法的步骤3的示意图；
[0053]图14为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤4的示意图；
[0054]图15为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤5的示意图；
[0055]图16至图17为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤6的示意图；
[0056]图18为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤7的示意图；
[0057]图19为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤8的示意图；
[0058]图20为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤9的示意图。
【具体实施方式】
[0059]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0060]请参阅图10，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤；
[0061]步骤1、如图11所示，提供基板1，在所述基板I上沉积缓冲层2 ;在所述缓冲层2上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极3。
[0062]优选的，所述栅极3的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0063]步骤2、如图12所示，在所述缓冲层2、及栅极3上沉积栅极绝缘层4 ;在所述栅极绝缘层4上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层5。
[0064]优选的，所述栅极绝缘层4的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。
[0065]具体的，所述岛状半导体层5的材料为IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)。
[0066]步骤3、如图13所示，在所述栅极绝缘层4、及岛状半导体层5上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极6、及漏极7。所述源极6、及漏极7分别与所述岛状半导体层5的两侧相接触。
[0067]优选的，所述源极6与漏极7的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0068]步骤4、如图14示，在所述栅极绝缘层4、岛状半导体层5、源极6、及漏极7上沉积第一钝化层8。
[0069]具体的，采用化学气相沉积法(CVD)沉积所述第一钝化层8。
[0070]优选的，所述第一钝化层8的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。
[0071]步骤5、如图15所示，在所述第一钝化层8上形成平坦层9。
[0072]具体的，采用涂布制程(Coating)形成所述平坦层9 ;所述平坦层9的材料为PFA(可溶性聚四氟乙烯)。
[0073]步骤6、如图16、图17所示，在所述平坦层9上沉积第一透明导电膜，并对所述第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极10。
[0074]具体的，采用物理气相沉积法(PVD)沉积所述第一透明导电膜；采用湿法蚀刻(Wet Etch)制程形成所述第一像素电极10 ;所述第一像素电极10的材料为ITO (氧化铟锡)。
[0075]步骤7、如图18所示，在所述第一钝化层8、及平坦层9上对应所述漏极7的上方依次形成第一过孔91、及第二过孔92，所述第一过孔91、及第二过孔92暴露出部分漏极7。
[0076]具体的，先采用黄光制程在所述平坦层9上对应所述漏极7上方曝光出第一过孔91，然后以所述平坦层9为自对准光罩，采用干法蚀刻(Dry Etch)制程在所述第一钝化层8上对应所述第一过孔91蚀刻出第二过孔92。
[0077]步骤8、如图19所示，在所述第一像素电极10及平坦层9上沉积第二钝化层11，并对所述第二钝化层11进行图案化处理，在所述第二钝化层11上形成一对应于所述第一过孔91与第二过孔92的第三过孔93。
[0078]优选的，所述第二钝化层11的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。
[0079]步骤9、如图20所示，在所述第二钝化层11上沉积第二透明导电膜，并对所述第二透明导电膜进行图案化处理，形成第二像素电极12，所述第二像素电极12经由第一、第二、第三过孔91、92、93与漏极7相连。
[0080]优选的，所述第一像素电极12的材料为ITO(氧化铟锡)。
[0081]综上所述，本发明的TFT基板结构的制作方法，在依次形成第一钝化层、平坦层、及第一透明导电膜之后，先对第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极，之后再采用黄光制程在平坦层上对应漏极上方曝光出第一过孔，然后以平坦层为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在第一钝化层上对应第一过孔蚀刻出第二过孔，从而有效防止第一透明导电膜在第一、第二过孔处的残留，提高了生产良率，同时减少一道光罩，避免了由于对位不准造成的开口率降低，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了产品价格的竞争力。
[0082]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤； 步骤1、提供基板(I)，在所述基板(I)上沉积缓冲层(2);在所述缓冲层(2)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(3); 步骤2、在所述缓冲层(2)、及栅极(3)上沉积栅极绝缘层(4);在所述栅极绝缘层(4)上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层(5)； 步骤3、在所述栅极绝缘层(4)、及岛状半导体层(5)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极(6)、及漏极(7); 步骤4、在所述栅极绝缘层(4)、岛状半导体层(5)、源极￠)、及漏极(7)上沉积第一钝化层⑶； 步骤5、在所述第一钝化层(8)上形成平坦层(9); 步骤6、在所述平坦层(9)上沉积第一透明导电膜，并对所述第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极(10); 步骤7、在所述第一钝化层(8)、及平坦层(9)上对应所述漏极(7)的上方依次形成第一过孔(91)、及第二过孔(92)，所述第一过孔(91)、及第二过孔(92)暴露出部分漏极(7); 步骤8、在所述第一像素电极(10)及平坦层(9)上沉积第二钝化层(11)，并对所述第二钝化层(11)进行图案化处理，在所述第二钝化层(11)上形成一对应于所述第一过孔(91)与第二过孔(92)的第三过孔(93)； 步骤9、在所述第二钝化层(11)上沉积第二透明导电膜，并对所述第二透明导电膜进行图案化处理，形成第二像素电极(12)，所述第二像素电极(12)经由第一、第二、第三过孔(91、92、93)与漏极(7)相连。2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层(5)的材料为IGZO。3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4采用化学气相沉积法沉积所述第一钝化层(8)。4.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用涂布制程形成所述平坦层(9);所述平坦层(9)的材料为PFA。5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤6采用物理气相沉积法沉积所述第一透明导电膜；采用湿法蚀刻制程形成所述第一像素电极(10)。6.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤7先采用黄光制程在所述平坦层(9)上对应所述漏极(7)上方曝光出第一过孔(91)，然后以所述平坦层(9)为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在所述第一钝化层(8)上对应所述第一过孔(91)蚀刻出第二过孔(92)。7.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述栅极(3)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。8.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述源极(6)与漏极(7)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。9.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(4)、第一钝化层(8)、及第二钝化层(11)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。10.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极(10)、及第二像素电极(12)的材料均为ITO。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，在依次形成第一钝化层、平坦层、及第一透明导电膜之后，先对第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极，之后再采用黄光制程在平坦层上对应漏极上方曝光出第一过孔，然后以平坦层为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在第一钝化层上对应第一过孔蚀刻出第二过孔，从而有效防止第一透明导电膜在第一、第二过孔处的残留，提高了生产良率，同时减少一道光罩，避免了由于对位不准造成的开口率降低，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了产品价格的竞争力。
【IPC分类】H01L21/768, H01L21/77
【公开号】CN104952792
【申请号】CN201510411137
【发明人】吕晓文
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年7月13日