组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在【具体实施方式】或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
[0086]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: A、形成第一面板，其中，所述第一面板包括基板、缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层和第一金属层，所述第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间； B、对所述第一面板中的所述第一金属层、第一绝缘层和所述多晶硅层实施第一光罩制程，并去除所述第一金属层中位于所述第二区域和所述第三区域中的部分，以形成薄膜晶体管中的栅极； C、去除所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分，以露出所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的部分； D、在所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的表面以及所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施第二光罩制程，以分别在所述第二区域和所述第三区域形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均使部分所述多晶硅层显露； E、在所述第一透明电极层上设置第二金属层，并对所述第一透明电极层和所述第二金属层实施第三光罩制程，以在所述第二金属层中形成所述薄膜晶体管中的源极和漏极，以及在所述第一透明电极层中形成第一透明电极； F、在所述第二绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述第一透明电极层上设置钝化层和第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，在所述步骤B之后，以及在所述步骤D之前，所述方法还包括以下步骤: H、透过所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分向所述多晶硅层布植呙子。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述第二区域包括第四区域和第五区域，所述第三区域包括第六区域和第七区域，其中，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域位于所述第一区域与所述第七区域之间； 所述步骤Η包括以下步骤: hl、在所述多晶硅层中位于所述第四区域和所述第六区域的部分布植Ρ-离子；以及 h2、在所述多晶硅层中位于所述第五区域和所述第七区域的部分布植P+离子。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层经过所述第一光罩制程的作用之后，所述第一绝缘层的第四厚度大于或等于所述第一绝缘层的第五厚度，其中，所述第四厚度为所述第一绝缘层在所述第四区域或所述第六区域处的平均厚度，所述第五厚度为所述第一绝缘层在所述第五区域或所述第七区域处的平均厚度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述第一通孔位于所述第五区域，所述第二通孔位于所述第七区域； 所述第一通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第五区域的部分，所述第二通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第七区域的部分； 所述步骤D包括: dl、在所述多晶硅层和所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层；以及 d2、对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施所述第二光罩制程，以分别在所述第五区域和所述第七区域形成所述第一通孔和所述第二通孔。6.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括: 基板； 缓冲层； 第一绝缘层； 第二绝缘层； 第一透明电极层； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括: 栅极，所述栅极是对通过在所述第一绝缘层上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第一光罩制程来形成的； 多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层和所述第一绝缘层之间； 源极；以及 漏极； 其中，所述源极和所述漏极是通过在所述第一透明电极上以及在第一通孔和第二通孔内设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第三光罩制程来形成的，所述第一通孔和所述第二通孔是通过在所述多晶硅层和所述第一金属层的表面设置第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第二绝缘层和所述第一透明电极层实施第二光罩制程来形成的； 钝化层； 第二透明电极，所述第二透明电极是通过在所述钝化层上设置第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程来形成的； 由所述基板、所述缓冲层、所述多晶硅层、所述第一绝缘层和所述第一金属层组成的第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间； 所述栅极是通过对所述第一金属层实施所述第一光罩制程，并去除所述第一金属层位于所述第二区域和所述第三区域的部分来形成的； 所述第一通孔和所述第二通孔分别位于所述第二区域和所述第三区域。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述多晶硅层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分布植有离子。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第二区域包括第四区域和第五区域，所述第三区域包括第六区域和第七区域，其中，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域位于所述第一区域与所述第七区域之间； 所述多晶硅层中位于所述第四区域和所述第六区域的部分布植有P-离子； 所述多晶硅层中位于所述第五区域和所述第七区域的部分布植有P+离子。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，在所述第一绝缘层经过所述第一光罩制程的作用之后，所述第一绝缘层的第四厚度大于或等于所述第一绝缘层的第五厚度，其中，所述第四厚度为所述第一绝缘层在所述第四区域或所述第六区域处的平均厚度，所述第五厚度为所述第一绝缘层在所述第五区域或所述第七区域处的平均厚度。10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一通孔位于所述第五区域，所述第二通孔位于所述第七区域； 所述第一通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第五区域的部分，所述第二通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第七区域的部分。
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。该方法包括：A、形成第一面板；B、对第一面板中的第一金属层、第一绝缘层和多晶硅层实施第一光罩制程，以形成栅极；C、去除第一绝缘层中位于第二、第三区域的部分，以露出多晶硅层位于第二区域和第三区域的部分；D、并对多晶硅层和第一金属层的表面上的第一透明电极层和第二绝缘层实施第二光罩制程，以形成第一、第二通孔；E、对第一透明电极层上的第一透明电极层和第二金属层实施第三光罩制程，以形成源极和漏极；F、对第二绝缘层、源极、漏极以及第一透明电极层上的第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。本发明能缩减薄膜晶体管阵列基板的制造周期，简化制造流程。
【IPC分类】H01L27/12
【公开号】CN105280647
【申请号】CN201510581159
【发明人】肖军城
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年9月11日