中 第二非零厚度t2比第一厚度tl薄。
[0078] W运种方式，在第一接触区域10的位置，高渗杂背表面场层8相对于第一接触区 域10外部的或邻近第一接触区域10的背表面场层8的凹陷表面11被抬高。
[0079]有利的是，憐表面渗杂得W降低，并且根据本发明的实施方式，在通过随后的BB。 扩散形成P+发射极的情况下，寄生的棚也被去除。
[0080]第一接触区域外部的凹陷表面11中的峰值渗杂浓度（例如，n++憐）降低到比第 一接触区域中的峰值渗杂浓度的数值更低的数值。例如，如果第一接触区域10中的背表面 场轮廓Cl的渗杂浓度为至少每立方厘米1 X 102°个原子，则邻近第一接触区域的凹陷表面 中的背表面场轮廓C2的渗杂浓度低于每立方厘米IXlO2"个原子，优选地在大约每立方厘 米6 X IQis个原子至大约每立方厘米6 X 10 W个原子之间。运些值可W用例如ECV或者SIMS 方法测量并且对于本领域技术人员将是已知的。
[0081] tl、Cl与t2、C2之间的实际差异取决于第一接触区域外部的、后表面7的背表面 场层8的去除程度，其中tl〉t2且CDC2。背表面场轮廓Cl和C2的示例在图4中示出。将 理解，渗杂浓度轮廓Cl、C2设及每剖面的总渗杂。
[0082]W运种方式，在第一接触区域10外部的背表面场层8中，自由载流子吸收和俄歇 复合现象得W降低。此外，由于在表面上更低的憐渗杂，其它后表面复合效应也得W降低。 此外，也去除了由第二（P+)发射极扩散步骤导致的相反渗杂类型的任意寄生渗杂。因此， 降低了光伏电池1中的内部损耗并且提高了电池的效率。同时，因为第一接触区域10具有 更高的表面渗杂，所W第一接触区域10中的背表面场层8与相关联的后接触件9之间的接 触电阻维持在相对低的水平。
[0083] 根据本发明的一个实施方式，背表面场层8是在后表面7的光敏区域上的连续层。 后表面场层8的厚度在第一接触区域10下面的第一厚度tl与邻近第一接触区域9的剩余 区域11的第二非零厚度t2之间调节，其中第一厚度tl大于第二厚度t2。背表面场的渗杂 浓度同时在轮廓Cl和C2之间调节，其中轮廓Cl存在于具有厚度tl的区域而轮廓C2存在 于具有厚度t2的区域中。也可参见图4。
[0084] 该抬高，即，第一厚度tl与第二厚度t2之间的差W及第一渗杂轮廓Cl与第二渗 杂轮廓C2之间的差取决于一些因素，诸如背表面场层8中初始渗杂轮廓Cl的形状、其最大 浓度和其最大厚度（第一厚度）W及背表面场层顶部的寄生渗杂（源自于前侧发射极层的 产生）。
[00化]几何学上，后表面纹理的程度可影响后表面的抬高部分和凹陷部分的形状和水 平。取决于后表面7上的处理，后表面可W被抛光、被平滑化或者仍然被轻微纹理化。
[0086]在实施方式中，第一厚度tl为大约1000皿，例如大约500皿至1500皿之间。寄生 渗杂具有大约50nm的厚度，例如5nm至60nm之间。根据本发明的实施方式，背表面场层8 在第一接触区域10外部的剩余区域中局部减薄了至少寄生渗杂层的厚度。因此第一接触 区域10相对于剩余区域11的抬高至少在5皿至60皿之间。
[0087] 在后表面7被平滑化或纹理化的实施方式中，该抬高由抬高部分10和凹陷部分11 的平均高度确定。
[0088] 在实施方式中，第一厚度在大约500nm至大约ISOOnm之间，并且第一接触区域10 外部的背表面场层8被减薄W产生在第一厚度tl与第二厚度t2之间的50nm至大约500nm 之间的高度差。
[0089] 在实施方式中，第一背表面场轮廓Cl在第一接触区域10中具有至少每立方厘米 IX1〇2°个原子的峰值渗杂，而由于变薄，第一接触区域10外部的背表面场层轮廓C2降低 为峰值渗杂低于每立方厘米1X102°个原子，优选地低于每立方厘米6X10W个原子或者甚 至低于每立方厘米1X10"个原子。
[0090] 第一接触区域10外部的背表面场层8的变薄可W通过刻蚀工艺完成，该刻蚀工艺 在选择的区域将背表面场层8的厚度tl局部地减小到第二厚度t2。
[0091] 此外，可W使用图案来执行BSF的减薄，其中邻近基板边缘的半导体基板的背表 面区域也被刻蚀并且tl与t2之间的差大于60nm，优选地大于300nm。邻近电池边缘的区域 被刻蚀，即，为了在电池边缘处获得具有厚度t2和轮廓C2的减薄的BSF层。可W运样的方 式选择厚度t2W提供边缘隔离。如下文参考图5a所描述的，当在太阳能电池设备的边缘 执行BSF层的减薄时，可省略边缘隔离处理步骤。有利的是，在电池边缘W适当图案使BSF 变薄可简化制造工艺并降低成本。
[0092] 刻蚀工艺的示例包括，但不限于，通过已经被局部涂刷（例如通过丝网印刷）的刻 蚀膏进行刻蚀，W及通过使用图案化的刻蚀掩模W暴露第一接触区域外部的背表面场层并 随后将样品浸入刻蚀剂中来进行刻蚀。
[0093] 后表面7包括至少覆盖第一接触区域10外部的剩余背表面场层区域的后介电层 12。
[0094] 在实施方式中，后介电层12也包括覆盖抬高的第一接触区域的任意侧壁13的部 分W及实际金属接触件9外部的接触区域10 (也可参见图化）。
[0095] 根据实施方式，后表面层为纯化和/或（抗）反射涂覆层。
[0096] 图3a示出根据本发明实施方式的光伏电池的剖视图。
[0097] 在该实施方式中，光伏电池配置为包括金属过孔14的MWT(MetalWrapT虹OU曲， 金属贯穿孔）太阳能电池，其中金属过孔连接前表面发射极层4并从前表面3贯穿基板2 至后表面7中的发射极接触件8。W运种方式，减少了接触发射极层所需要使用的前表面的 面积，因此前表面的遮蔽更少。
[0098] 发射极接触件位于第一接触区域外部的减薄的背表面场层区域中。
[0099] 本领域技术人员将理解本发明也可实现在所谓的EWT(血itterWrapT虹OU曲，发 射极贯穿孔）太阳能电池中，其中过孔包括在前表面与后表面之间延伸的局部高渗杂的半 导体部分。
[0100] 图3b不出根据本发明实施方式的另一种光伏电池的剖视图。 阳101] 在该实施方式中，光伏电池配置为包括后表面7上的邻近背表面场8的发射极接 触件6和后侧发射极16的IBC(interdigitatedbackcontact,交错背接触）太阳能电池。 前表面3可具有任意渗杂类型（p+或n+)的表面场15或根本没有表面场。W运种方式，所 有接触件迁移到后表面7,消除了遮蔽损耗。
[0102] 图4示出根据实施方式的光伏电池的渗杂浓度轮廓。示出了n型半导体基板的 背表面场层中憐的浓度轮廓C1、C2,其通过P0C13扩散然后经过BBr3扩散（W生成发射极 层）。此外，根据本发明，已经实现了第一接触区域外部的背表面场层的局部变薄。
[0103] 渗杂浓度轮廓CUC2是使用ECV方法测量的。插图示意性地示出每个渗杂轮廓 C1、C2在电池中的相应位置。第一轮廓Cl与第一接触区域的背表面场层中的、作为自后表 面的深度的函数的憐浓度有关，其中该深度对应于背表面场厚度tl。第二轮廓C2与第一接 触区域外部的减薄的背表面场层中的、作为自后表面的深度的函数的憐浓度有关，其中该 深度对应于背表面场厚度t2。 阳104] 背表面场层的局部变减薄为大约220nm。因此处于起点的第二轮廓C2的表面相对 于第一轮廓Cl移动了 220皿。在220皿深度处示出了竖直的线L。
[01化]可观察到局部减薄将表面处的渗杂水平从大约每立方厘米2X102°个原子降低到 大约每立方厘米3X10"个原子。相应地，薄层电阻从大约20Q/sq增加到大约50Q/sq。 薄层电阻可例如通过四点探测法测量，例如使用化erescan工具。结果，在第一接触区域外 部的减薄的背表面场层中，由于表面处较低的憐渗杂水平W及减小的憐渗杂深度而导致复 合效应得W降低。此外，由于减小的憐渗杂深度，自由载流子吸收也得W降低。因此，降低 了光伏电池中的内部损耗并且提高了光伏电池的效率。
[0106] 图5曰、化示出根据本发明实施方式的方法的工艺流程。 阳107] 方法100曰、10化包括若干工艺步骤