半导体装置及模块的制作方法
【专利说明】半导体装置及模块
[0001][相关申请案]
[0002]本申请案以日本专利申请案2014-50691号(申请日:2014年3月13日)为基础申请案并享有其优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种半导体装置及模块。
【背景技术】
[0004]伴随低电阻的芯片的开发进展，无法忽视半导体装置的电阻。例如在利用如覆盖芯片表面整体的金属板(例如源极连接器)而电连接于源极电极的情况下，与利用打线接合等而电连接的情况相比实现更低的电阻值。然而，要求半导体装置的电阻的进一步降低。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种可降低源极连接器的电阻的半导体装置及模块。
[0006]实施方式的半导体装置包含半导体芯片、第一及第二导电板。所述第一导电板搭载所述半导体芯片，且周缘包含至少四边。所述第二导电板覆盖所述半导体芯片、及所述第一导电板的至少两边之分别至少一部分。
【附图说明】
[0007]图1是表示实施方式I的半导体装置的概略构成的俯视图。
[0008]图2是包含图1所示的半导体装置的模块的一例的剖视图。
[0009]图3是包含图1所示的半导体装置的模块的一例的立体图。
[0010]图4是参考例的半导体装置的俯视图。
[0011]图5是表不实施方式I的半导体装置的一变化例的俯视图。
[0012]图6是表示实施方式2的半导体装置的概略构成的俯视图。
[0013]图7是表示实施方式3的半导体装置的概略构成的俯视图。
[0014]图8是表示实施方式4的半导体装置的概略构成的俯视图。
[0015]图9是表示实施方式5的半导体装置的概略构成的俯视图。
【具体实施方式】
[0016]以下，一边参照附图一边对若干个实施方式进行说明。在附图中，对相同部分标注相同参照编号，并适当省略其重复说明。
[0017]应留意附图是为了分别促进发明的说明与其理解，各图中的形状或尺寸、比例等存在与实际的装置不同的部位。对于这些不同点，如果为业者那么可以参照以下的说明与公知的技术而适当进行设计变更。
[0018](I)实施方式I
[0019]图1是表示实施方式I的半导体装置的概略构成的俯视图。
[0020]本实施方式的半导体装置I包含漏极框架BP1、半导体芯片C、源极连接器TP1、及栅极端子GT。半导体芯片C在本实施方式中包含功率MISFET(Metal InsulatorSemiconductor Field Effect Transistor,金属绝缘半导体场效应电晶体)，且包含源极电极ES、漏极电极ED (参照图2)及栅极电极EG。
[0021]半导体芯片C搭载在漏极框架BPl，且利用焊料等而连接于漏极框架BPl。
[0022]漏极电极ED在本实施方式中是设置在半导体芯片C的背面侧，且电连接于漏极框架 BP1。
[0023]栅极电极EG是经由金属线WR而连接于栅极端子GT。
[0024]源极电极ES是设置在半导体芯片C的上表面侧，且以接触该源极电极ES而覆盖半导体芯片C的方式配设源极连接器TPl，由此，将源极电极ES电连接于源极连接器TPl。在本实施方式中，源极电极ES、漏极电极ED及栅极电极EG例如分别与第一至第三电极相对应。
[0025]漏极框架BPl及源极连接器TPl均由导体形成，在本实施方式中例如是由铜(Cu)形成。该点对于下述漏极框架BP3、BP4、BP11及源极连接器TP2?TP5也相同。漏极框架BPl及源极连接器TPl在本实施方式中例如与第一及第二导电板相对应。
[0026]半导体芯片C在本实施方式中具有矩形的平面形状，其周缘包含四边SI?S4。
[0027]源极连接器TPl在图1的纸面左右的端部向下方弯曲后再次水平地延伸设置(参照图2)，在该延伸设置部分，分别设置着源极端子ST1、ST2。源极端子ST1、ST2的底面是以与漏极框架BPl的背面成为同一面的方式构成。
[0028]本实施方式中的半导体装置I的特征之一在于:源极连接器TPl具有以四边Sll?S14为周缘的矩形状，该四边Sll?S14与构成半导体芯片C的周缘形状的四边SI?S4分别平行，且半导体装置I在这些边中沿Y方向延伸、且在X方向上相互对向的边S11、S13的部分设置着源极端子STl、ST2。
[0029]漏极端子DTl设置在沿与边Sll、S13相邻、且在X方向上延伸的边S12的漏极框架BPl的一边S52。
[0030]这样一来，根据本实施方式的半导体装置1，源极连接器TPl是以覆盖半导体芯片、及漏极框架BPl的对向的两边S51、S53的方式配置，进而，沿构成源极连接器TPl的平面形状的周缘的四边Sll?S14中的不止一边、而是至少两边S11、S13，分别设置着复数个源极端子ST1、ST2，因此源极电流在源极连接器TPl内流向STl侧与ST2侧这两侧。由此，可降低源极连接器的电阻。
[0031]图2及图3表示在配线基板201安装着图1所示的半导体装置I的模块的一例。图2是与沿图1的切断线A-A的截面对应的模块Ml的剖视图，图3是模块Ml的立体图。在图2及图3所示的模块Ml中，半导体芯片C的源极电极ES是经由源极连接器TPl而电连接于配线基板201。半导体芯片C的栅极电极EG是经由金属线WR及栅极端子GT而电连接于配线基板201。半导体芯片C的漏极电极ED是经由漏极框架BPl而电连接于配线基板201。
[0032]另外，如图2所示，模块Ml包含密封半导体装置I的树脂R。
[0033]根据本实施方式的模块M1，提供一种在配线基板201上安装着降低源极连接器的电阻的半导体装置I的模块。该点在将下述实施方式2至5的半导体装置11、2至5安装于配线基板201的情况下也相同。
[0034]图4为参考例。图4的半导体装置100包含漏极框架BP100、漏极框架BP100上的半导体芯片C、及半导体芯片C上的源极连接器TP100。
[0035]在本参考例的半导体装置100中，构成源极连接器TP100的周缘形状的四边SllO?S140中，仅在边SllO侧设置着源极端子ST100。
[0036]一般来说，封装体的电阻基本上是由漏极框架的电阻与源极连接器的电阻构成。在本参考例的半导体装置100中，漏极电流从漏极框架BP100流过半导体芯片C内，通过源极连接器TPlOO而在源极端子ST100流出。这时，对于漏极框架BP100，由于漏极端子DT100到半导体芯片C的距离较短，因此电阻较低。
[0037]然而，源极电流的路径为从半导体芯片C的源极电极ES到源极连接器TP100的源极端子ST100，其距离比漏极电流的路径长。因此，源极连接器TP100的电阻比漏极框架BP100的电阻高。
[0038]因此，本案发明者如所述实施方式I那样，在构成源极连接器TPl的周缘的四边中至少两边均设置源极端子，由此使源极电流流向STl侧与ST2侧这两侧而使源极连接器的电阻下降，伴随于此，将漏极端子的位置配置在沿未设置着源极端子的剩余的边的位置。在实施方式I的例中，在源极连接器TPl的沿边S12的边S52设置漏极端子DTl。
[0039]但，漏极端子DTl无须仅沿边S52配置，也可配置在与边S52对向的边S54侧。
[0040]图5表示图1所示的实施方式I的半导体装置I的一变化例。
[0041]通过与图1对比明显可知，本变化例的半导体装置11除了包含沿漏极框架BPll的边S52而设置的漏极端子DTl以外，还包含沿与边S52对向的边S54而设置的漏极端子DT2。
[0042]利用此种构成，根据本变化例的半导体装置11，除了