和巧），直至得到一定厚度的阳DOT:PSS层；
[0054] (7)将步骤（5)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将化0溶液均匀的涂在该 加工件上，旋涂成膜，干燥后得到高导电的聚合物复合电极。 阳化5] 将本发明所制备的复合电极应用于聚合物薄膜太阳能电池中，下面将W PCDTBT = PC,eBM体系为例做出具体说明。其中PCDTBT代表共辆聚合物聚[氮-(1-辛基壬 基）-2, 7-巧挫-交替-5, 5- (4'，7' -双-2-嚷吩基-2'，1'，3' -苯并嚷二挫）]，PCwBM代表富 勒締衍生物[6, 6]-苯基口 1下酸甲醋（PC^BM)。值得注意的是，本发明所制备的PEDOT: PSS 复合电极可W适用于所有体系的聚合物薄膜太阳能电池，我们仅W PCDTBT: PC^BM体系作 为举例说明，而并非对本发明应用范围的限制。
[0056] 具体的聚合物薄膜太阳能电池制备过程如下：
[0057] (1)配制共辆聚合物和富勒締衍生物的混合溶液。在惰性气氛手套箱中，将4毫克 的PCDTBT与16毫克的PC^BM溶解于1毫升的邻二氯苯中，在80摄氏度条件下，磁力揽拌 12个小时，得到混合溶液，所述的PCDTBT的浓度为4毫克/毫升；PC,eBM浓度为16毫克/ 毫升。
[0058] (2)将制备好的，带有高电导率聚合物复合电极的加工件置于涂膜机的托架上， 将揽拌好的PCDTBT = PC,eBM混合溶液均匀涂在阳极界面层的上面，旋转涂膜，转速为每分钟 600转，得到厚度为70纳米的光敏层；
[0059] (3)将涂有光敏层的加工件放入真空锻膜机中，蒸发10纳米厚的=氧化钢和80纳 米厚的侣作为阳极层； W60] 最终得到的聚合物薄膜太阳能电池，其器件结构为：P邸0T:PSS :ZnO/ PCDTBT:PC?BM/Mo〇3/A1。该电池的有效面积为16平方毫米。
[0061] 测试其在100毫瓦/平方厘米的AM 1. 5G模拟太阳光照射下的电流-电压特性曲 线，其性能参数如表2所示。
[0062] 为了进一步说明本发明的技术方案，下面结合实施例对本发明进行具体描述，但 是需要注意的是，运些实施例仅用于进一步举例说明本发明的特征和优点，而并非对本发 明的范围做出的限制。 W63] 实施例1 W64] -种高电导率的复合电极的制备： 阳0化](1)将玻璃衬底（大小为3厘米X 3厘米）用洗液清洗干净，再依次用去离子水、 丙酬、异丙醇超声，各10分钟，然后放入真空烘箱，60摄氏度，烘干；
[0066] 似将上述衬底置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均匀的涂在衬底上， 旋涂成膜，转速为每分钟1000转，得到薄膜厚度为110纳米。所述PEDOT :PSS的水溶液浓 度为1.5%，P邸OT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0067] (3)将步骤（2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升的DMSO均匀 的涂在阳D0T:PSS薄膜上，静置2分钟，旋洗，移除薄膜中的部分PSS，同时，薄膜厚度减小至 80纳米； W側 （4)将步骤（3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升浓度为15% 的ZnO正下醇溶液均匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟8000转，干燥后得到的 高导电聚合物复合电极薄膜厚度不变，仍为80纳米。 W例最终，得到厚度为80纳米的阳DOT:PSS = ZnO复合电极，测试其电导率、方块电阻W 及透光率，结果列于表1中。
[0070] 实施例2 阳071] -种高电导率的复合电极的制备：
[0072] (1)将玻璃衬底（大小为3厘米X3厘米）用洗液清洗干净，再依次用去离子水、 丙酬、异丙醇超声，各10分钟，然后放入真空烘箱，60摄氏度，烘干； 阳07引 似将上述衬底置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均匀的涂在衬底上， 旋涂成膜，转速为每分钟1000转，得到薄膜厚度为110纳米；。所述PEDOT :PSS的水溶液 浓度为1.5%，P邸OT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0074] 做将步骤似所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升的DMSO均匀 的涂在PEDOT:PSS薄膜上，静置2分钟，旋洗，移除薄膜中的部分PSS，同时薄膜厚度减小至 80纳米； 阳0巧](4)将步骤（3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将PEDOT:PSS的水溶液均 匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟1000转。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度为 1. 5%，P邸OT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0076] (5)将步骤（4)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将DMSO均匀的涂在该加 工件上，静置2分钟，旋洗，移除薄膜中的部分PSS，最终，得到厚度为162纳米的PEDOT:PSS 薄膜；
[0077] (6)将步骤（5)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升浓度为15% 的ZnO正下醇溶液均匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟8000转，干燥后得到的 高导电聚合物复合电极薄膜厚度不变，仍为162纳米。
[0078] 最终，得到厚度为162纳米的阳D0T:PSS:Zn0复合电极，测试其电导率、方块电阻 W及透光率，结果列于表1中。
[0079] 实施例3
[0080] 一种高电导率的复合电极的制备：
[0081] (1)将玻璃衬底（大小为3厘米X3厘米）用洗液清洗干净，再依次用去离子水、 丙酬、异丙醇超声，各10分钟，然后放入真空烘箱，60摄氏度，烘干； 阳0間 似将上述衬底置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均匀的涂在衬底上， 旋涂成膜，转速为每分钟1000转，得到薄膜厚度为110纳米。所述PEDOT :PSS的水溶液浓 度为1.5%，P邸OT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0083] (3)将步骤（2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升的DMSO均匀 的涂在PEDOT:PSS薄膜上，静置2分钟，旋洗，移除薄膜中的部分PSS，同时薄膜厚度减小至 80纳米；
[0084] (4)将步骤做所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均 匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟1000转。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度为 1. 5%，阳DOT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0085] (5)将步骤（4)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将DMSO均匀的涂在该加 工件上，静置2分钟，旋洗；
[0086] (6)将步骤妨所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均 匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟1000转。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度为 1. 5%，阳DOT与PSS的重量比为1:2. 5 ;
[0087] (7)将步骤（6)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将DMSO均匀的涂在该加 工件上，静置2分钟，旋洗，最终，得到厚度为246纳米的PEDOT:PSS薄膜；
[0088] (8)将步骤（7)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升浓度为15% 的ZnO正下醇溶液均匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟8000转，干燥后得到的 高导电聚合物复合电极薄膜厚度不变，仍为246纳米。
[0089] 最终，得到厚度为246纳米的阳D0T:PSS:Zn0复合电极，测试其电导率、方块电阻 W及透光率，结果列于表1中。
[0090] 实施例4 阳091] -种高电导率的复合电极的制备：
[0092] (1)将玻璃衬底（大小为3厘米X3厘米）用洗液清洗干净，再依次用去离子水、 丙酬、异丙醇超声，各10分钟，然后放入真空烘箱，60摄氏度，烘干； 阳09引 似将上述衬底置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均匀的涂在衬底上， 旋涂成膜，转速为每分钟1000转，得到薄膜厚度为30纳米。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度 为0. 1%，P邸OT与PSS的重量比为50:1 ;
[0094] (3)将步骤（2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升的DMSO均匀 的涂在PEDOT:PSS薄膜上，静置2分钟，旋洗，移除薄膜中的部分PSS，同时薄膜厚度减小至 20纳米； 阳0巧](4)将步骤做所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均 匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟1000转。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度为 0. 1 %，P邸OT与PSS的重量比为50:1 ;
[0096] (5)将步骤（4)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将DMSO均匀的涂在该加 工件上，静置2分钟，旋洗； 阳097] (6)将步骤妨所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将阳DOT:PSS的水溶液均 匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟1000转。所述PEDOT :PSS的水溶液浓度为 0. 1 %，P邸OT与PSS的重量比为50:1 ;
[0098] (7)将步骤（6)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将DMSO均匀的涂在该加 工件上，静置2分钟，旋洗，最终，得到厚度为62纳米的PEDOT: PSS薄膜；
[0099] (8)将步骤（7)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上，将100微升浓度为15% 的正下醇ZnO溶液均匀的涂在该加工件上，旋涂成膜，转速为每分钟8000转，干燥后得到的 高导电聚合物复合电极薄膜厚度不变，仍为62纳米。 阳100] 最终，得到厚度为62纳米的阳DOT:PSS:化0复合电极，测试其电导率、方块电阻W 及透光率，结果列于表1中。 阳101] 实施例5 阳102] -种高电导率的复合电极的制备： 阳103] (I)将玻璃衬底（大小为3厘米X 3厘米）用洗液清