层堆叠芯片的组合。
[0030]单颗裸芯片倒装焊在每个TSV转接板上;所述多颗裸芯片分别倒装焊在每个TSV转接板上;若为单组多层堆叠芯片组件组装在每个TSV转接板上;若为若干组多层堆叠芯片组件分别组装在每个TSV转接板上；若为裸芯片和多层堆叠芯片分别组装在每个TSV转接板上。
[0031](6)通过转注成型或压缩成型工艺或其它塑封工艺将塑封胶封到每个转接板之间、芯片之间以及芯片的上表面，并进行固化处理，如图6所示；
(7)对圆形或方形载板进行拆键合，拆掉圆形或方形载板，如图7所示；
(8)翻转过来，在转接板背面制作一层钝化层I，开窗，钝化层材料为ΡΙ或ΡΒ0或其他钝化材料，如图8所示；
(9)在钝化层I上面溅射一层种子层，种子层材料为Ti/Cu，如图9所示；
(10)在种子层I上面涂覆光刻胶，并采用电镀方法，在光刻胶显露的图形中制作一层再布线层Π，电镀Cu同时填充了导通孔;去除光刻胶及其底部的种子。如图10所示
(11)在再布线层π上面制作一层钝化层Π，开窗，钝化层材料为PI或ΡΒ0或其他钝化材料，如图11所示；
(12)在钝化层Π上面溅射一层种子层Π，种子层材料为Ti/Cu，如图12所示；
(13)在种子层Π上面涂覆面涂覆光刻胶，并采用电镀方法制作UBM底部金属层Cu基，去除光刻胶及其底部的种子层，然后在铜基上植BGA焊球，如图13所示。
[0032](14)切片并进行测试，即可。
[0033]采用以上制备方法制备出的基于载体的扇出2.5D/3D封装结构，包括TSV转接板、倒装片、底部填充胶、塑封料、BGA焊球，倒装芯片倒装焊在TSV转接板的正面;塑封料包封倒装芯片以及TSV转接板，并裸露TSV转接板背面;TSV转接板背面植BGA焊球，底部填充胶位于倒装芯片与TSV转接板之间。
[0034]TSV转接板为硅转接板，硅转接板上设有硅通孔，硅通孔里电镀铜;TSV转接板正面设有再布线层I和再布线层Π。再布线层I或Π的厚度约为3~5μπι，材料为铜。再布线层Π是利用扇出工艺进行制作。
[0035]TSV转接板背面与BGA焊球之间依次设有依次为钝化层1、种子层1、再布线层Π，钝化层2、种子层2、UBM底部金属层。
[0036]种子层1、再布线层Π、种子层2和UBM底部金属层互连。倒装芯片通过再布线层1、转接板硅通孔、再布线层Π、UBM底部金属层和BGA球互连。
[0037]本发明在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜，其上贴装只有正面带有多层再布线层的TSV转接板;TSV转接板上倒装焊有裸片或多叠层芯片组件;对载片上的TSV转接板及裸片或多叠层芯片组件进行塑封;去除底部载板及临时键合胶或热剥离薄膜;在转接板背面涂覆第一层钝化层，并开窗;采用物理气相沉积第一层种子层Ti/Cu;电镀一层Cu质RDL;涂覆第二层钝化层，并开窗;采用物理气相沉积第二层种子层Ti/Cu;电镀Cu基;植焊球。本发明结合了扇出技术及转接板技术提供了一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法。制造出的结构可实现系统级封装，降低生产成本;有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。
[0038]本发明并不局限于前述的【具体实施方式】。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
【主权项】
1.一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)准备材料，制备带有再布线层I的TSV转接板，TSV转接板背面减薄、露镀铜并切单； (2)在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜； (3)将TSV转接板正面朝上、阵列粘贴至载板上，布满载板； (4)将倒装芯片倒装焊到每个转接板上，并填充底部填充胶； (5)通过转注成型或压缩成型工艺或其他灌封工艺将塑封胶封到每个转接板之间、芯片之间以及芯片的上表面，并进行固化处理； (6)对载板进行拆键合，去掉载板及临时键合胶或热剥离薄膜； (7)在转接板背面制作一层钝化层I，开窗漏出转接板通孔背面的铜； (8)溅射一层种子层I，然后在种子层I上面涂覆光刻胶，显露出用于制作电镀线路的图形； (9)采用电镀方法，在光刻胶显露的图形中制作一层再布线层Π，电镀Cu同时填充了导通孔;去除光刻胶及其底部的种子层； (10)在再布线层Π上面涂覆钝化层Π，开窗； (11)溅射一层种子层π，在其上面涂覆光刻胶，显露出图形可制作UBM底部金属层； (12)采用电镀方法制作UBM底部金属层Cu基，去除光刻胶及其底部的种子层； (13)在铜基上植BGA焊球； (14)切片并进行测试，即可。2.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述步骤(1)中TSV转接板为正面带有再布线层的TSV转接板。3.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述步骤(1)中再布线层为多层。4.根据权利要求3所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述再布线层每层再布线层的厚度为3_5μπι，材料为铜。5.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述载板形状为方形或圆形。6.根据权利要求5所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述圆形载板材料为硅、玻璃或可伐合金材料，方形载板为玻璃或双面覆铜板。7.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述步骤(4)中的倒装芯片为单颗裸芯片，或多颗裸芯片，或单组多层堆叠芯片组件，或若干组多层堆叠芯片组件，或裸芯片和多层堆叠芯片的组合。8.根据权利要求7所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述单颗裸芯片倒装焊在每个TSV转接板上，多颗裸芯片分别倒装焊在每个TSV转接板上;若为单组多层堆叠芯片组件组装在每个TSV转接板上;若为若干组多层堆叠芯片组件分别组装在每个TSV转接板上;若为裸芯片和多层堆叠芯片分别组装在每个TSV转接板上。9.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述步骤(7 )和步骤(10 )中钝化层材料为ΡI或ΡΒΟ或其他钝化材料。10.根据权利要求1所要述的一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于:所述步骤(8)和步骤(11)中种子层材料为Ti/Cu。
【专利摘要】本发明属于电子封装领域，尤其涉及一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征包括：在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜,其上贴装只有正面带有多层再布线层的TSV转接板;TSV转接板上倒装焊有裸片或多叠层芯片组件;对载片上的TSV转接板及裸片或多叠层芯片组件进行塑封;去除底部载板及临时键合胶或热剥离薄膜;在转接板背面涂覆第一层钝化层,并开窗;采用物理气相沉积第一层种子层Ti/Cu;电镀一层Cu质RDL；涂覆第二层钝化层，并开窗；再制造第二层种子层Ti/Cu；电镀Cu基；植焊球。本发明制造出的结构可实现系统级封装，降低生产成本；有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。
【IPC分类】H01L21/50, H01L23/52, H01L21/56, H01L21/60, H01L23/48
【公开号】CN105428260
【申请号】CN201510970167
【发明人】苏梅英, 侯峰泽, 徐成
【申请人】成都锐华光电技术有限责任公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年12月22日