧化物（AIZnO)的材料、基于锌镁氧化物（ZnMgO)的 材料、基于锡镁氧化物（SnMgO)的材料、基于铟镁氧化物（InMgO)的材料、基于铟镓氧化物 (InGaO)的材料的二元金属氧化物、基于铟氧化物（InO)的材料、基于锡氧化物（SnO)的材 料、或者基于锌氧化物（ZnO)的材料。包括在用于形成氧化物半导体的每种材料中的元素 的组成比不受限制并且可以被不同地调节。
[0036] 薄膜晶体管100A包括栅电极140,其被形成为与有源层130A的至少一部分重叠。 栅电极140由导电材料形成。在一些实施方式中，栅电极140可以由金属形成，并且可以反 射光。栅电极140可以由例如钼（Mo)、铝（A1)、铬（Cr)、金（Au)、钛（Ti)、镍（Ni)、钕（Nd)、 铜（Cu)、以及其合金中的任一个形成。然而，本实施方式不限于此，并且栅电极140可以由 多种材料中的任一种材料形成。而且，栅电极140可以具有包括选自由Mo、Al、Cr、Au、Ti、 Ni、Nd、Cu、以及其合金构成的组中的材料的多层结构。
[0037] 薄膜晶体管100A进一步包括源电极151和漏电极152。源电极151和漏电极152 中的每个都可以由导电材料形成。在一些实施方式中，源电极151和漏电极152中的每个 都可以由金属形成，并且可以反射光。源电极151和漏电极152中的每个都可以由例如Mo、 八1、0、411、11、附、制、(：11、以及其合金中的任一个形成。然而，本实施方式不限于此，并且源 电极151和漏电极152中的每个都可以由多种材料形成。而且，源电极151和漏电极152 中的每个都可以具有包括选自由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu、以及其合金构成的组中的材 料的多层结构。
[0038] 源电极151和漏电极152通过在层间绝缘膜170和/或栅绝缘膜160中形成的接 触孔，分别电连接至有源层130A的源极区和漏极区。在有源层130A的源极区和漏极区之 间形成上部沟道区。在邻近栅电极140的有源层130A的上部中形成上部沟道区。
[0039] 源电极151、漏电极152、以及栅电极140覆盖包括氧化物半导体的有源层130A的 顶面。由于源电极151、漏电极152、以及栅电极140中的每个都可以由金属形成，并且可 以如上所述那样反射光，源电极151、漏电极152、以及栅电极140保护有源层130A免遭受 入射在有源层130A上的外部光。特别是，由于用于支撑薄膜晶体管100A的基板的材料通 常是透明材料，外部光可以从有源层130A的底部入射。另外，当在底部发射有机发光显示 (0LED)设备中采用薄膜晶体管100A时，从有机发光层发射的光可以达到薄膜晶体管100A， 并且从而可能降低薄膜晶体管100A的可靠性。而且，当薄膜晶体管100A被应用到使用单 独背光单元的液晶显示（LCD)设备时，由于从背光单元入射到有源层130A上的光，导致可 能降低薄膜晶体管100A的可靠性。为了更简单地解释，在本公开中使用术语"外部光"以 指入射在有源层130A上的任何光，而不管源或者来自源的光的方向如何。
[0040] 多种绝缘材料和/或层被用于电绝缘薄膜晶体管100A的元件。栅绝缘膜160形 成在有源层130A上，并且使有源层130A和栅电极140绝缘。栅绝缘膜160可以由单层氧 化硅膜或氮化硅膜或者其多层结构形成。然而，本实施方式不限于此，并且栅绝缘膜160可 以由多种材料形成。栅绝缘膜160仅需要使有源层130A和栅电极140绝缘。从而，在图la 中，仅在有源层130A上形成栅绝缘膜160。可选地，栅绝缘膜160可以形成在包括有源层 130A的整个柔性基板110之上。当栅绝缘膜160形成在整个柔性基板110之上时，栅绝缘 膜160可以被形成为具有暴露有源层130A的多个部分的接触孔，并且接触孔可以暴露有源 层130A的源极区的一部分和漏极区的一部分。
[0041] 在图la中，栅电极140被示出为具有与栅绝缘膜160基本相同的尺寸。即，相互 对接的栅电极140的接触表面和栅绝缘膜160的接触表面具有基本相同的尺寸。在本公开 中，甚至当由制造处理导致两个元件不具有准确相同尺寸（即，由于制造处理导致的偏离） 时，两个元件被称为具有"基本相同的尺寸"。例如，由于在制造处理期间被过蚀刻，导致栅 电极140或栅绝缘膜160可以比其他元件稍微更大地形成。在这样的情况下，栅电极140 和栅绝缘膜160可以被形成为具有锥形形状，使得在界面处的栅电极140的表面和栅绝缘 膜160的表面具有稍微不同的尺寸。
[0042] 层间绝缘膜170形成在栅电极140上。层间绝缘膜170可以由与栅绝缘膜160相 同的材料形成，并且可以被形成为包括氧化硅膜、氮化硅膜、或者其多层结构。然而，本实施 方式不限于此，并且层间绝缘膜170可以由多种材料形成。层间绝缘膜170形成在整个柔 性基板110之上，并且包括用于暴露有源层130A的源极区的一部分和漏极区的一部分的接 触孔。
[0043] 缓冲层120形成在柔性基板110上。缓冲层120形成在柔性基板110和有源层 130A之间。缓冲层120通过柔性基板110减少湿气或其他杂质的渗入，并且进一步平坦化 柔性基板110的表面。缓冲层120包括反射金属层121和绝缘层122。用于绝缘层122的 材料可以根据柔性基板110的类型或者薄膜晶体管100A的类型来选择。例如，可以根据薄 膜晶体管100A的结构，根据绝缘层122和有源层130A之间的界面特性，选择绝缘层122。 在如图la中所示的具有共面结构的薄膜晶体管100A中，绝缘层122可以由氧化硅膜、氮化 硅膜、或其多层结构形成。
[0044]缓冲层120通过阻碍外部光朝向氧化物半导体前进，保护构成有源层130A的氧化 物半导体。反射金属层121设置在缓冲层120中，并且由绝缘层122围绕。由于反射金属 层121阻挡外部光，反射金属层121可以被称为屏蔽层或光屏蔽层。虽然垂直投射到氧化 物半导体的外部光可以由反射金属层121反射，但是以一些其他角度投射的光仍然可以达 到氧化物半导体。为了最优化朝向有源层130A投射的外部光的阻挡，有源层130A和反射 金属层121之间的距离可以等于或小于3ym。
[0045] 当在偏置电压被施加至薄膜晶体管100A的同时，光入射到有源层130A上时，多对 电子和空穴在有源层130A中被打破，以在沟道区中生成电子。这改变了氧化物半导体的操 作特性。例如，电子可以在沟道区中生成，并且使得薄膜晶体管100A的阈值电压Vth浮动， 由此使得薄膜晶体管100A对于其期望使用不可靠。
[0046] 参考图la，在薄膜晶体管100A中，反射金属层121被设置成与有源层13