而不限于这种结构。只要是工作台11与框架保持单元12在铅直方向上相对移动规定的距离，从而使得扩张膜S扩张的结构即可。例如，既可以是工作台11相对于框架保持单元12上升而扩张扩张膜S，也可以是工作台11上升而框架保持单元12下降，从而扩张扩张膜S。
[0045]如图6所示，在芯片间隔扩张步骤后实施吸附保持步骤。在吸附保持步骤中，开闭阀14开启而使得吸附源13与支撑面21连通，在工作台11上的支撑面21上产生吸附力。此时，扩张膜S延展，因此通过工作台11隔着扩张膜S吸附保持住被加工物W，从而维持住相邻芯片C间的间隔。如此，在芯片间隔的扩张时，并未以不妨碍扩张膜S的扩张的方式通过工作台11吸附保持扩张膜S，而是以在芯片间隔的扩张后维持芯片间隔的方式通过工作台11吸附保持扩张膜S。
[0046]如图7所示，在吸附保持步骤的后实施隆起部形成步骤。在隆起部形成步骤中，框架保持单元12从下降位置起上升，从而解除了工作台11相对于框架保持单元12的顶起。通过工作台11的顶起的解除，通过扩张膜S扩张而形成的多余部位隆起，从而在被加工物W的外周侧形成隆起部R。此时，在工作台11上吸附保持有扩张膜S，因此即使被加工物W的周围的扩张膜S松弛，工作台11上的扩张膜S也不会产生松弛。
[0047]如图8所示，在隆起部形成步骤后实施加热收缩步骤。如图8A所示，在加热收缩步骤中，通过按压单元23从下侧按压扩张膜S，而扩张膜S的隆起部R向加热单元41的热照射口 45的正下方移动。例如，凭借按压单元23在加热单元41的热照射口 45的正下方制作出新的隆起部R，从而使得产生于被加工物W的外周附近的隆起部R移动。接着，如图SB所示，凭借来自加热单元41的热照射口 45的远红外线的点照射而使得扩张膜S的隆起部R加热收缩(热缩)。然后，多个加热单元41围绕铅直轴旋转，扩张膜S的隆起部R在全周范围加热收缩。
[0048]如上，在凭借存在于扩张膜S内部的张力的偏差而使得产生于被加工物W的周围的隆起部R偏离加热单元41的照射位置时，扩张膜S会凭借按压单元23向加热单元41的照射位置移动。由此，凭借加热单元41的点照射而使得扩张膜S的隆起部R高效地热收缩。在加热收缩步骤中，仅被加工物W的周围的扩张膜S的隆起部R热收缩，因此即使解除了工作台11的吸附保持，也能以维持相邻芯片C的间隔的状态固定。
[0049]如上，在本实施方式的芯片间隔维持装置I中，被加工物W保持于工作台11上，环状框架F保持于框架保持单元12上，扩张膜S进行扩张，从而在芯片间形成间隔。而且，在凭借工作台11的吸附而在被加工物W的芯片C间维持间隔的状态下解除扩张膜S的扩张，从而使得扩张膜S的松弛造成的多余部分在被加工物W的外周与环状框架F的内周之间隆起而形成隆起部R。此时，凭借存在于扩张膜S内部的张力的偏差，在产生于被加工物W的周围的隆起部R偏离热照射口 45的正下方时，由按压单元23按压扩张膜S而使得隆起部R向热照射口 45的正下方移动。由于隆起部R向热照射口 45的附近移动，因此能够从热照射口 45起向隆起部R照射远红外线，能够使隆起部R高效地热收缩。
[0050]另外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变更并实施。上述实施方式的内容不限于附图中所示的大小和形状，可以在发挥本发明效果的范围内适当变更。此外，在不脱离本发明目的的范围内可以适当变更并实施。
[0051]例如，在本实施方式的芯片间隔扩张步骤中，构成为通过扩张膜S的扩张而将被加工物W分割为多个芯片C，并且在多个芯片C间形成间隔，然而不限于这种结构。例如，在被加工物W已被分割的情况下，在芯片间隔扩张步骤中，只要通过扩张膜S的扩张而在多个芯片C间形成间隔即可。
[0052]此外，在本实施方式中，加热单元41构成为对扩张膜S的隆起部R点照射远红外线而使该隆起部R热收缩，然而不限于这种结构。加热单元41只要能够使隆起部R热收缩，就能采用任意结构。
[0053]此外，在本实施方式中，构成为框架保持单元12凭借载置工作台31和罩板33夹入环状框架F，然而不限于这种结构。框架保持单元12只要能够保持环状框架F即可，例如，框架保持单元12可以构成为将被空气致动器等驱动的夹持部设置于载置工作台31的四边，以保持环状框架F的四边。
[0054]此外，在本实施方式中，通过多个可动销构成按压单元23，然而不限于这种结构。按压单元23只要构成为按压扩张膜S的隆起部R，并使其移动至加热单元41的热照射口45的附近，就能采用任意结构。例如，按压单元23可以构成为使筒状的周壁从工作台11的支撑面21起突出，并在全周范围按压扩张膜S的隆起部R。
[0055]如上所述，本发明具有能够在短时间内准确地去除由于扩张膜的扩张而产生的松弛的效果，尤其适用于维持扩张了小芯片、大口径的被加工物的多个芯片间隔的状态的芯片间隔维持方法。
【主权项】
1.一种芯片间隔维持装置，其将构成被加工物的多个芯片的间隔维持为扩张状态，其中，该被加工物贴附于扩张膜上而安装于环状框架上， 该芯片间隔维持装置的特征在于，具有: 工作台，其具有支撑被加工物的支撑面，并且隔着扩张膜以能够吸附保持的方式支撑被加工物； 框架保持单元，其具有在该工作台的周围保持环状框架的保持面； 扩张单元，其通过扩张该扩张膜而在多个该芯片间形成间隔； 加热单元，其从上方侧对隆起部照射热而使该隆起部进行收缩，其中，该隆起部是在该工作台隔着该扩张膜吸附保持被该扩张单元扩张了该扩张膜而在该芯片间形成有间隔的多个该芯片的同时，通过解除该扩张单元的扩张而在被加工物的外周与该环状框架的内周之间由该扩张膜的多余部分隆起而成的；以及 按压单元，其配设于与该加热单元的热照射口相对的隔着该扩张膜的正下方，且从该扩张膜的下方朝该加热单元的该热照射口的方向按压该扩张膜，使该隆起部向该加热单元的该热照射口的附近移动。2.—种芯片间隔维持方法，使用权利要求1所述的芯片间隔维持装置，将构成被加工物的多个芯片的间隔维持为扩张状态，其中，该被加工物贴附于扩张膜上而安装于环状框架上， 该芯片间隔维持方法，由如下步骤构成: 保持步骤，在该工作台上隔着该扩张膜载置被加工物，并且通过该框架保持单元保持该环状框架； 芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该工作台和该框架保持单元在铅直方向上相对移动规定的距离，使该工作台相对于该框架保持单元顶起而延展该扩张膜，从而在该多个芯片间形成间隔； 吸附保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，通过该工作台隔着该扩张膜吸附保持被加工物，从而维持相邻的该芯片间的间隔； 隆起部形成步骤，在开始了该吸附保持步骤后，使该工作台和该框架保持单元在铅直方向上相对移动，解除该工作台相对于该框架保持单元的顶起，形成该扩张膜扩张而形成的该扩张膜的多余部位在被加工物的外周侧向该扩张膜的正面侧隆起而成的隆起部；以及加热收缩步骤，在实施了该隆起部形成步骤后，通过该按压单元按压扩张膜，使该隆起部移动至该加热单元的该热照射口的正下方，并且通过该加热单元对该隆起部进行加热而使其收缩。3.根据权利要求2所述的芯片间隔维持方法，其特征在于， 在设定有交叉的多条分割预定线的被加工物上，沿着该分割预定线形成有分割起点， 在该芯片间隔扩张步骤中，被加工物被分割为多个芯片，并且在芯片间形成有间隔。
【专利摘要】本发明提供芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法，能够在短时间内准确地去除扩张的扩张膜的松弛。芯片间隔维持装置是通过扩张状态维持隔着扩张膜(S)而支撑于环状框架(F)上的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的装置，其构成为具有：吸附保持被加工物的工作台(11)；在工作台的周围保持环状框架的框架保持单元(12)；使保持工作台与框架保持单元在铅直方向上相对移动并扩张扩张膜，在被加工物的多个芯片间形成间隔的扩张单元(37)；向由于解除膨胀带的扩张而产生于被加工物的周围的隆起部(R)照射热的加热单元(41)；以及从下方按压加热单元在扩张膜上的热照射位置的按压单元(23)。
【IPC分类】H01L21/301, H01L21/304
【公开号】CN105097479
【申请号】CN201510229164
【发明人】植木笃
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月7日