一种高性能含钬铸片磁体及其制备方法_2

文档序号:9351285阅读:来源:国知局
]实施例3
[0058]取含钬铸片磁体的组份及重量百分含量为:
[0059]Pr:6.0%、Nd:17%、Ce:5.5%, Gd:2.0%、Ho:1.2%, B:1.0%、Al:0.6%、Cu:0.15%、Co:0.15%、余量用 Fe 补充。
[0060]制备该含钬铸片磁体的制备方法包括以下步骤:
[0061]1)1)铸片熔炼:将按比例配比的金属原料投入真空感应速凝铸片炉,抽真空,在850?1050°C下熔炼,加热至金属Pr开始熔化时,充入高纯氩气,金属原料融化后经电磁搅拌混匀,当合金熔液表面结膜后,浇注到旋转的水冷铜棍上,经快速冷却成厚度为0.25?0.35mm的铸片;
[0062]2)氢粉碎:将步骤I)得到的铸片投入氢碎炉,在450?560°C下脱氢,得到100?110 μ m的合金颗粒;
[0063]3)气流磨粉碎:将步骤2)得到的合金颗粒在氮气保护下加入气流磨中,经气流磨粉碎成3.4?4.4 μ m的合金粉末;
[0064]4)磁场取向成型:将步骤3)得到的合金粉末投入磁场压机,在1.9T的磁场下取向成型,得到压坯;
[0065]5)等静压:将经步骤4)成型后的压坯,再装入等静压机的高压腔中,在190-200MPa的压力下保持10_20s ;
[0066]6)烧结:将经步骤5)的压坯投入真空烧结炉中,抽真空,在1080°C,恒温3小时;一级回火温度为900°C,恒温2小时;二级回火温度为550°C,恒温3小时;最后得到烧结磁体;
[0067]7)检测:测试产品的磁参数。
[0068]经检测,其主要技术指标达到以下参数:
[0069]剩磁(Br)1.22 ?1.27T
[0070]磁感应矫顽力(Hcb)彡900Ka/m
[0071]内禀矫顽力(Hcj)^ 955Ka/m
[0072]最大磁能积(BH)max:288 ?312KJ/m3
[0073]实施例4
[0074]取含钬铸片磁体的组份及重量百分含量为:
[0075]Pr:5.6%、Nd:18.5%、Ce:4.0%、Gd:1.5%、Ho:2.0%、B:0.5%、Al:0.5%、Cu:0.10%,Co:0.40%、余量用 Fe 补充;
[0076]制备该含钬铸片磁体的制备方法包括以下步骤:
[0077]I)铸片熔炼:将按比例配比的金属原料投入真空感应速凝铸片炉,抽真空,在850°C下熔炼,加热至金属Pr开始熔化时,充入高纯氩气,金属原料融化后经电磁搅拌混匀,当合金熔液表面结膜后,浇注到旋转的水冷铜棍上,经快速冷却成厚度为0.25?
0.35mm的铸片;
[0078]2)氢粉碎:将步骤I)得到的铸片投入氢碎炉,在560°C下脱氢,得到100?ΙΙΟμπι
的合金颗粒;
[0079]3)气流磨粉碎:将步骤2)得到的合金颗粒在氮气保护下加入气流磨中,经气流磨粉碎成3.4?4.4 μ m的合金粉末;
[0080]4)磁场取向成型:将步骤3)得到的合金粉末投入磁场压机,在1.9T的磁场下取向成型,得到压坯;
[0081]5)等静压:将经步骤4)成型后的压坯,再装入等静压机的高压腔中,在190-200MPa的压力下保持10_20s ;
[0082]6)烧结:将经步骤5)的压坯投入真空烧结炉中,抽真空,在1060°C,恒温2.5小时;一级回火温度为850°C,恒温1.5小时;二级回火温度为450°C,恒温4.5小时;最后得到烧结磁体;
[0083]7)检测:测试产品的磁参数。
[0084]经检测,其主要技术指标达到以下参数:
[0085]剩磁(Br)1.22 ?1.27T
[0086]磁感应矫顽力(Hcb)^ 900Ka/m
[0087]内禀矫顽力(Hcj)彡955Ka/m
[0088]最大磁能积(BH)max:288 ?312KJ/m3
[0089]实施例5
[0090]取含钬铸片磁体的组份及重量百分含量为:Pr:6.5%,Nd:16.0%、Ce:7.0%,Gd:
2.0%、Ho:2.0%、B:0.5%、Al:0.5%、Cu:0.25%、Co:0.10%余量用 Fe 补充;
[0091]制备该含钬铸片磁体的制备方法包括以下步骤:
[0092]I)铸片熔炼:将按比例配比的金属原料投入真空感应速凝铸片炉,抽真空,在1050°C下熔炼,加热至金属Pr开始熔化时,充入高纯氩气,金属原料融化后经超声混匀,当合金熔液表面结膜后,浇注到旋转的水冷铜棍上,经快速冷却成厚度为0.25?0.35mm的铸片;
[0093]2)氢粉碎:将步骤I)得到的铸片投入氢碎炉,在560°C下脱氢,得到100?ΙΙΟμπι
的合金颗粒;
[0094]3)气流磨粉碎:将步骤2)得到的合金颗粒在氮气保护下加入气流磨中,经气流磨粉碎成3.4?4.4 μ m的合金粉末;
[0095]4)磁场取向成型:将步骤3)得到的合金粉末投入磁场压机,在1.9T的磁场下取向成型,得到压坯;
[0096]5)等静压:将经步骤4)成型后的压坯,再装入等静压机的高压腔中,在190-200MPa的压力下保持10_20s ;
[0097]6)烧结:将经步骤5)的压坯投入真空烧结炉中,抽真空,在1120°C,恒温2.5小时;一级回火温度为980°C,恒温1.5小时;二级回火温度为650°C,恒温4.5小时;最后得到烧结磁体;
[0098]7)检测:测试产品的磁参数。
[0099]经检测,其主要技术指标达到以下参数:
[0100]剩磁(Br)1.22 ?1.27T
[0101]磁感应矫顽力(Hcb)^ 900Ka/m
[0102]内禀矫顽力(Hcj)彡955Ka/m
[0103]最大磁能积(BH)max:288 ?312KJ/m3
[0104]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的【具体实施方式】仅限于此,对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单的推演或替换,都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定专利保护范围。
【主权项】
1.一种含钬铸片磁体,其特征在于:铸片磁体组份及重量百分含量为:Pr:5.6?6.5%、Nd:16.0 ?18.5%,Ce:4.0 ?7.0%、Gd:1.5 ?2.5%、Ho:1.0 ?2.0%、B:0.5 ?1.5%, Al:0.5 ?1.0%、Cu:0.10 ?0.25%、Co:0.10 ?0.40%、余量用 Fe 补充。2.根据权利要求1所述一种含钬铸片磁体,其特征在于:铸片磁体组份及重量百分含量为:Pr:5.6 ?6.0%、Nd:16.5 ?18.0%、Ce:5.0 ?6.0%、Gd:1.5 ?2.0%、Ho:1.2 ?1.5%、B:0.8 ?L 0%、Al:0.6 ?0.8%、Cu:0.15 ?0.20%、Co:0.15 ?0.35%、余量用Fe补充。3.根据权利要求1所述一种含钬铸片磁体,其特征在于:铸片磁体组份及重量百分含量为:pr:6.0%、Nd:17.0%、Ce:5.5%、Gd:2.0%、Ho:1.2%、B:1.0%、Al:0.6%、Cu:0.15%、Co:0.15%、余量用 Fe 补充。4.制备权利要求1-3任一所述一种含钬铸片磁体的方法,包括以下步骤: 1)铸片熔炼:将按比例配比的金属原料投入真空感应速凝铸片炉,抽真空,在850?1050°C下熔炼,加热至金属Pr开始熔化时,充入高纯氩气,金属原料融化后经超声混匀,当合金熔液表面结膜后,浇注到旋转的水冷铜棍上,经快速冷却成厚度为0.25?0.35mm的铸片; 2)氢粉碎:将步骤I)得到的铸片投入氢碎炉,在450?560°C下脱氢,得到100?110 μ m的合金颗粒; 3)气流磨粉碎:将步骤2)得到的合金颗粒在氮气保护下加入气流磨中,经气流磨粉碎成3.4?4.4 μ m的合金粉末; 4)磁场取向成型:将步骤3)得到的合金粉末投入磁场压机,在1.9T的磁场下取向成型,得到压坯; 5)等静压:将经步骤4)成型后的压坯,再装入等静压机的高压腔中,在190-200MPa的压力下保持10-20s ; 6)烧结:将经步骤5)的压坯投入真空烧结炉中,抽真空,在1060?1120°C,恒温2.5?3.5小时;一级回火温度为850?980°C,恒温1.5?2.5小时;二级回火温度为450?650"€,丨旦温2.5?4.5小时;最后得到烧结磁体。5.根据权利要求4所述一种含钬铸片磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤I)中,金属原料融化后经电磁搅拌混匀。6.根据权利要求4所述一种含钬铸片磁体的制备方法,其特征在于:所述步骤6)中烧结温度为1080 0C,恒温3小时;一级回火温度为900 0C,恒温2小时;二级回火温度为550 °C,恒温3小时。
【专利摘要】本发明公开了一种高性能含钬铸片磁体及其制备方法,该铸片磁体的组份及重量百分含量为:Pr:5.6~6.5%、Nd:16.0~18.5%、Ce:4.0~7.0%、Gd:1.5~2.5%、Ho:1.0~2.0%、B:0.5~1.5%、Al:0.5~1.0%、Cu:0.10~0.25%、Co:0.10~0.40%、余量用Fe补充。本发明的制备方法包括铸片熔炼、氢粉碎、气流磨粉碎、磁场取向成型、等静压、烧结。本发明一方面减少了钕的使用,仍能保证永磁体具有优异的磁性,保护了钕资源。另一方面铸片熔炼工艺使铸片组织没有α-Fe晶体存在,铸片破碎更容易,缩短了生产周期。
【IPC分类】H01F41/02, H01F1/08, H01F1/057, B22F3/16
【公开号】CN105070447
【申请号】CN201510519298
【发明人】吕竹风, 金玉坤, 刘龙, 吴春光, 皱高程
【申请人】宁德市星宇科技有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年8月23日
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