本相 同。
[0092] 此后，将描述本发明的显示设备的多种特性。
[0093] 根据本发明的还有的另一个特性，显示元件包括阳极、阴极和插入阳极和阴极之 间的有机发光层，并且其中，阳极电连接至共面薄膜晶体管。
[0094] 根据本发明的还有的另一个特性，显示元件包括像素电极、公共电极和液晶层，并 且其中，像素电极电连接至共面薄膜晶体管。
[0095] 根据本发明的还有的另一个特性，显示元件包括第一电极、第二电极和插入第一 电极和第二电极之间的光学介质层，光学介质层包括流体和分散在流体中的有色带电粒 子，并且其中，第一电极和第二电极中的至少一个电连接至共面薄膜晶体管。
[0096] 已经借助于示出指定功能的实现及其关系的功能组成块描述了本发明。为了便于 说明，这些功能组成块的边界在此被任意限定。只要指定功能及其关系被适当地执行，可以 限定可选边界。
[0097] 特定实施方式的以上说明将完全揭露本发明的整体性质，其他可以通过本领域内 的常识容易地修改和/或使这样的特定实施方式适用于多种应用，而不需要不适当的实 验，不脱离本发明的一般概念。从而，基于在此呈现的教导和指导，这样的改编和修改旨在 在所公开的实施方式的意义和等价物的范围内。将理解，在此的措辞或术语用于说明而不 是限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将根据教导和指导由本领域技术人员解释。
[0098] 本发明的宽度和范围应该不受上述示例性实施方式中的任一个限制，而是应该仅 根据以下权利要求及其等价物限定。
[0099] 本申请中的权利要求不同于原申请或其他相关申请的权利要求。从而，本申请人 废除了在与本申请相关的原申请或任何在先申请中作出的权利要求范围的任何放弃。从 而，建议审查员重新查看任何这样的在前放弃和该放弃所避开的引用参考。同样地，提醒注 意，在本申请中作出的任何放弃都应该不被曲解为或与原申请相反。
【主权项】
1. 一种共面薄膜晶体管，其包括： 氧化物半导体层，其形成在基板上； 栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述 栅电极； 源电极和漏电极，其电连接至所述氧化物半导体层，所述源电极和所述漏电极中的至 少一个的一部分覆盖所述氧化物半导体层的第二表面，所述第二表面在所述氧化物半导体 层的侧面上； 多个缓冲层，其设置在所述基板与所述氧化物半导体层的第三表面之间，所述第三表 面与所述第一表面相反，所述多个缓冲层包括第一缓冲层和邻近所述第一缓冲层的第二缓 冲层，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层具有不同折射率，所述折射率限定用于光折射的 临界角；以及 光屏蔽层，其设置在所述多个缓冲层内，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的沟道 区完全重叠。
2. -种薄膜晶体管，其包括： 氧化物半导体层，其形成在柔性基板上； 栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述 栅电极； 源电极和漏电极，其分别电连接至所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层、所述栅 电极、所述源电极和所述漏电极以共面晶体管构造布置；以及 光阻挡元件，其被布置成使所述氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光。
3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层的所述第二表面与 所述氧化物半导体层的所述第一表面相反，所述光阻挡元件使所述氧化物半导体层的所述 第二表面免遭受外部光。
4. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管，该薄膜晶体管进一步包括： 至少一个缓冲层，其设置在所述柔性基板与所述氧化物半导体层的所述第二表面之 间； 其中，所述光阻挡元件是设置在所述至少一个缓冲层内的光屏蔽层。
5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层完全与所述氧化物半导体 层重叠。
6. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层完全与所述氧化物半导体 层的沟道区重叠。
7. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的 所述第二表面之间的距离等于或小于3 μ m。
8. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层适合作为另一个栅电极。
9. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的 所述第二表面之间的距离在500A至2000A之间。
10. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极和适合作为所述另一个栅电 极的所述光屏蔽层能够共同寻址。
11. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极与适合作为所述另一个栅电 极的所述光屏蔽层能够独立寻址。
12. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述光阻挡元件包括： 多个层，其包括第一层和邻近所述第一层的第二层，所述第一层和所述第二层具有不 同折射率，所述折射率限定用于光折射的临界角，所述第一层和所述第二层使所述氧化物 半导体层的所述第二表面免遭受外部光中的具有大于所述临界角的入射角的部分。
13. 根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，所述第一层具有第一折射率，并且所述 第二层具有低于所述第一折射率的第二折射率，所述第二层比所述第一层更接近所述氧化 物半导体层。
14. 根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述多个层包括： 第三层，其具有低于所述第二折射率的第三折射率，所述第三层邻近所述第二层并且 比所述第二层更接近所述氧化物半导体层。
15. 根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述多个层包括： 第三层，其具有与所述第一折射率相同的第三折射率，所述第三层邻近所述第二层，并 且比所述第二层更接近所述氧化物半导体层。
16. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层的所述第二表面是 所述氧化物半导体层的侧面，所述光阻挡元件使所述氧化物半导体层的所述侧面免遭受外 部光。
17. 根据权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，所述光阻挡元件包括： 所述漏电极和所述源电极中的至少一个的一部分，所述一部分覆盖所述氧化物半导体 层的所述侧面。
18. 根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述漏电极和所述源电极中的所述至 少一个与所述氧化物半导体层的所述第一表面接触。
19. 根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述漏电极和所述源电极中的所述至 少一个朝向所述氧化物半导体层成角度。
20. 根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述漏电极和所述源电极中的所述至 少一个不与所述半导体层的所述第一表面接触。
21. 根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层的尺寸与所述栅 电极的尺寸基本相同。
22. -种显不设备，其包括： 柔性基板； 共面薄膜晶体管，其包括： 氧化物半导体层，其形成在所述柔性基板上； 栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述 栅电极； 源电极和漏电极，其分别电连接至所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层、所述栅 电极、所述源电极和所述漏电极以共面晶体管构造布置；以及 光阻挡元件，其被布置成使所述氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光；以及 显示元件，其可操作地连接到所述共面薄膜晶体管。
23. 根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述显示元件包括阳极、阴极、以及插入 所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，并且其中，所述阳极电连接到所述共面薄膜晶体 管。
24. 根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述显示元件包括像素电极、公共电极和 液晶层，并且其中，所述像素电极电连接到所述共面薄膜晶体管。
25. 根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述显示元件包括第一电极、第二电极、 以及插入所述第一电极和所述第二电极之间的光学介质层，所述光学介质层包括流体和分 散在所述流体中的有色带电粒子，并且其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个 电连接到所述共面薄膜晶体管。
【专利摘要】提供一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及包括薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括在氧化物半导体层上形成的栅电极，使得氧化物半导体层的第一表面面对栅电极。源电极和漏电极分别电连接至氧化物半导体层。氧化物半导体层、栅电极、源电极和漏电极以共面晶体管构造布置。还布置光阻挡元件，以使氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光。
【IPC分类】H01L21-336, H01L29-786
【公开号】CN104871321
【申请号】CN201380068063
【发明人】权世烈, 曹旻求, 尹相天
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2013年12月24日