薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。【【背景技术】】
[0002]基于LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶娃)技术的薄膜晶体管由于具有较高的电子迀移率，因此可以有效地减小TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件的面积，提高像素单元的开口率。
[0003]传统的基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板一般具有十层甚至十层以上的结构，因为传统的基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板的制作工艺比较复杂，需要较多的光罩制程，同时制作周期也较长。
[0004]这不利于生产效率的提高，同时也不利于生产成本的降低。
[0005]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
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【发明内容】
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[0006]本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，其能缩减薄膜晶体管阵列基板的制造周期，简化薄膜晶体管阵列基板的制造流程。
[0007]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0008]—种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，所述方法包括以下步骤:A、形成第一面板，其中，所述第一面板包括基板、缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层和第一金属层，所述第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；B、对所述第一面板中的所述第一金属层、第一绝缘层和所述多晶硅层实施第一光罩制程，并去除所述第一金属层中位于所述第二区域和所述第三区域中的部分，以形成薄膜晶体管中的栅极；C、去除所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分，以露出所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的部分；D、在所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的表面以及所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施第二光罩制程，以分别在所述第二区域和所述第三区域形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均使部分所述多晶硅层显露；E、在所述第一透明电极层上设置第二金属层，并对所述第一透明电极层和所述第二金属层实施第三光罩制程，以在所述第二金属层中形成所述薄膜晶体管中的源极和漏极，以及在所述第一透明电极层中形成第一透明电极；F、在所述第二绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述第一透明电极层上设置钝化层和第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。
[0009]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述步骤B之后，以及在所述步骤D之前，所述方法还包括以下步骤:H、透过所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分向所述多晶硅层布植离子。
[0010]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述第二区域包括第四区域和第五区域，所述第三区域包括第六区域和第七区域，其中，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域位于所述第一区域与所述第七区域之间；所述步骤Η包括以下步骤:hl、在所述多晶硅层中位于所述第四区域和所述第六区域的部分布植Ρ-离子；以及h2、在所述多晶硅层中位于所述第五区域和所述第七区域的部分布植P+离子。
[0011]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，在所述第一绝缘层经过所述第一光罩制程的作用之后，所述第一绝缘层的第四厚度大于或等于所述第一绝缘层的第五厚度，其中，所述第四厚度为所述第一绝缘层在所述第四区域或所述第六区域处的平均厚度，所述第五厚度为所述第一绝缘层在所述第五区域或所述第七区域处的平均厚度。
[0012]在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述第一通孔位于所述第五区域，所述第二通孔位于所述第七区域；所述第一通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第五区域的部分，所述第二通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第七区域的部分；所述步骤D包括:dl、在所述多晶硅层和所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层；以及d2、对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施所述第二光罩制程，以分别在所述第五区域和所述第七区域形成所述第一通孔和所述第二通孔。
[0013]—种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括:基板；缓冲层；第一绝缘层；第二绝缘层；第一透明电极层；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:栅极，所述栅极是对通过在所述第一绝缘层上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第一光罩制程来形成的；多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层和所述第一绝缘层之间；源极；以及漏极；其中，所述源极和所述漏极是通过在所述第一透明电极上以及在第一通孔和第二通孔内设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第三光罩制程来形成的，所述第一通孔和所述第二通孔是通过在所述多晶硅层和所述第一金属层的表面设置第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第二绝缘层和所述第一透明电极层实施第二光罩制程来形成的；钝化层；第二透明电极，所述第二透明电极是通过在所述钝化层上设置第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程来形成的；由所述基板、所述缓冲层、所述多晶硅层、所述第一绝缘层和所述第一金属层组成的第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；所述栅极是通过对所述第一金属层实施所述第一光罩制程，并去除所述第一金属层位于所述第二区域和所述第三区域的部分来形成的；所述第一通孔和所述第二通孔分别位于所述第二区域和所述第三区域。
[0014]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述多晶硅层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分布植有离子。
[0015]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述第二区域包括第四区域和第五区域，所述第三区域包括第六区域和第七区域，其中，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域位于所述第一区域与所述第七区域之间；所述多晶硅层中位于所述第四区域和所述第六区域的部分布植有ρ-离子；所述多晶硅层中位于所述第五区域和所述第七区域的部分布植有P+离子。
[0016]在上述薄膜晶体管阵列面板中，在所述第一绝缘层经过所述第一光罩制程的作用之后，所述第一绝缘层的第四厚度大于或等于所述第一绝缘层的第五厚度，其中，所述第四厚度为所述第一绝缘层在所述第四区域或所述第六区域处的平均厚度，所述第五厚度为所述第一绝缘层在所述第五区域或所述第七区域处的平均厚度。
[0017]在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述第一通孔位于所述第五区域，所述第二通孔位于所述第七区域；所述第一通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第五区域的部分，所述第二通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第七区域的部分。
[0018]相对现有技术，本发明仅利用四道光罩制程即可制成基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板，有效地缩减了薄膜晶体管阵列基板的制造周期，简化了薄膜晶体管阵列基板的制造流程，降低了薄膜晶体管阵列基板的生产成本。
[0019]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0020]图1至图7为本发明的薄膜晶体管阵列面板的制作方