Tft基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。通常液晶面板由一彩色滤光片基板(Color Filter, CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一填充于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。CF基板和TFT基板的相对内侧设有透明电极。液晶显示器通过电场对液晶分子的取向进行控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，达到显示的目的。
[0003]边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)技术是近年来出现的改善IXD画质的技术之一，能同时实现高穿透性和大视角的要求。图1所示为一种现有FFS型液晶显示面板的TFT基板的剖面结构示意图，其包括基板100、设于所述基板100上的缓冲层200、设于所述缓冲层200上的栅极300、设于所述缓冲层200上覆盖所述栅极300的栅极绝缘层400、设于所述栅极绝缘层400上的岛状导体层500、设于所述栅极绝缘层400上分别与所述岛状导体层500的两侧相接触的源极600与漏极700、设于所述栅极绝缘层400、岛状半导体层500、源极600与漏极700上的第一钝化层800、设于所述第一钝化层800上的平坦层900、设于所述平坦层900上的第一像素电极1000、设于所述平坦层900与第一像素电极1000上的第二钝化层1100、及设于所述第二钝化层1100上的第二像素电极1200;所述第二钝化层1100、平坦层900、及第一钝化层800上对应所述漏极700的上方形成有过孔1300，所述第二像素电极1200经由所述过孔1300与所述漏极700相接触。
[0004]请参阅图2至图9，现有FFS型液晶显示面板的TFT基板结构的制作方法包括如下步骤；
[0005]步骤1、如图2所不，提供基板100，在所述基板100上沉积缓冲层200 ;在所述缓冲层200上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极300 ;
[0006]步骤2、如图3所示，在所述缓冲层200、及栅极300上沉积栅极绝缘层400 ;在所述栅极绝缘层400上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层500 ；
[0007]步骤3、如图4所示，在所述栅极绝缘层400、及岛状半导体层500上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极600、及漏极700 ;
[0008]步骤4、如图5所示，在所述栅极绝缘层400、岛状半导体层500、源极600、及漏极700上沉积第一钝化层800，并在所述第一钝化层800上对应所述漏极700上方形成第一过孔 810 ；
[0009]步骤5、如图6所示，在所述第一钝化层800上形成平坦层900，并在所述平坦层900上对应所述第一过孔810上方形成第二过孔910 ；
[0010]步骤6、如图7所示，在所述平坦层900上沉积第一透明导电膜，并在所述第一透明导电膜上涂布光阻层1101;
[0011]由于第一、第二过孔810、910较深，因此光阻层1101容易在所述第一、第二过孔810,910内堆积；
[0012]步骤7、如图8所示，对所述光阻层1101进行曝光、显影；
[0013]具体的，在曝光、显影时，堆积在所述第一、第二过孔810、910内的光阻层1101容易显影不完全，造成光阻层1101在第一、第二过孔810、910处残留；
[0014]步骤8、如图9所示，以所述光阻层1101为遮蔽层，对没有被所述光阻层1101遮挡的第一透明导电膜进行蚀刻处理，得到第一像素电极1000 ;
[0015]由于位于所述第一、第二过孔810、910内的第一透明导电膜上覆盖有残留光阻，因此在蚀刻过程中无法被完全蚀刻掉，从而造成所述第一透明导电膜在第一、第二过孔810,910处残留，因而会影响后续制程，对TFT基板的品质造成不良影响。
[0016]因此，基于现有制作方法中存在的问题和缺陷，有必要提供一种改进的TFT基板结构的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0017]本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，能有效防止第一透明导电月旲在过孔处的残留，提尚TFT基板的生广良率。
[0018]为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤；
[0019]步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；
[0020]步骤2、在所述缓冲层、及栅极上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层；
[0021]步骤3、在所述栅极绝缘层、及岛状半导体层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极、及漏极；
[0022]步骤4、在所述栅极绝缘层、岛状半导体层、源极、及漏极上沉积第一钝化层；
[0023]步骤5、在所述第一钝化层上形成平坦层；
[0024]步骤6、在所述平坦层上沉积第一透明导电膜，并对所述第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极；
[0025]步骤7、在所述第一钝化层、及平坦层上对应所述漏极的上方依次形成第一过孔、及第二过孔，所述第一过孔、及第二过孔暴露出部分漏极；
[0026]步骤8、在所述第一像素电极及平坦层上沉积第二钝化层，并对所述第二钝化层进行图案化处理，在所述第二钝化层上形成一对应于所述第一过孔与第二过孔的第三过孔；
[0027]步骤9、在所述第二钝化层上沉积第二透明导电膜，并对所述第二透明导电膜进行图案化处理，形成第二像素电极，所述第二像素电极经由第一、第二、第三过孔与漏极相连。
[0028]所述氧化物半导体层的材料为IGZO。
[0029]所述步骤4采用化学气相沉积法沉积所述第一钝化层。
[0030]所述步骤5采用涂布制程形成所述平坦层；所述平坦层的材料为PFA。
[0031]所述步骤6采用物理气相沉积法沉积所述第一透明导电膜；采用湿法蚀刻制程形成所述第一像素电极。
[0032]所述步骤7先采用黄光制程在所述平坦层上对应所述漏极上方曝光出第一过孔，然后以所述平坦层为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在所述第一钝化层上对应所述第一过孔蚀刻出第二过孔。
[0033]所述栅极的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0034]所述源极与漏极的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0035]所述栅极绝缘层、第一钝化层、及第二钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的堆栈组合。
[0036]所述第一像素电极、及第二像素电极的材料均为ITO。
[0037]本发明的有益效果:本发明的TFT基板结构的制作方法，在依次形成第一钝化层、平坦层、及第一透明导电膜之后，先对第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极，之后再采用黄光制程在平坦层上对应漏极上方曝光出第一过孔，然后以平坦层为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在第一钝化层上对应第一过孔蚀刻出第二过孔，从而有效防止第一透明导电膜在第一、第二过孔处的残留，提高了生产良率，同时减少一道光罩，避免了由于对位不准造成的开口率降低，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了产品价格的竞争力。
【附图说明】
[0038]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0039]附图中，
[0040]图1为一种现有的TFT基板的剖面结构示意图；
[0041]图2为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤I的示意图；
[0042]图3为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
[0043]图4为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤3的示意图；
[0044]图5为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤4的示意图；
[0045]图6为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤5的示意图；
[0046]图7为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤6的示意图；
[0047]图8为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤7的示意图；
[0048]图9为现有的TFT基板结构的制作方法的步骤8的示意图；
[0049]图10为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程图；
[0050]图11为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤I的示意图；
[0051]图12为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
[0052]图13为本发明的TFT基板结构的制作方