r>[0038] 6)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除悬臂梁下的聚酰亚胺牺牲层，去离子 水稍稍浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干。
[0039] 在本发明中悬臂梁N型MESFET的阈值电压设计为正值，悬臂梁P型MESFET的阈 值电压设计为负值，且悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET的阈值电压的绝对值设计 为相等。悬臂梁的下拉电压设计为与型MESFET的阈值电压的绝对值相等，两个MESFET的 悬臂梁是短接的。每个MESFET的悬臂梁下方的电极板与该MESFET的源极短接。当输入为 高电平时，悬臂梁N型MESFET的悬臂梁与电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以悬 臂梁被下拉到栅极上，悬臂梁与栅极短接，同时栅极与悬臂梁N型MESFET的源极间的电压 也大于阈值电压，所以悬臂梁N型MESFET工作在导通状态。而悬臂梁P型MESFET的悬臂 梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁是悬浮的，栅极处于断路，同时栅 极与悬臂梁P型MESFET的源极间的电压接近0,所以悬臂梁P型MESFET工作在截止状态， 从而倒相器输出为低电平。而当输入为低电平时，情况恰好相反，悬臂梁N型MESFET的悬 臂梁悬浮，工作在截止状态，而悬臂梁P型MESFET的悬臂梁被下拉，工作在导通状态。从而 倒相器输出为高电平。所以在本发明中的MESFET工作中，在悬臂梁与电极板间的电压小 于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极上方的，栅极是断路的，MESFET不导通。只有 在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会下拉到贴在栅极 上，悬臂梁与栅极短接，从而使MESFET导通。相比于传统的MESFET本发明中的MESFET的 悬臂梁在不下拉时都是悬浮的，悬臂梁与栅极间有一层空气层，栅极处是断路的，所以工作 中直流漏电流得到有效的减小。
[0040] 有益效果：本发明的GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器在工作中输入电压不总 是加载在栅极上。在悬臂梁悬浮时，悬臂梁与栅极间有一层空气层，栅极处是断路的，有效 的减小栅极漏电流。从而使得本发明中的GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的功耗得 到有效的降低，性能也得到改善。
【附图说明】
[0041] 图1为本发明GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的原理图，
[0042] 图2为本发明GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的俯视图，
[0043] 图3为图2GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的P-P'向的剖面图，
[0044] 图4为图2GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的A-A'向的剖面图，
[0045] 图5为图2GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的B-B'向的剖面图，
[0046] 图中包括：悬臂梁N型MESFET1，悬臂梁P型MESFET2,半绝缘GaN衬底3,输入引 线4,栅极5,悬臂梁6,锚区7,电极板8,氮化硅层9, P型有源层10, N型有源层11，悬臂梁 N型MESFET的源极12,悬臂梁P型MESFET的源极13,引线14,悬臂梁N型MESFET的漏极 15,悬臂梁P型MESFET的漏极16。
【具体实施方式】
[0047] 本发明是由悬臂梁N型MESFET1和悬臂梁P型MESFET2构成，该倒相器的晶体管基 于半绝缘GaN衬底3,其输入引线4是利用金制作。悬臂梁N型MESFET1的源极12接地，悬 臂梁P型MESFET2的源极13接电源。悬臂梁N型MESFET1的漏极15与悬臂梁P型MESFET2 的漏极16短接。本发明中的MESFET的栅极5与有源层形成肖特基接触，在栅极5上方设 计了悬臂梁6。两个MESFET悬臂梁是短接的。悬臂梁6两个锚区7制作在半绝缘GaN衬底 3上。在每个悬臂梁6下方设计了两个电极板8,电极板的上方覆盖有氮化硅层9。
[0048] 在本发明中，悬臂梁N型MESFET1的阈值电压设计为正值，悬臂梁P型MESFET2的 阈值电压设计为负值，且悬臂梁N型MESFET1和悬臂梁P型MESFET2的阈值电压的绝对值 设计为相等，而悬臂梁6的下拉电压设计为与型MESFET的阈值电压的绝对值相等。每个 MESFET的电极板8与该MESFET的源极短接。本发明中的MESFET的输入信号不是直接加载 在栅极5上，而是加载在悬臂梁6上。当输入高电平时，悬臂梁N型MESFET1的悬臂梁6与 电极板8间的电压大于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁6被下拉到栅极5上，悬臂梁6与栅 极5短接，同时栅极5与悬臂梁N型MESFET1的源极12间的电压也大于阈值电压，所以悬 臂梁N型MESFET1工作在导通状态。而悬臂梁P型MESFET2的悬臂梁6与电极板8间的电 压小于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁6是悬浮的，栅极5处于断路，栅极5与悬臂梁P型 MESFET2的源极13间的电压接近0,所以悬臂梁P型MESFET2工作在截止状态，从而输出为 低电平。而当输入低电平时，情况恰好相反，悬臂梁N型MESFET1的悬臂梁6悬浮，工作在 截止状态，而悬臂梁P型MESFET2的悬臂梁6被下拉，处于工作在导通状态。从而倒相器输 出为高电平。在本发明中的MESFET工作过程中，当悬臂梁6与电极板8间的电压小于阈值 电压的绝对值时，悬臂梁6是悬浮在栅极5的上方，栅极5处是断路的，MESFET工作在截止 状态。只有在悬臂梁6与电极板8间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁6才 会下拉到贴在其下方的栅极5上，悬臂梁6与栅极5短接，从而使MESFET导通。相比于传 统的MESFET，本发明中的MESFET的悬臂梁6在悬浮时，悬臂梁6与栅极5之间有一层空气， 栅极处是断开的，所以直流漏电流得到有效的减小。
[0049] GaN基低漏电流悬臂梁MESFET倒相器的制备方法包括以下几个步骤：
[0050] 1)准备半绝缘GaN衬底3 ;
[0051] 2)淀积氮化硅，用等离子体增强型化学气相淀积法工艺（PECVD)生长一层氮化 硅，然后光刻和刻蚀氮化硅，去除悬臂梁P型MESFET2有源区的氮化硅；
[0052] 3)悬臂梁P型MESFET有源区离子注入：注入硼后，在氮气环境下退火；退火完成 后，在高温下进行P+杂质再分布，形成悬臂梁P型MESFET2有源区的P型有源层10 ;
[0053] 4)去除氮化硅：采用干法刻蚀技术将氮化硅全部去除；
[0054] 5)淀积氮化硅，用等离子体增强型化学气相淀积法工艺（PECVD)生长一层氮化 硅，然后光刻和刻蚀氮化硅，去除悬臂梁N型MESFET有源区的氮化硅；
[0055] 6)悬臂梁N型MESFET1有源区离子注入：注入磷后，在氮气环境下退火；退火完成 后，在高温下进行N +杂质再分布，形成悬臂梁N型MESFET1有源区的N型有源层11;
[0056] 7)去除氮化硅：采用干法刻蚀技术将氮化硅全部去除；
[0057] 8)光刻栅区，去除栅区的光刻胶；
[0058] 9)电子束蒸发钛/铂/金；
[0059] 10)去除光刻胶以及光刻胶上的钛/铂/金；
[0060] 11)加热，使钛/铂/金合金与P型GaN有源层10以及N型GaN有源层11形成肖 特基接触；
[0061] 12)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀悬臂梁N型MESFET1源极和漏极区域的光刻胶；
[0062] 13)注入重掺杂N型杂质，在悬臂梁N型MESFET1源极和漏极区域形成的N型重掺 杂区，注入后进行快速退火处理；
[0063] 14)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀悬臂梁P型MESFET2源极和漏极区域的光刻胶；
[0064] 15)注入重掺杂P型杂质，在悬臂梁P型MESFET2源极和漏极区域形成的P型重掺 杂区，注入后进行快速退火处理；
[0065] 16)光刻源极和漏极，去除引线、源极和漏极的光刻胶；
[0066] 17)真空蒸发金锗镍/金；
[0067] 18)去除光刻胶以