半导体器件及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 现有的透明电极的制备过程中，通常在导电基体（包括基底和位于基底上的透明 导电层）的表面覆盖耐高保护膜，以防止后续制备工艺对透明导电层制程中造成损伤，进 而导致透明导电膜发生污染、划伤或弯曲。其中，耐高温保护膜的制备过程中需要用到离型 膜，离型膜主要启到隔离作用，如果不采用离型膜，将会使得在收卷过程中压敏胶与保护膜 背面接触，从而导致压敏胶层与保护膜背面粘结在一块而无法分离；另一方面，若不采用离 型膜而在保护膜基材背面涂布离型剂，制成单层保护膜，虽然可以实现压敏胶层与保护膜 的分离，但会导致保护膜的表面出现气泡等缺陷，从而严重地影响了保护膜的外观和使用 效果。
[0003] 具体地，现有的透明电极的制作方法通常包括以下步骤：首先，将压敏胶涂布在聚 合物基材层的表面上，其中聚合物基材层的材料可以为PET;然后，将覆盖有压敏胶的聚合 物基材层放入烘箱中进行烘烤，之后，将离型膜贴合在位于聚合物基材层表面的压敏胶上； 之后将上述贴合物收卷并熟化处理；最后，将熟化后的耐高温PET保护膜边撕除离型膜边 与透明导电层进行贴合，再经裁切、重结晶处理和刻蚀后形成透明电极。
[0004] 然而，上述制作方法容易出现以下问题：第一，涂布后的聚合物基材层在烘烤后需 要与离型膜进行贴合，且贴合物需在21~25°C的温度下，以及55~65%RH的条件下进行 168h左右的熟化处理后才能够使用，而且采用离型膜增加了工艺成本，而且降低了工艺效 率，无形中增大了库存的周转；第二，在聚合物基材层与离型膜贴合的步骤中，离型膜上的 缺陷易转印到之后形成的保护膜上，从而导致在使用保护膜的过程中这些缺陷转印到透明 导电层，进而影响了产品良率，增加了成本；第三，在贴合物收卷时，由于贴合物较软，所以 管压压痕严重，从而增加了保护膜报废率；第四，现有保护膜与透明导电层的贴合速度慢， 通常贴合速度在5m/min以内，从而影响了透明电极的生产效率，且贴合中也会出现产品的 报废。
【发明内容】
[0005] 本发明的主要目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以降低制备半导体器 件的工艺成本，且提高半导体器件的良率。
[0006] 为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法， 该制作方法包括以下步骤：在聚合物基材层的表面涂布压敏胶；对压敏胶进行固化处理以 形成胶粘层，且胶粘层和聚合物基材层构成保护膜；将保护膜与导电基体进行贴合，导电基 体包括基底和形成于基底上的透明导电层，且胶粘层贴合于透明导电层的表面上。
[0007] 进一步地，压敏胶为热固型压敏胶，固化处理的步骤包括：对压敏胶进行烘烤处理 以形成胶粘层。
[0008]进一步地，烘烤处理的烘烤温度为50~150°C，烘烤时间为0. 5~5min。
[0009] 进一步地，热固型压敏胶的材料为酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺-甲醛树脂、环 氧树脂、不饱和树脂、聚氨酯和聚酰亚胺中的任一种或多种。
[0010] 进一步地，压敏胶为UV固化型压敏胶，固化处理的步骤包括：对压敏胶进行UV照 射处理以形成胶粘层。
[0011] 进一步地，UV照射处理的波长为290nm~410nm，照射能量大于200mJ/cm2,照射时 间小于15s。
[0012] 进一步地，UV固化型压敏胶的主要成分为丙烯酸酯类。
[0013] 进一步地，制作方法还包括以下步骤：将覆盖有保护膜的透明导电层进行重结晶 处理；对重结晶处理后的透明导电层进行刻蚀，以形成透明电极。
[0014] 进一步地，聚合物基材层由PET、PBT、PPSU和PC中的任一种或多种制成。
[0015] 进一步地，聚合物基材层的厚度为10~300ym。
[0016] 进一步地，胶粘层的厚度为5~15ym。
[0017] 进一步地，透明导电层为ITO层。
[0018] 根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件由权利要求1至 12中任一项的制作方法制作而成。
[0019] 应用本发明的技术方案，本发明通过在聚合物基材层的表面涂布压敏胶，以及对 压敏胶进行固化处理以形成粘结层和保护膜后，直接将粘结层贴合于导电基体中透明导电 层的表面上，从而省去了保护膜固化后与离型膜贴合的工序，减少了离型膜所带来的工艺 成本，省去了离型膜贴合后收卷的工序，从而减少了贴合物过软所导致的管压压痕，降低了 保护膜的报废率，同时还省去了离型膜贴合后熟化的工序，从而避免了离型膜上的缺陷通 过保护膜转印到透明导电层，提高了产品良率，也有效地提高了工艺效率；并且，该保护膜 降低了导电基体在制程过程中受到的损伤，为导电基体的制程提供了必要挺度。
【附图说明】
[0020] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0021] 图1示出了本申请实施方式所提供的半导体器件的制作方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0022] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0023] 需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0024] 正如【背景技术】中所介绍的，现有透明电极的制作过程中存在工艺成本较高、工艺 效率较低、产品良率较低等问题。本申请的发明人针对上述问题进行研宄，提出了一种半导 体器件的制作方法。如图1所示，该制作方法包括以下步骤：在聚合物基材层的表面涂布压 敏胶；对压敏胶进行固化处理以形成胶粘层，且胶粘层和聚合物基材层构成保护膜；将保 护膜与导电基体进行贴合，导电基体包括基底和形成于基底上的透明导电层，且胶粘层贴 合于透明导电层的表面上。
[0025] 上述制作方法中，由于省去了保护膜固化后与离型膜贴合的工序，从而减少了离 型膜所带来的工艺成本，并且由于省去了离型膜贴合后收卷的工序，从而减少了贴合物过 软所导致的管压压痕，降低了保护膜的报废率，由于省去了离型膜贴合后熟化的工序，从而 避免了离型膜上的缺陷通过保护膜转印到透明导电层，提高了产品良率，省去的上述工序 也有效地提高了工艺效率；并且，该保护膜降低了导电基体在制程过程中受到的损伤，为导 电基体的制程提供了必要挺度。
[0026] 下面将更详细地描述根据本申请提供的半导体器件的制作方法的示例性实施方 式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于 这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底 且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。
[0027] 首先，在聚合物基材层的表面涂布压敏胶。上述压敏胶可以为很多种，优选地，压 敏胶为热固型压敏胶，更为优选地，热固型压敏胶的材料为丙烯酸树脂、聚氨酯、有机硅和 橡胶中的任一种或多种。采用上述优选的材料能够使形成的压敏胶具有更好的热固性和 稳定性，从而在后续工艺中不需要太高的温度以及较长的固化时间就能够得到稳定的胶粘 层。压敏胶还可以为UV固化型压敏胶，更为优选地，UV固化型压敏胶的主要成分为丙烯酸 酯体类，采用上述UV固化型压敏胶同样能够使形成的压敏胶具有更好的热固性和稳定性， 从而在后续工艺中不需要太高的照射温度以及较长的紫外线照射时间就能够得到稳定的 胶粘层。
[0028] 在完成在聚合物基材层的表面涂布压敏胶的步骤之后，对压敏胶进行固化处理以 形成胶粘层，且胶粘层和聚合物基材层构成保护膜。通过上述固化处理，使聚合物基材层和 压敏胶贴合在一起形成保护膜。其中，聚合物基材层的材料可以根据现有技术进行选择，优 选地，聚合物基材层由PET、PBT、PPSU和PC中的任一种或多种制成。采用上述材料能够使 后续工艺中形成的保护膜具有耐高温性能、抗静电性能和抗化学腐蚀性，从而减少由于高 温、静电和化学物质所造成的影响。
[0029] 进一步地，固化处理的工艺步骤根据压敏胶的种类进行设定，当压敏胶为热固型 压敏胶时，固化处理的步骤包括：对压敏胶进行烘烤处理以形成胶粘层。其中，烘烤处理的 温度为50~150°C，时间为0. 5~5min;当压敏胶为UV固化型压敏胶时，固化处理的步骤包 括：对压敏胶进行UV照射处理以形成胶粘层。其中，紫外线的照射波长为290nm~410nm， 照射能量大于200mJ/cm2'照射时间小于15s。上述优选的工艺条件能够形成更为稳定的胶 粘层，且使聚合物基材层和压敏胶更稳定的贴合在一起。
[0030] 在一种优选的实施方式中，半导体器件中各层的厚度可以根据实际需求进行设 定，优选地，聚合物基材层的厚度为10~300ym;压敏胶的厚度为5~15ym。上述聚合物 基材层的厚度能够使形成的保护膜具有更好的耐高温性能、抗静电性能和抗化学腐蚀性， 从而能够进一步减少由于高温、静电和化学物质所造成的影响；并且，上述压敏胶的厚度能 够保证压敏胶在具有较好的粘附性的基础上尽可能的减少对压敏胶对保护膜耐高温性能、