形成 由本发明的环氧树脂组合物形成的光反射用的反射器15,进而上述光半导体元件3的上部 (发光面或受光面）被封装层16覆盖。在图中，17是连接用电极（凸块）。另外，上述封装 层16由环氧树脂、有机硅树脂、或玻璃、陶瓷等无机材料形成，在上述封装层16中，可以配 混分散有荧光体，也可未配混荧光体。
[0081] 这种封装型光半导体元件例如可如下地进行制造。即，在切割带等的粘合面上，将 倒装芯片型的光半导体（发光）元件3 (例如蓝色LED芯片等）以在其发光面的相反面上 设置的连接用电极（凸块）17埋入上述胶带面的状态设置一定的间隔进行配置。接着，使 用压缩成形机、传递成形机或注射成形机，将上述光半导体元件3的全部侧面、进而发光面 用本发明的环氧树脂组合物包埋。然后，用干燥机等进行后加热，由此使上述环氧树脂组合 物的热固化反应完成，从而在光半导体元件3的全部侧面形成由本发明的环氧树脂组合物 制成的光反射用的反射器15。接着，将在发光面上形成的反射器15进行磨削并去除，由此 使发光面露出，在该露出的发光面上在用围堰材料包围周围的状态注入有机硅树脂等封装 材料，或者将片状的封装材料粘贴在发光面上，从而形成封装层16。接着，通过将光半导体 元件3彼此间的中央线使用刀片切片机进行切割来单片化成单个的元件。然后，将切割带 扩展延伸，从而降低粘合性，使切割带上的形成有反射器15的封装型的光半导体元件3彼 此完全分离、单片化，由此可以制造图4中示出的封装型的光半导体元件3。
[0082] 作为使用了如此得到的封装型的光半导体元件3的结构的光半导体装置，例如， 可以举出具备如下构成的光半导体装置：在布线电路基板的形成电路的规定位置通过上述 光半导体元件3的连接用电极17进行搭载，由此形成的构成。
[0083] 实施例
[0084] 接着，关于实施例，与比较例一起进行说明。需要说明的是，本发明丙不限定于这 些实施例。
[0085] 首先，在制作环氧树脂组合物之前，准备下述所示的各成分。
[0086] [环氧树脂]
[0087] 三（2, 3-环氧丙基）异氰脲酸酯（日产化学工业株式会社制，TEPIC-S)
[0088] [固化剂]
[0089] 4-甲基六氢邻苯二甲酸酐（X)和六氢邻苯二甲酸酐（y)的混合物[混合重量比 X :y = 70 :30](新日本理化株式会社制，Rikacid MH-700)
[0090] [羧酸]
[0091] 六氢邻苯二甲酸（固体状，新日本理化株式会社制，Rikacid HH-W。需要说明的 是，使用的是处理为平均粒径500 μ m以下的物质）
[0092] [水]
[0093] 离子交换水
[0094] [增塑剂Π ]
[0095] 新戊二醇（三菱瓦斯化学株式会社制）
[0096] [增塑剂 f2]
[0097] 三羟甲基丙烷（三菱瓦斯化学株式会社制）
[0098] [固化促进剂]
[0099] 甲基三丁基膦二甲基磷酸盐（日本化学工业株式会社制，PX-4MP)
[0100][硅烷偶联剂a]
[0101] 3-巯基丙基三甲氧基硅烷（信越化学工业株式会社制，KBM-803)
[0102] [硅烷偶联剂b]
[0103] 3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（信越化学工业株式会社制，KBM-403)
[0104] [脱模剂]
[0105] C (碳原子数）>14,乙氧基化醇/乙烯均聚物（丸菱油化工业株式会社制，UNT750)
[0106] [抗氧化剂]
[0107] 四[亚乙基_3-(3, 5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸酯](共同药品株式会社制， S0NGN0X1010)
[0108] [二氧化硅粉末]
[0109] 熔融球状二氧化硅粉末（无定形）（平均粒径20 μ m)
[0110] [白色颜料cl]
[0111] 金红石型二氧化钛（平均粒径〇· 28 μL?，比表面积13m2/g)
[0112] [白色颜料c2]
[0113] 氧化锆（平均粒径4. 3 μ m，比表面积3. 8m2/g)
[0114] [实施例1~17,比较例1~4]
[0115] 将后述的表1~表3中示出的各成分以同一表中示出的比例进行配混，用混炼机 进行熔融混合（温度100~160°c )，熟化后，冷却至室温（25°C )进行粉碎，由此制作作为 目标的粉末状的环氧树脂组物。
[0116] 使用如上得到的实施例和比较例的环氧树脂组合物，按照下述方法进行各种特性 评价[玻璃化转变温度（Tg)、初始光反射率、抗粘连性、螺旋流（SF)值、翘曲评价]的测定。 将其结果不于后述的表1~表3。
[0117] [玻璃化转变温度（Tg)]
[0118] 使用上述各环氧树脂组合物，在规定的固化条件（条件：175°C X2分钟的成形 +175°C X3小时固化）下制作截面为5mmX5mm、长度为20mm的四棱柱状的试验片。然后， 使用上述试验片，利用热机械分析装置（岛津制作所株式会社制，TMA-50)以2°C /分钟的 升温速度从25°C升温到220°C，由此进行测定。
[0119] [初始光反射率]
[0120] 使用上述各环氧树脂组合物，在规定的固化条件（条件：175°C X2分钟的成形 +175°C X 3小时固化）下制作厚度1mm的试验片，用该试验片（固化物）测定在室温（25°C ) 下的光反射率。需要说明的是，使用日本分光株式会社制的分光光度计V-670作为测定装 置，在室温（25°C )下测定波长450nm的光反射率。
[0121] [抗粘连性]
[0122] 将上述粉末状的环氧树脂组合物（50g)放入到100ml烧杯内后，从其上施加400g 的载荷。维持该状态，在25°C下放置3小时。然后，将上述环氧树脂组合物过10mm孔的筛 子，将残留有粘连（凝集）物的情况记为X，将没有残留物但存在目视能够辨识的凝集物的 情况记为Λ，将无论是残留物还是凝集物均没有确认到的情况记为〇，进行评价。
[0123] [螺旋流（SF)值]
[0124] 根据EMMI1-66的方法，将各环氧树脂组合物填充到螺旋流测定用模具中，在成形 条件175°C、合模力18MPa、注射压力4. 9MPa的条件下注射后，用目视确认刻在上述模具上 的刻度，由此测定螺旋流（SF)值（cm)。需要说明的是，在本发明中，将SF值为60cm以上的 环氧树脂组合物判断为合格。
[0125] [翘曲评价]
[0126] 使用上述各环氧树脂组合物，制造图1所示结构的光半导体（发光）装置。SP， 将铜（镀银）制的引线框设置在传递成形机上，进行传递成形（成形条件：175°C X2分钟 +175°C X2小时固化），由此，制造图1中示出的外尺寸为50mmX59mm的引线框，其在纵向 和横向各设置13个包括反射器4、在该反射器4上形成的凹部5、以及该凹部5内设置的第 1板部1和第2板部2的结构。
[0127] 在常温（25°C )下将这样操作得到的上述引线框（样品）静置在平坦的台上，用 激光位移计（Ti-Tech株式会社制，温度可变激光三维测定机）测定自台上起样品位置的最 高点和最低点，将其差作为最大翘曲量。结果将最大翘曲量低于1. 5mm的样品记为〇，将 1. 5mm以上的样品记为X，进行评价。
[0128] [表 1]
[0129] (重量份）
[0130]
[0131] *1 :用羧酸量[mol]/〔（羧酸量[mol]+固化剂量[mol])〕X 100算出。需要说明 的是，在配混水的情况下，由于添加的水的量[mol]=反应生成的羧酸量[mol]=减少的酸 酐[mol]，因此，考虑上述事项并算出。
[0132] *2 :相对于㈧成分中的环氧基1当量，⑶成分中的可与环氧基反应的活性基团 (酸酐基或羧基）的当量比
[0133] [表 2]
[0134] (重量份）
[0135]
[0136] *1 :用羧酸量[mol]/〔（羧酸量[mol]+固化剂量[mol])〕X 100算出。需要说明 的是，在配混水的情况下，由于添加的水的量[mol]=反应生成的羧酸量[mol]=减少的酸 酐[mol]，因此，考虑上述事项并算出。
[0137] *2 :相对于㈧成分中的环氧基1当量，⑶成分中的可与环氧基反应的活性基团 (酸酐基或羧基）的当量比
[0138] [表 3]
[0139] (重量份）
[0140]
[0141] *1 :用羧酸量[mol]/〔（羧酸量[mol]+固化剂量[mol])〕X 100算出。需要说明 的是，在配混水的情况下，由于添加的水的量[mol]=反应生成的羧酸量