电极138的电压降造成的亮度非均匀性，以允许进行低压驱动，从而容易减小功耗。
[0027]为了使上述效果最佳，在相关技术中，可增大第一辅助电极150的宽度和厚度。然而，宽度增大的第一辅助电极150可导致发光区更小，从而难以实现高分辨率模型的高孔径比。为了增大第一辅助电极150的厚度，第一辅助电极150需要与通过另外的处理形成的有机发光二极管130的下电极132分开形成。
[0028]在本发明的实施方式中，还使包封基板210的第二辅助点击214与上电极138接触，从而在不增大第一辅助电极150的宽度和厚度的情况下，使上述效果最佳。包封基板210附接到基板110并且面对基板110，以包封形成在基板110上的像素。突出图案212和第二辅助电极214顺序地形成在包封基板210上。由于包封基板210与基板110的附接，突出图案212的位置对应于第二开口 0PN2的位置，第二辅助电极214在第二开口 0PN2处与上电极138接触。
[0029]第二辅助电极214与第一辅助电极150 —起用于减小上电极138的表面电阻。此夕卜，第二辅助电极214去除了有机发光层136的在形成发光层136的处理中沉积在第一辅助电极150上的不必要部分。结果，上电极138在第二开口 0PN2处与第一辅助电极150接触。
[0030]为此目的，第二辅助电极214可由金属或金属氧化物制成，以便通过驱动电力产生焦耳热。特别地，第二辅助电极214通过驱动电力产生焦耳热，以去除有机发光层136的在形成有机发光层136的过程中沉积在第一辅助电极150上的不必要部分。
[0031]在相关技术中，曾经提议过诸如激光图案化的物理方法来去除有机发光层136的沉积在第一辅助电极150上的不必要部分。然而，就成本和时间而言，相关技术中的需要另外设备和处理的方法不是理想的。
[0032]本发明的实施方式提供了以下优点:因为通过焦耳热引起第一辅助电极150和上电极138之间的接触，所以不需要另外的设备。特别地，可使用现有的包封基板210来产生焦耳热。
[0033]接下来，图2A至图2H是顺序示出根据本发明的另一个实施方式的制造有机发光显示装置的方法的视图。参照图2A，示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的制造方法。该制造方法包括例如在基板110上针对各像素形成驱动晶体管120和存储电容器160。在基板110上，可形成用作开关的开关晶体管和用于向二极管供应电力和驱动信号的多条线。随后，形成平整膜118，然后，以穿透平整膜118的方式形成将驱动晶体管120的一个电极露出的接触孔119。平整膜118可由诸如氮化硅膜、氧化硅膜、或氧化硅膜和氮化娃膜的层合物的无机材料制成。
[0034]参照图2B，示出经由接触孔119与驱动晶体管120的一个电极连接的下电极132。在平整膜118上形成下电极132。此外，可通过与下电极132相同的处理，在平整膜118上形成第一辅助电极150。
[0035]具体地，在上面形成有平整膜118的基板110的整个表面上，通过用诸如溅射的沉积方法沉积包含Cr、Al、AINd、Mo、Cu、W、Au、N1、Ag或这些材料的合金或氧化物的导电材料，然后选择性去除导电材料，来形成位置与发光区对应的下电极132和位置与非发光区对应的第一辅助电极150。对应于各像素，将下电极132图案化(参照图3A至图3C)。为了有助于减小上电极138的表面电阻，第一辅助电极150可在非发光区中具有网状图案(参照图3A)或者在非发光区中具有带状图案(参照图3A至图3C)。
[0036]参照图2C，示出在下电极132和第一辅助电极150形成在基板110上的情况下在基板110上选择性地形成有机或无机材料。结果，形成具有第一开口 0PN1和第二开口 0PN2的堤层134。通过堤层134的第一开口 0PN1将下电极132露出，通过堤层134的第二开口0PN2将第一辅助电极150露出(参照图4)。
[0037]参照图2D，示出形成在堤层134、下电极132、通过堤层134露出的第一辅助电极150的上方的有机发光层136。通过使用精细金属掩模FMM进行热沉积等，将第一辅助电极150露出。
[0038]参照图2E，示出包封基板210，其中，第二辅助电极214初始地附接到上面形成有机发光层136的基板110。对应于各第二开口 0PN2的位置，在包封基板210上形成突出图案212 (参照图5)。另外，在突出图案212上形成第二辅助电极214。突出图案212可被形成为包含黑树脂，以防止在包封时漏光。电源端子EA和EB连接并且将相反极性的驱动电力施加到第二辅助电极214的端部。尽管电源端子EA和EB可共同连接到全部第二辅助电极214，但电源端子EA和EB可被划分成与预定数量的第二辅助电极214对应的单元，以防止IR降。
[0039]本发明的另一个实施方式中的包封基板210和基板110被初始附接在一起，使得突出图案212对应于第二开口 0PN2。在包封基板210和基板110被初始附接在一起的情况下，由于突出图案212，导致第二辅助电极214在第二开口 0PN2处与有机发光层136的形成在第一辅助电极150上的不必要部分接触。
[0040]参照图2F，示出设置在堤层134和下电极132上的有机发光层136。有机发光层136没有设置在第一辅助电极150上。特别地，在第二开口 OPN2处形成在第一辅助电极150上的有机发光层136在因向包封基板210上的第二辅助电极214施加驱动电力而产生的热的作用下熔化并且被去除(参照图2E)。
[0041]参照图2G，示出通过在将包封基板210与基板110脱离(参照图2E)之后用诸如溅射的沉积方法沉积透明导电材料而形成的上电极138。在从第二开口 0PN2部分去除了有机发光层136的情况下，在基板110的整个表面上方沉积透明导电材料。结果，上电极138的一面在第二开口 0PN2处与第一辅助电极150接触。通过上电极138与第一辅助电极150接触，上电极138的表面电阻减小。
[0042]参照图2H，示出包封基板210和基板110被重新附接在一起以包封基板110。在包封基板210和基板110被附接在一起的情况下，突出图案212被形成为对应于第二开口0PN2，使得第二辅助电极214在第二开口 0PN2处与上电极138的另一面接触。在重新附接的步骤中，切断施加到包封基板210的第二辅助电极214的驱动电力。因为上电极138与第二辅助电极214以及第一辅助电极150接触，所以上电极138的表面电阻进一步减小。
[0043]接下来，图3A至图3C是示出根据本发明的另一个实施方式的在有机发光显示装置中形成第一辅助电极的示例的视图。
[0044]接下来，图4是示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的视图。该有机发光显示装置包括通过堤层134的第一开口露出的下电极132和通过堤层134的第二开口露出的第一辅助电极150。
[0045]接下来，图5是示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的平面图，该有机发光显示装置包括形成在包封基板上的第二辅助电极和突出图案。
[0046]接下来，图6A至图6D是顺序示出根据本发明的另一个实施方式的制造有机发光显示装置的方法的视图。根据本发明的另一实施方式的制造有机发光显示装置的方法采用图2A至图2C中示出的上述处理序列，所述处理序列包括:在基板110上形成驱动晶体管120(参照图2A);形成与驱动晶体管的一个电极连接的下电极132并且在非发光区中形成第一辅助电极150，使得与下电极132分开(参照图2B);形成具有将下电极132露出的第一开口 0PN1和将第一辅助电极150露出的第二开口 0PN2的堤层134 (参照图2C)。
[0047]参照图6A和图6B，在堤层134以及通过堤层1