衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit:以下简称为LSI)的高集成化，电路图案的微细化在不断发展。
[0003]为了在狭小的面积上集成大量半导体器件，必须将器件的尺寸形成得很小，因此，就必须缩小所要形成的图案的宽度和间隔。
[0004]由于近几年的微细化，对于埋入微细结构，尤其是向纵向很深、或横向很窄的空隙结构(槽)内埋入氧化物，用CVD法进行的埋入方法正逐渐达到技术上的极限。另外，由于晶体管的微细化，正在谋求形成薄且均匀的膜。进一步地，为了提高半导体器件的生产率，正在谋求缩短每一张衬底的处理时间。
[0005]另外，为了提高半导体器件的生产率，正在谋求提高对衬底的整个面内的处理均匀性。
【发明内容】
[0006]近几年的以LS1、DRAM(动态随机存取存储器、Dynamic Random Access Memory)和闪存(Flash Memory)为代表的半导体器件的最小加工尺寸变得比30nm的宽度还小，而且膜厚也变得很薄，在保持品质的同时，微细化、制造生产能力(through-put)的提高和对衬底的处理均匀性的提高变得越来越难。
[0007]本发明的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、提高制造生产能力、并能抑制颗粒产生的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
[0008]根据本发明的一方案，提供一种衬底处理装置，具有:处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位的产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙供给吹扫气体。
[0009]根据本发明的另一方案，提供一种半导体器件的制造方法，具有:将衬底收纳到处理室内的工序；用外周具有突出部的衬底支承部支承所述衬底的工序；以及，在具有分隔部(所述分隔部设置在所述处理室内，与所述突出部相接触并分隔所述处理室与所述输送空间)的衬底处理装置中，向在对所述衬底供给处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体的工序。
[0010]根据本发明的又一方案，提供一种记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序，即，使衬底收纳到处理室内的步骤；用外周具有突出部的衬底支承部支承所述衬底的步骤；以及，在对分隔部和所述衬底供给处理气体时，向所述突出部与所述分隔部之间产生的间隙供给吹扫气体的步骤，所述分隔部设置在所述处理室内，与所述突出部相接触并分隔所述处理室与所述输送空间。
[0011]发明效果
[0012]根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、提高制造生产能力，并能抑制颗粒产生。
【附图说明】
[0013]图1是一个实施方式的衬底处理装置的示意性结构图。
[0014]图2是表示一个实施方式的衬底载置台与分隔部的位置关系的示意图。
[0015]图3中，(A)是一个实施方式的分隔部的俯视图，(B)是一个实施方式的分隔部的剖视图，(C)是一个实施方式的分隔部的侧视图，(D)是一个实施方式的分隔部的仰视图。
[0016]图4是其他实施方式的分隔吹扫气体供给部的示意图。
[0017]图5是其他实施方式的分隔吹扫气体供给部的示意图。
[0018]图6是一个实施方式的衬底处理装置的控制器的示意性结构图。
[0019]图7是一个实施方式的衬底处理工序的顺序图。
[0020]图8中，㈧是表示其他实施方式的衬底处理时的衬底载置台与分隔部的位置关系的图，(B)是表示其他实施方式的衬底输送时的衬底载置台与分隔部的位置关系的图。
[0021]附图标记说明
[0022]200-晶片(衬底)、201-处理室、202-处理容器、204-分隔部、212-衬底载置台、213-加热器、221-排气口(第一排气部)、234-气体整流部、231-盖、250-远程等离子体单元(激励部)、301a-吹扫气体供给孔、301b-吹扫区域
【具体实施方式】
[0023]以下，对本发明的实施方式进行说明。
[0024]<第一实施方式>
[0025]以下，根据附图对第一实施方式进行说明。
[0026](1)衬底处理装置的结构
[0027]首先，对第一实施方式的衬底处理装置进行说明。
[0028]对本实施方式的处理装置100进行说明。衬底处理装置100是形成绝缘膜或金属膜等的单元，如图1所示，构成为单片式衬底处理装置。
[0029]如图1所示，衬底处理装置100具有处理容器202。处理容器202例如构成为横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202例如由铝(A1)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内，形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理空间(处理室)201、输送空间203。处理容器202由上部容器202a与下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔部204。将由上部容器202a包围而成的空间、即分隔部204上方的空间称为处理空间201或反应区201，将由下部容器202b包围而成的空间、即分隔部下方的空间称为输送空间。
[0030]在下部容器202b的侧面上，设置有与闸阀205邻接的衬底输送出入口 206。晶片200经由衬底输送出入口 206而在与未图示的输送室之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个升降销207。进一步地，下部容器202b为接地电位。
[0031]在处理空间201内，设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要包括载置晶片200的载置面211、表面上具有载置面211的衬底载置台212、和内置于衬底载置台212内的作为加热部的加热器213。在衬底载置台212上的与升降销207对应的位置上分别设置有供升降销207贯通的贯通孔214。
[0032]另外，在衬底载置台212的侧壁212a上，具有朝向衬底载置台212的径向突出的突出部212b。该突出部212b设置在衬底载置台212的底面侧。此外，突出部212b与分隔部204相接触，抑制处理室201内的气氛向输送空间203内移动、或者输送空间203内的气氛向处理室201内移动。
[0033]衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿了处理容器202的底部，并进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218动作而使轴217及衬底载置台212升降，由此能够使载置于载置面211上的晶片200升降。此外，轴217下端部的周围由波纹管(bellows) 219包覆，从而将处理空间201内保持气密密封。
[0034]衬底载置台212在输送晶片200时，以载置面211到达衬底输送出入口 206的位置(晶片输送位置)的方式下降到衬底支承台，在处理晶片200时，如图1所示，晶片200上升到处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。
[0035]具体来说，在使衬底载置台212下降到晶片输送位置之后，变成升降销207的上端部从载置面211的上表面突出，且升降销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升到晶片处理位置之后，变成升降销207从载置面211的上表面埋入，且载置面211从下方支承晶片200。此外，升降销207由于与晶片200直接接触，所以例如优选为由石英、氧化招等材料形成。
[0036](排气部)
[0037]在处理空间201 (上部容器202a)的内壁上，设置有作为排出处理空间201的气氛的排气部的排气口 221。在排气口 221上连接有排气管222，在排气管222上依次串联连接有将处理空间201内部控制为规定压力的APC(Auto Pressure Controller、自动压力控制器)等压力调节器223、真空栗224。排气部(排气线路)220主要通过排气口 221、排气管222和压力调节器223构成。此外，还可以将真空栗224增加到排气部(排气线路)220结构的一部分中。
[0038](气体导入口)
[0039]在设于处理空间201上部的后述气体整流部234的上表面(顶壁)上，设置有用于向处理空间201内供给各种气体的气体导入口 241。关于与气体导入口 241连接的气体供给部的结构，详见后述。
[0040](气体整流部)
[0041]在气体导入口 241与处理空间201之间设置有气体整流部234。气体整流部234至少具有供处理气体穿过的开口 234d。气体整流部234通过安装器具235而安装在盖231上。从气体导入口 241导入的气体经由设于盖231上的孔231a和气体整流部234而向晶片200供给。此外，气体整流部234还可以构成为腔室盖组件(ch