有机发光显示装置及其制造方法

文档序号:9647784阅读:308来源:国知局
有机发光显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光显示装置是致使有机发光层通过电子和空穴的复合来发光的自发光元件。有机发光显示装置具有高亮度、低工作电压和超薄设计。
[0003]有源矩阵有机发光显示装置(AM0LED)包括布置成矩阵用于显示图像的像素。各像素包括有机发光二极管和单元驱动器,单元驱动器独立地驱动有机发光二极管。单元驱动器包括至少两个薄膜晶体管和存储电容器,以通过响应于数据信号控制供给有机发光二极管的电流量来控制有机发光二极管的发光量。
[0004]有机发光二极管包括设置在上电极和下电极之间的有机材料的发光层。有机发光二极管通过当激发子返回到基态时产生的能量来发光,激发子是通过从下电极供给的空穴和从上电极接收的电子在发光层内复合而形成的空穴-电子对。
[0005]根据发射的光射出有机发光显示装置的方向,有机发光显示装置包括底部发光装置和顶部发光装置。对于底部发光装置,发射的光穿过基板的底部,(即,从有机发光层向着下电极)。对于顶部发光装置,发射的光穿过基板的顶部(即,从有机发光层向着上电极)。
[0006]顶部发光有机发光显示装置的上电极被制得足够薄,足以使光穿过上电极,这造成上电极的电阻增大。在相关技术中,有机发光显示装置包括较大屏幕和较大面积的上电极、电阻增大的上电极和大压降(IR降)。结果,相关技术的有机发光显示装置的大IR降可导致显示装置的功耗升高且亮度不均匀,并且导致可靠性降低。

【发明内容】

[0007]本发明的目的是提供可通过减小有机发光二极管中包括的上电极的表面电阻来降低功耗并且使亮度非均匀性减至最少的有机发光显示装置及其制造方法。
【附图说明】
[0008]附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并入且构成本说明书的部分,附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。
[0009]图1是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的像素的横截面的视图;
[0010]图2A至图2H是顺序示出根据本发明的另一个实施方式的制造有机发光显示装置的方法的视图;
[0011]图3A至图3C是示出根据本发明的另一个实施方式的在有机发光显示装置中形成第一辅助电极的示例的视图;
[0012]图4是示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的视图,该有机发光显示装置包括通过堤层的第一开口露出的下电极和通过堤层的第二开口露出的第一辅助电极;
[0013]图5是示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置的平面图,该有机发光显示装置包括形成在包封基板上的第二辅助电极和突出图案;以及
[0014]图6A至图6D是顺序示出根据本发明的另一个实施方式的制造有机发光显示装置的方法的视图。
【具体实施方式】
[0015]下文中,将参照附图详细描述本文献的实现方式。
[0016]图1是示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的像素的横截面的视图。根据本发明的实施方式的有机发光显示装置包括通过堤层134彼此隔离的多个像素。各像素包括有机发光二极管130和驱动有机发光二极管130的单元驱动器。根据本发明的实施方式的有机发光显示装置包括基板110和包封基板210,包封基板210用于包封形成在基板110上的像素。根据本发明的实施方式的有机发光显示装置还包括与上电极138的一面接触的第一辅助电极150和与上电极138的另一面接触的第二辅助电极214,以减小有机发光二极管130中包括的上电极138的表面电阻。
[0017]单元驱动器包括开关晶体管、驱动晶体管120、存储电容器160和用于驱动晶体管的信号线。开关晶体管响应于来自选通线的扫描信号来导通并且将来自数据线的数据信号施加到驱动晶体管120的栅端子。驱动晶体管120根据栅-源电压,控制施加到有机发光二极管130的电流量。即使通过使开关晶体管截止来切断数据信号的供应,存储电容器160也将驱动晶体管120的栅-源电压保持给定时间段,从而致使所需电流量流入有机发光二极管130中。
[0018]驱动晶体管120包括:半导体层122,其形成在基板110上的缓冲层112上方;栅极124,其与半导体层122的沟道部分交叠,使栅绝缘层114插入在栅极124和半导体层122之间。另外,驱动晶体管120包括源极126和漏极127,源极126和漏极127经由穿透层间绝缘层116和栅绝缘层114的接触孔与半导体层122接触。
[0019]存储电容器160的下电极由与半导体层122相同的材料制成,存储电容器160的上电极由与栅极124相同的材料制成。存储电容器160的下电极可由与栅极124相同的材料制成,存储电容器160的上电极可由与源极126和漏极127相同的材料制成。
[0020]驱动晶体管120的一个电极(例如,源极126或漏极127)经由穿透平整膜118的接触孔连接到有机发光二极管130的下电极132,以向有机发光二极管130供应驱动电流。下电极132在平整膜118上形成为连接到驱动晶体管120的一个电极。下电极132可由Cr、Al、AINd、Mo、Cu、W、Au、N1、Ag或这些材料的合金或氧化物形成。另外,下电极132可由ΙΤ0/反射层/ΙΤ0的多层构成,使得从有机发光层136发射的光被向上反射。对应于各像素将下电极132图案化。
[0021]有机发光二极管130响应于驱动电流,发射红光、绿光或蓝光,以显示预定的图像数据。有机发光二极管130:下电极132和上电极138,其彼此面对;有机发光层136,其设置在下电极132和上电极138之间。下电极132和上电极138彼此绝缘,并且将不同极性的电压施加到有机发光层136。有机发光层136从下电极132接收空穴并且从上电极138接收电子以形成激发子(空穴-电子对),并且通过当激发子返回到基态时产生的能量来发光。有机发光层136包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EL、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光层136形成在发光区中,但没有形成在形成有驱动晶体管120的非发光区中。
[0022]上电极138可由透明导电层形成,以从包括在有机发光二极管130中的有机发光层136发射光。透明导电层可由铟锡氧化物(ΙΤ0)、锡氧化物(T0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、铟锡锌氧化物(ΙΤΖ0)或这些材料的组合制成。上电极138是板状的并且形成在基板110的整个表面上方。有机发光二极管130通过堤层134对应于各像素,以产生红光、绿光或蓝光。
[0023]堤层134具有第一开口 0PN1和第二开口 0PN2,用于分别限定各像素中的发光区和非发光区。堤层134通过将下电极的部分露出的第一开口 0PN1限定各像素的发光区。除了发光区之外的区域是非发光区。堤层134通过第二开口 0PN2将形成在非发光区内的第一辅助电极150露出。堤层134可包括诸如聚酰亚胺材料的有机材料或诸如氮化硅膜、氧化娃膜等的无机材料。
[0024]第一辅助电极150用于减小构成有机发光二极管130的上电极138的表面电阻,并且可形成在堤层134的下面。例如,第一辅助电极150可与有机发光二极管130的下电极132位于同一平面,即,位于平整膜118上。
[0025]第一辅助电极150可由比上电极138具有更低比电阻和更高导电率的导电材料制成。例如,第一辅助电极150可由银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(A1)、镁(Mg)、钕(Nd)、这些材料的合金、或这些材料的层合物形成。
[0026]通过形成与上电极138电连接并且处于上电极138下方的第一辅助电极150可减小上电极138的表面电阻。由于上电极138的表面减小,因此可抑制由跨上
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