06上方还包括层间绝缘层07。
[0078]在具体实施时，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，为了进一步增加源极和漏极与有源层的接触面积，从而增加欧姆接触区的面积，减小欧姆接触电阻。本发明实施例通过以下方式进行处理，参见图8，有源层02中在用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中在与源极08和漏极09电性相连的部分形成凹槽03。
[0079]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括采用本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。由于该阵列基板解决问题的原理与薄膜晶体管相似，因此该阵列基板的实施可以参见上述薄膜晶体管的实施，重复之处不再赘述。
[0080]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
[0081]综上所述，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管的制作方法，首先在衬底基板上形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度；然后采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域通过设置过孔形成源极和漏极的图案。通过在形成有源层的过程中，使得有源层中用于形成源极区域和漏极区域的厚度大于有源层中源极区域和漏极区域之间的半导体区域，在有源层上通过刻蚀工艺设置过孔形成源极和漏极图案时，避免了有源层中的多晶硅被刻蚀刺穿，解决了源漏电极和有源层接触不良的问题，从而提高薄膜晶体管的稳定性。进一步地，在有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区通过设置过孔形成源极和漏极的图案时，过孔的截面宽度小于用于形成薄膜晶体管的源极区域或漏极区域的截面宽度。从而增加薄膜晶体管的源极和漏极与有源层的接触面积，增大源极和漏极在有源层中接触后形成的欧姆接触区，减小欧姆接触区的接触电阻。
[0082]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括: 在衬底基板上形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度； 采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域在与源极和漏极电性相连的部分形成凹槽，且在所述凹槽处形成源极和漏极的图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过孔的截面宽度小于所述用于形成薄膜晶体管的源极区域或漏极区域的截面宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上依次形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度，包括: 在衬底基板上形成多晶硅层； 采用一次构图和两次刻蚀的工艺，使所述多晶硅形成有源层的图案，所述有源层的图案中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用一次构图和两次刻蚀的工艺，使所述多晶硅形成有源层的图案，所述有源层的图案中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度，包括: 在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，并采用掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中所述光刻胶完全保留区域对应所述用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述用于形成源、漏极区域之间的半导体区域； 第一次刻蚀所述光刻胶完全去除区域所对应的多晶硅层，使所述光刻胶完全去除区域所对应的多晶硅层完全去除； 采用灰化工艺，灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，且使光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄； 第二次刻蚀所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层，形成有源层的图案。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成有源层的图案后，该方法还包括: 剥离光刻胶完全保留区域所对应的光刻胶。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第二次刻蚀所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层，包括: 干刻所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层，使所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层的厚度小于光刻胶完全保留区域所对应的多晶硅层的厚度，且所述光刻胶部分保留区域所对应的多晶硅层的厚度大于零。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域在与源极和漏极电性相连的部分形成凹槽，且在所述凹槽处形成源极和漏极的图案，包括: 采用构图工艺在所述有源层上依次形成栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层； 在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域所对应的层间绝缘层以及栅极绝缘层的区域中形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔用于使形成的源极与所述有源层电性相连，所述第二过孔用于使形成的漏极与所述有源层电性相连； 在所述第一过孔处形成源极图案，同时在所述第二过孔处形成漏极图案。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一过孔处形成源极图案，同时在所述第二过孔处形成漏极图案，包括: 在所述层间绝缘层上形成光刻胶层，所述光刻胶层不包括第一过孔和第二过孔所对应的区域； 采用离子注入方式以及构图工艺在所述第一过孔处形成源极图案，同时在所述第二过孔处形成漏极图案。10.一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的有源层、位于所述有源层上且与所述有源层电性相连的源极和漏极，以及位于所述有源层上的栅极，其特征在于，所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层中在用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域中在与所述源极和漏极电性相连的部分形成凹槽。12.—种阵列基板，其特征在于，包括权利要求10或11所述的薄膜晶体管。13.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求12所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置，用以解决现有技术中源漏电极和有源层接触不良的问题，从而提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成有源层，其中所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域的厚度大于所述有源层中源、漏极区域之间的半导体区域的厚度；采用构图工艺在所述有源层上形成栅极，在所述有源层中用于形成薄膜晶体管的源极区域和漏极区域在与源极和漏极电性相连的部分形成凹槽，且在所述凹槽处形成源极和漏极的图案。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/08, H01L29/786, H01L27/12
【公开号】CN105428243
【申请号】CN201610016936
【发明人】敏健, 李小龙, 许正印, 高涛, 李栋, 张帅
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2016年1月11日