用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室的制作方法

文档序号:9418920阅读:283来源:国知局
用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及检验检测技术领域,具体涉及一种用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室。
【背景技术】
[0002]电离技术是一种从电离技术的光(所谓的光离子化检测器,PID)来检测特定的挥发性有机化合物,由紫外线照射测量气体分子,电离后,在电极两侧产生电流,通过检测电流的大小来确定气体浓度,该技术可用于气体分子的微量元素分析,它可以检测挥发性、浓度非常低的有机化合物。
[0003]不同的光辐射的方向上,气体流量和离子收集电离室的方向,可以划分成一维,二维,三维和轴向流动结构,一维和两维结构简单,小型化,装配容易,可以充分利用紫外线的敏感性,响应信号的线性关系良好,轴向结构和三维结构比较复杂,线性范围比较窄,轴流式结构易扩散,本发明采用的一维结构的扩散型电离室。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是提供一种用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室,其具有装配结构简单,机械结构稳定和电气连接性好,便于拆卸和更换电离室、紫外灯等优点。
[0005]为了解决【背景技术】所存在的问题,本发明是采用以下技术方案的:它包含聚四氟乙烯薄片1、电离室2、阴极3、地级4、阳极5、插针6,所述的电离室采用两层结构,电离室的纵向长度为1mm,阴极和阳极分别粘贴在耐腐蚀、抗氧化的聚四氟乙烯薄片两表面,两电极之间加入了第三个电极并接地,电离室上表面的电极为阴极;下表面的电极为阳极,中间的电极为接地电极,电离室纵向长度仅1mm,小孔直径0.6mm,孔间距0.1mm0
[0006]本发明的工作原理及其优点说明:
为实现PID的微型化和信号的良好线性度以及响应速度快,根据上述分析,电离室的纵向长度,即阴极和阳极之间的距离应尽量短,这里为1_ ;
阴极和阳极分别粘贴在耐腐蚀、抗氧化的聚四氟乙烯薄片两表面,两极板之间的微孔总成了 P I D的电离室;
由于电极间距很小,为防止湿度过大,在两电极之间形成湿度信号,这里在两电极之间加入了第三个电极并接地,由于该电极与阴极为等电位点,因此可以隔绝湿度电流;而地极在电离室部分为空心,并不影响离子化室内的电场分布;
为简化电离室加工工艺,这里采用两个完全相同的电极板反向叠加的方法来实现整个电离室的组装,电离室上表面的电极为阴极,收集正离子,下表面的电极为阳极,收集负电子,中间的电极为接地电极,隔绝湿度电流;
该电离室纵向长度仅1_,小孔直径0.6_,孔间距0.1_,小孔均匀对称的分布,在紫外灯的直射面上,该结构既保证有效的收集面积又能充分利用紫外光,并且由于电离室的纵向长度很小,气体在电离室内扩散至平衡的时间很短,因此响应速度快(3s )且信号线性度好。
[0007]【附图说明】:
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明总装配横截面图的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]参照图1,一种用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室,它包含聚四氟乙烯薄片1、电离室2、阴极3、地级4、阳极5、插针6,所述的电离室采用两层结构,电离室的纵向长度为1mm,阴极和阳极分别粘贴在耐腐蚀、抗氧化的聚四氟乙烯薄片两表面,两电极之间加入了第三个电极并接地,电离室上表面的电极为阴极;下表面的电极为阳极,中间的电极为接地电极,电离室纵向长度仅1mm,小孔直径0.6mm,孔间距0.1mm。
【主权项】
1.用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室,其特征在于包含聚四氟乙烯薄片、电离室、阴极、地级、阳极、插针,所述的电离室采用两层结构,电离室的纵向长度为1mm,阴极和阳极分别粘贴在耐腐蚀、抗氧化的聚四氟乙烯薄片两表面,两电极之间加入了第三个电极并接地,电离室上表面的电极为阴极;下表面的电极为阳极,中间的电极为接地电极,电离室纵向长度仅1mm,小孔直径0.6mm,孔间距0.1mm0
【专利摘要】用于光离子化检测挥发性气体的一维结构扩散型电离室,其涉及检验检测技术领域。其特征在于包含聚四氟乙烯薄片、电离室、阴极、地级、阳极、插针,所述的电离室采用两层结构,电离室的纵向长度,为1mm,阴极和阳极分别粘贴在耐腐蚀、抗氧化的聚四氟乙烯薄片两表面,两电极之间加入了第三个电极并接地,电离室上表面的电极为阴极;下表面的电极为阳极,中间的电极为接地电极,电离室纵向长度仅1mm,小孔直径0.6mm,孔间距0.1mm。本发明具有装配结构简单,机械结构稳定和电气连接性好,便于拆卸和更换电离室、紫外灯等优点。
【IPC分类】H01J47/02, G01N27/64
【公开号】CN105140095
【申请号】CN201510457633
【发明人】朱卫国, 叶剑鸣, 印金汝
【申请人】安徽中杰信息科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月30日
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