封装能力，也具有多样封装体结合能力。如图13所示，显示为所述扇出型封装结构还包括键合于所述第一凸块结构5暴露出的上端的至少一个第一封装体8。其中，多个第一封装体可为相同类型，也可以为不同类型，从而满足多样的应用需求。
[0129]此外，如图14所示，所述扇出型封装结构还可进一步包括与所述第二凸块结构7连接的第二封装体9。所述第二封装体9可为PCB板或其它封装体。
[0130]本发明的扇出型封装结构中，所述塑封层6不仅起到塑封所述第一芯片4的作用，其结合所述第一凸块结构5，可以替代TSV结构，实现堆叠型封装。相对于复杂的TSV制作流程，本发明由塑封层6及所述第一凸块结构5组成的类TSV结构更易制备，有利于简化工艺流程，降低成本。由于所述第一凸块结构5嵌于所述塑封层6中且暴露出上端，使得堆叠型封装更容易实现。所述堆叠型封装结构可进一步通过所述第二凸块结构7与PCB板或其它封装体键合，提高封装效率。
[0131]综上所述，本发明的扇出型封装结构及其制作方法，具有以下有益效果:(1)本发明的扇出型封装结构的制作方法首先在载体上制作再分布引线层，然后再将芯片与再分布引线层连接，避免了传统塑封过程中因塑封材料加热固化过程中的收缩使得芯片与再分布引线层发生偏移的问题，大幅提高了良率。(2)本发明可通过在所述第一凸块结构暴露出的上端键合至少一个第一封装体，得到堆叠型封装结构，并且多个第一封装体可为不同类型，拓展了应用类型。(3)本发明采用第一凸块结构作为堆叠型封装的互连结构，其中，所述第一凸块结构嵌于塑封层内并暴露出上端，相对于复杂的TSV制作流程，本发明首先制作所述第一凸块结构，然后进行模压形成所述塑封层，工艺流程更为简单，且上层封装体可以直接键合于所述第一凸块结构暴露的上端，封装过程也更简单，从而降低成本。(4)本发明通过模压法结合分隔膜得到所述塑封层，使得塑封层上表面低于所述第一凸块结构顶部，避免了塑封层的减薄与开孔过程，不仅节省了材料、降低了污染，也避免了减薄过程导致电路结构的损坏，同时也使得堆叠型封装更容易实现。(5)本发明的扇出型封装结构不仅具有堆叠型封装能力，也具有多样封装体结合能力，满足多样的应用需求，同时还可以将得到的整个堆叠型封装体通过所述第二凸块结构键合于PCB板或其它封装体。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0132]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: S1:提供一基板，在所述基板上表面形成粘胶层； S2:在所述粘胶层上表面形成再分布引线层； S3:在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构；所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接，且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部； 54:在所述再分布引线层上表面形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端； 55:去除所述基板及粘胶层，在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:还包括步骤S6:在所述第一凸块结构暴露出的上端键合至少一个第一封装体。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:将所述步骤S6得到的结构通过所述第二凸块结构连接于第二封装体。4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:所述再分布引线层包括介质层及形成于所述介质层中的至少一层再分布金属线路。5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤S3中，所述第一芯片表面制作有第三凸块结构，所述第一芯片通过所述第三凸块结构与所述再分布引线层电连接。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤S3中，所述第一凸块结构包括金属柱及形成于所述金属柱顶端的锡基金属帽。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:所述金属柱为Cu柱或Ni柱。8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤S3中，所述第一凸块结构为金属焊球。9.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤S4中，采用压模法形成所述塑封层，包括如下步骤: S4-1:提供一压模组件，所述压模组件包括底部压块及顶部压块； S4-2:在所述顶部压块下表面贴上隔离膜，将所述基板放置于所述底部压块表面，并在所述再分布引线层表面放置塑封材料； S4-3:通过所述顶部压块及所述底部压块将所述基板夹紧，使所述塑封材料被压平，且所述第一凸块结构的上端嵌入所述隔离膜中； S4-4:释放所述顶部压块及所述底部压块，并剥离所述隔离膜。10.根据权利要求9所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:所述隔离膜为柔性聚合物材料。11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤S5中，所述第二凸块结构为金属焊球。12.—种扇出型封装结构，其特征在于，包括: 再分布引线层； 键合于所述再分布引线层上表面并与所述再分布引线层电连接的至少一个第一芯片; 与所述再分布引线层电连接且顶部高于所述第一芯片的至少两个第一凸块结构； 覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端的塑封层； 以及制作于所述再分布引线层下表面的第二凸块结构。13.根据权利要求12所述的扇出型封装结构，其特征在于:所述扇出型封装结构还包括键合于所述第一凸块结构暴露出的上端的至少一个第一封装体。14.根据权利要求12或13所述的扇出型封装结构，其特征在于:所述扇出型封装结构还包括与所述第二凸块结构连接的第二封装体。15.根据权利要求12所述的扇出型封装结构，其特征在于:所述再分布引线层包括介质层及形成于所述介质层中的至少一层再分布金属线路。16.根据权利要求12所述的扇出型封装结构，其特征在于:所述第一芯片表面制作有第三凸块结构，所述第一芯片通过所述第三凸块结构与所述再分布引线层电连接。17.根据权利要求12所述的扇出型封装结构，其特征在于:所述第一凸块结构包括金属柱及形成于所述金属柱顶端的锡基金属帽；或者所述第一凸块结构为金属焊球。
【专利摘要】本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述方法包括以下步骤：S1：提供一基板，在所述基板上表面形成粘胶层；S2：在所述粘胶层上表面形成再分布引线层；S3：在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构；所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接，且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部；S4：在所述再分布引线层上表面形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片，且暴露出所述第一凸块结构的上端；S5：去除所述基板及粘胶层，在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。本发明可以减少芯片与再分布引线层之间的偏移，提高良率；且封装过程更为简单，可以降低生产成本。
【IPC分类】H01L21/60, H01L21/48, H01L23/498, H01L23/488
【公开号】CN105225965
【申请号】CN201510741725
【发明人】林正忠, 蔡奇风
【申请人】中芯长电半导体（江阴）有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年11月3日