[0027]芯片间隔维持装置I在中央配置有能够吸附保持被加工物W的工作台11，且在工作台11的周围配置有保持环状框架F的框架保持单元12。工作台11被多个支柱部29支撑住，在工作台11的上表面上由多孔陶瓷材料形成有支撑被加工物W的支撑面21。支撑面21通过工作台11内的流路而连接于吸附源13 (参照图4)，且凭借在支撑面21产生的负压而吸附保持着被加工物W。此外，在从支撑面21与吸附源13相连的流路上设有开闭阀14(参照图4)，凭借开闭阀14而切换支撑面21的吸附保持与吸附解除。
[0028]如图2A所示，在工作台11的外周边缘的全周范围上设有多个滚柱22和多个按压单元23。在这种情况下，在周方向上连续配设有2个滚柱22的位置的相邻处配设有I个按压单元23，在工作台11的外周边缘上均匀设有多个滚柱22和多个按压单元23。如图2B所示，多个滚柱22配设于在工作台11的外周边缘上形成的阶梯部24上，被加工物W(参照图1)支撑于支撑面21上，从而转接于扩张膜S(参照图1)的下侧。多个滚柱22转接于扩张膜S上，从而可抑制在扩张膜S的扩张时产生于工作台11的外周边缘的摩擦。
[0029]如图2C所示，多个按压单元23是能够出没于工作台11的支撑面21上的可动销，并且配设于在工作台11的外周边缘上形成的阶梯部24。此外，在配设有按压单元23的阶梯部24上，以包围按压单元23的销前端的周围的方式设有罩25。在设有按压单元23的部位上，凭借该罩25可抑制扩张膜S的扩张时在工作台11的外周边缘产生的摩擦。此外，在工作台11的下表面设有驱动按压单元23的气缸26。另外，后面叙述按压单元23的动作。
[0030]返回图1，框架保持单元12上的载置工作台31的保持面32上载置有环状框架F，以通过罩板33从上方起夹入的方式，在工作台11的周围通过载置工作台31的保持面32保持着环状框架F。载置工作台31在从上表面观察时呈四边形状，在中央形成有直径大于工作台11的圆形开口 34。用于使载置工作台31升降的4个升降气缸37的气缸杆38从下侧起支撑住载置工作台31的四角。4个升降气缸37由电动气缸等构成，作为使框架保持单元12升降并使扩张膜S扩张的扩张单元进行工作。
[0031]罩板33形成为在中央具有直径大于工作台11的圆形开口 35的矩形板状。若在载置工作台31上载置有罩板33，则凭借罩板33和载置工作台31保持环状框架F，并且使得被加工物W和扩张膜S的一部分从罩板33的圆形开口 35起在上方露出。另外，罩板33在载置于载置工作台31上的状态下，例如被未图示的夹持部固定于载置工作台31上。
[0032]在罩板33的上方设有具备多个加热单元41的圆板状的升降板42。升降板42被未图示的电动机等而固定于旋转的旋转轴43的下端，且凭借未图示的升降机构在铅直方向上移动。多个加热单元41是远红外线加热器，且被定位于环状框架F与被加工物W之间的环状区域内。加热单元41例如点照射难以被金属材料吸收的在3 μ m?25 μ m具有峰值波形的远红外线，从而能够抑制装置各部分的加热，仅适当加热扩张膜S的照射部位。
[0033]在这种芯片间隔维持装置I中，驱动升降气缸37而使得框架保持单元12在保持着环状框架F的状态下下降，从而工作台11从罩板33和载置工作台31的圆形开口 34、35中突出。工作台11相对于框架保持单元12顶起，从而扩张膜S在径向上扩张而使得被加工物W被分割为各个芯片。此外，若框架保持单元12上升而解除了扩张膜S的扩张，则扩张膜S会缓和，在被加工物W的周围产生松弛，扩张膜S的多余部分隆起。
[0034]该扩张膜S上的隆起的隆起部R(参照图3B)凭借多个加热单元41而发生热收缩。这种情况下，加热单元41在远红外线的照射范围过大时会对被加工物W造成损伤，因而优选对扩张膜S的隆起部R点照射远红外线以进行局部加热。然而，若在贴附于环状框架F上的扩张膜S内部的规定方向上存在张力，则受到该张力偏差的影响，会在偏离加热单元41的远红外线照射位置的位置上产生隆起部R。
[0035]于是，在本实施方式的芯片间隔维持装置I中，在产生于被加工物W的周围的隆起部R偏离了远红外线的照射位置的情况下，凭借上述按压单元23顶起扩张膜S，从而使隆起部R对准远红外线的照射位置。而且，从加热单元41起对隆起部R点照射远红外线，从而隆起部R可高效地热收缩。
[0036]以下，参照图3，说明工作台和按压单元。图3是本实施方式的按压单元的动作说明图。另外，图3A表示被加工物的上表面示意图，图3B表示沿着图3A的C-C线的剖面示意图，图3C表示沿着图3A的D-D线的剖面示意图。
[0037]如图3A所示，若在被加工物W的分割后解除了扩张膜S的扩张时，扩张膜S的多余部分会在被加工物W的外周与环状框架F的内周之间隆起而产生隆起部R。如上所述，在扩张膜S内部沿规定方向存在张力，因此被加工物W的外周与环状框架F的内周之间的隆起部R的产生位置在周方向上是不同的。具体而言，在位置Pl处，在被加工物W的外周与环状框架F的内周的大致中间位置产生隆起部R，而在位置P2处，在被加工物W的外周附近产生隆起部R。
[0038]此外，加热单元41 (参照图3B)对远红外线的照射位置如双点划线L所示，对准被加工物W的外周与环状框架F的内周的大致中间位置。在位置Pl处，扩张膜S的隆起部R与远红外线的照射位置一致，而在位置P2处，扩张膜S的隆起部R偏离于远红外线的照射位置。此外，在扩张膜S的背侧，沿着远红外线的照射位置而等间隔配设有多个按压单元23。S卩，隔着扩张膜S而在多个加热单元41 (参照图3B)的热照射口 45的正下方定位有多个按压单元23。
[0039]而且，多个按压单元23从工作台11的支撑面21起突出，从而使得从上表面观察时呈椭圆状的隆起部R向虚线所示的远红外线的照射位置移动。具体而言，在图3B所示的位置Pl上，在被加工物W的外周与环状框架F的内周的大致中间位置上产生扩张膜S的隆起部R，而不必驱动按压单元23即可将隆起部R定位于远红外线的照射位置上。另一方面，在图3C所示的位置P2上，在被加工物W的外周附近产生扩张膜S的隆起部R，通过按压单元23顶起扩张膜S，从而隆起部R向远红外线的照射位置移动。
[0040]如上，凭借按压单元23而从扩张膜S的下方起在加热单元41的热照射口 45的方向上按压扩张膜S，使得扩张膜S的隆起部R向热照射口 45的附近移动。然后，从加热单元41的热照射口 45起向扩张膜S的隆起部R以高精度点照射远红外线。因此，仅隆起部R附近被加热，不会对被加工物W带来损伤，可使得仅隆起部R高效地加热收缩。
[0041]参照图4至图7，说明芯片间隔维持装置的芯片间隔维持方法。图4是表示本实施方式的保持步骤的一例的图。图5是表示本实施方式的芯片间隔扩张步骤的一例的图。图6是表示本实施方式的吸附保持步骤的一例的图。图7是表示本实施方式的隆起部形成步骤的一例的图。图8是表示本实施方式的加热收缩步骤的一例的图。另外，以通过之前的步骤而在被加工物上形成有分割起点的前提进行说明。
[0042]如图4所示，首先实施保持步骤。在保持步骤中，在工作台11上隔着扩张膜S载置被加工物W，通过框架保持单元12保持被加工物W的周围的环状框架F。此时，工作台11形成为直径大于被加工物W，在被加工物W与环状框架F之间的扩张膜S的下方配置有工作台11的按压单元23。此外，开闭阀14关闭，切断了吸附源13对于支撑面21的吸附力。进而，在被加工物W的内部，沿着分割预定线52(参照图1)形成有作为分割起点的改质层54。
[0043]如图5所示，在保持步骤后实施芯片间隔扩张步骤。在芯片间隔扩张步骤中，框架保持单元12从初始位置起在铅直方向上下降规定的距离，从而工作台11相对于框架保持单元12而被顶起。其结果，贴附有被加工物W的扩张膜S在放射方向上扩张，经由扩张膜S而对被加工物W的改质层54(参照图2)赋予外力。被加工物W以强度降低后的改质层54为分割起点而被分割为各个芯片C。扩张膜S延展至使得相邻芯片C完全离开，从而在多个芯片C间形成间隔。
[0044]此时，在工作台11的外周边缘上，扩张膜S转接于多个滚柱22(参照图2)上，因而可抑制扩张膜S在扩张时的摩擦等。另外，关于芯片间隔扩张步骤，通过框架保持单元12相对于工作台11下降，从而扩张膜S扩张，然